一种半导体器件及其制备方法和存储器件技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件及其制备方法，提供形成有导电结构的半导体衬底，半导体衬底上；在导电结构的上方制备与导电结构连接的插塞；在形成了插塞的半导体衬底表面形成浸润层，浸润层为金属间化合物，金属间化合物含有金属线元素、抗电迁移的金属元素以及起粘合作用的金属元素；在浸润层的上方形成包含金属线元素的上金属层；对浸润层和上金属层进行图形化处理，得到连接导电结构的互连线。通过本发明专利技术能够形成厚薄均匀的浸润层和上金属层，进而提高了像电迁移、应力迁移等可靠度，保证了半导体产品质量。半导体产品质量。半导体产品质量。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件及其制备方法和存储器件


[0001]本专利技术属于半导体领域，尤其涉及一种半导体器件制备方法及半导体器件和存储器件。

技术介绍

[0002]根据半导体器件的种类和制备工艺，有多种多样的金属化结构。存储器件，(例如DRAM)，Al或Cu的金属化结构被用作输电线的连接，需要严格控制各个工艺的工序窗。一般来讲，Al的金属化结构由浸润层(wetting layer)、Al或者铝合金以及覆盖层构成。考虑到氧化物的介电性和附着力,Al的金属化结构中，浸润层一般使用Ti膜。在后续的Al元素的晶粒生长过程中，由于浸润层的Ti元素和Al元素之间难以控制的反应会产生TiAlx化合物，继而导致高阻力和金属化结构的厚薄不均匀。为了解决这些问题，现有技术是通过降低晶粒生长的温度来应对，其结果会导致像电迁移、应力迁移等可靠度问题的劣化。

技术实现思路

[0003]针对现有技术存在的问题，本专利技术实施例提供了一种半导体器件及其制备方法和存储器件，以形成半导体器件厚薄均匀的浸润层和上金属层，以优化半导体器件在电迁移、应力迁移等方面的可靠度问题。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有导电结构；在所述导电结构的上方制备与所述导电结构连接的插塞；在形成了所述插塞的半导体衬底表面形成浸润层，所述浸润层为金属间化合物，所述金属间化合物含有金属线元素、抗电迁移的金属元素以及起粘合作用的金属元素；在所述浸润层的上方形成包含所述金属线元素的上金属层；对所述浸润层和所述上金属层进行图形化处理，得到连接所述导电结构的互连线。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属线元素为铝或铝合金。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金属间化合物为TiAlCu,TaAlCu,CrAlCu或者NiAlCu。4.如权利要求1
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3中任一所述的方法，其特征在于，所述浸润层的厚度低于100nm。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述金属间化合物层的上方形成包含所述金属线元素的上金属层，包括：在350～500℃的沉积条件下形成所述上金属层。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述浸润层的上方形成包含所述金属线元素的上金属层，包括：在常温下形成所述上金属层；通过500～600℃退火处理沉积的所述上金属层。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述对所述浸润层和所述上金属层进行图形化处理之前，还包括：在所述上金属层的上方形成覆盖层。...

【专利技术属性】
技术研发人员：金玄永，郭挑远，徐康元，高建峰，白国斌，杨涛，李俊峰，王文武，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：