存储单元和存储器件制造技术

本申请公开了存储单元和存储器件。该存储单元包括：衬底；有源层，其与所述衬底的表面间隔开并沿平行于所述衬底的表面的方向延伸；位线，其被耦接到所述有源层的一侧并沿垂直于所述衬底的表面的方向延伸；电容器，其被耦接到所述有源层的另一侧并与所述衬底的表面间隔开；以及字线，其与所述有源层垂直间隔开并沿与所述有源层相交的方向延伸，其中，所述字线包括彼此面对的第一凹口状侧壁和第二凹口状侧壁。侧壁。侧壁。

【技术实现步骤摘要】
存储单元和存储器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月29日提交的申请号为10
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2020
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0185964的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。


[0003]本专利技术的各个实施例涉及半导体器件，并且更具体地，涉及具有改进的集成度的存储单元和存储器件。

技术介绍

[0004]由于二维(2D)存储器件的集成度主要是基于单位存储单元所占的面积来确定的，所以会受到精细图案化技术的影响。精细图案化通常需要非常昂贵的设备，但在提高二维存储器件的集成度方面仍然存在限制。为了提高集成度，提出了包括以三个维度布置的存储单元的三维存储器件。

技术实现思路

[0005]本专利技术的实施例针对具有改进的集成度的存储单元和存储器件。
[0006]根据本专利技术的一个实施例，一种存储单元包括：衬底；有源层，其与衬底的表面间隔开并沿平行于衬底的表面的方向延伸；位线，其耦接到有源层的一侧并沿垂直于衬底的表面的方向延伸；电容器，其耦接到有源层的另一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储单元，包括：衬底；有源层，其与所述衬底的表面间隔开并沿平行于所述衬底的表面的方向延伸；位线，其被耦接到所述有源层的一侧并沿垂直于所述衬底的表面的方向延伸；电容器，其被耦接到所述有源层的另一侧并与所述衬底的表面间隔开；以及字线，其与所述有源层垂直间隔开并沿与所述有源层相交的方向延伸，其中，所述字线包括彼此面对的第一凹口状侧壁和第二凹口状侧壁。2.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述第一凹口状侧壁和所述第二凹口状侧壁中的每一个均包括多个平坦表面和多个凹陷表面。3.根据权利要求2所述的存储单元，其中，所述平坦表面和所述凹陷表面在所述字线延伸的方向上交替。4.根据权利要求2所述的存储单元，其中，所述平坦表面与所述位线相邻。5.根据权利要求2所述的存储单元，其中，所述凹陷表面包括半球形的凹口形状、三角形凹口形状、或矩形凹口形状。6.根据权利要求1所述的存储单元，还包括：介电支撑体，其支撑所述字线的第一凹口状侧壁和第二凹口状侧壁。7.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述有源层包括：沟道，其与所述字线垂直交叠；第一源极/漏极区，其位于所述沟道的一侧；以及第二源极/漏极区，其位于所述沟道另一侧，其中，所述沟道包括在所述字线延伸的方向上突出的突出部。8.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述字线具有双字线结构，在所述双字线结构中两个字线彼此面对并且所述有源层置于所述两个字线之间。9.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述字线包括彼此面对的凹口状字线和凹口状遮蔽字线，所述有源层置于所述凹口状字线和所述凹口状遮蔽字线之间。10.一种存储器件，包括：衬底；存储单元阵列，其包括在垂直于所述衬底的表面的方向上堆叠的多个存储单元；以及单元隔离层，其沿所述存储单元被堆叠的方向延伸并支撑所述存储单元，其中，每个所述存储单元包括：位线，其沿垂直于所述衬底的表面的方向延伸；电容器，其与所述位线横向间隔开；有源层，其在所述位线与所述电容器之间横向延伸；以及凹口状字线和凹口状遮蔽字线，它们彼此面对并且所述有源层位于所述凹口状字线和所述凹口状遮蔽字线之间。11.根据权利要求10所述的存储器件，其中，所述单元隔离层包括：垂直单元隔离层，其支撑所述凹口状字线和所述凹口状遮蔽字线，并沿垂直于所述衬底的表面的方向延伸。12.根据权利要求11所述的存储器件，其中，所述垂直单元隔离层直接接触所述凹口状
字线的凹口和所述凹口状遮蔽字线的凹口。13.根据权利要求11所述的存储器件，其中，所述位线穿过所述垂直单元隔离层。14.根据权利要求10所述的存储器件，其中所述凹口状字线和所述凹口状遮蔽字线中的每一个包括彼此面对的第一凹口状侧壁和第二凹口状侧壁，其中，所述第一凹口状侧壁与所述位线相邻，且所述第二凹口状侧壁与所述电容器相邻。15.根据权利要求14所述的存储器件，其中，所述第一凹口状侧壁和所述第二凹口状侧壁中的每一个包括多个平坦表面和多个凹陷表...

【专利技术属性】
技术研发人员：金承焕，辛东善，郑璲钰，陈一燮，车宣龙，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：