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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，提供形成有导电结构的半导体衬底，半导体衬底上；在导电结构的上方制备与导电结构连接的插塞；在形成了插塞的半导体衬底表面形成浸润层，浸润层为金属间化合物，金属间化合物含有金属线元素、抗电迁移的金属元素以及...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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