一种半导体结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体结构及其制备方法。一种半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的电容，电容包括下电极和上电极，以及隔离下电极和上电极的电容介质层；覆盖上电极的上表面和侧壁的第二介质层；上电极的侧壁呈斜坡状。制备方法：半导体衬底包括存储区和外围区；在外围区上形成晶体管以及其上的第一介质层；在存储区上形成电容，电容包括下电极、电容介质层和上电极，其中上电极延伸到第一介质层上；在上电极上形成光刻胶图案，光刻胶图案的边界位于第一介质层上，对上电极进行离子注入；对上电极进行刻蚀。本发明专利技术提供的半导体结构中上电极与介质层的侧边接触界面为斜面，可以减少应力集中，从而减轻膜裂缝现象。从而减轻膜裂缝现象。从而减轻膜裂缝现象。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体生产工艺领域，特别涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]电容器是一种以静电场形式储存能量的无源电子元件。在最简单的形式，电容器包括两个导电极板，且两个导电板之间通过称之为电介质的绝缘材料隔离。电容器的电容与极板的表面面积成正比，与极板间的距离成反比。电容器的电容还取决于分离极板的物质的介电常数。电容器可以制造于集成电路(IC)芯片上。以在动态随机存取存储器(dynamicrandom access memory，简称DRAM)为例，电容通常用于与晶体管连接，有助于保持存储器的内容。由于其微小的物理尺寸，这些组件具有低电容。他们必须以每秒数千次的频率再充电，否则，DRAM将丢失数据。电容器的基本结构是三明治结构，包含下电极、介质层及上电极。在DRAM、Flash、逻辑器件等设有电容器的半导体器件中，上电极的表面通常覆盖有介质层，并且介质层与上电极界面上的膜间应力经常引发膜裂缝(上电极或介质层出现裂缝)，进而导致器件不良。
[0003]为此，特提出本专利技术。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的电容，所述电容包括下电极和上电极，以及隔离所述下电极和所述上电极的电容介质层；第二介质层，所述第二介质层覆盖所述上电极的上表面和侧壁；其中，所述上电极的所述侧壁呈斜坡状。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述上电极为单层电极材料或多层堆叠材料。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述上电极至少包含多晶硅层。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述上电极还包括氮化钛层。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述斜坡的角度为20
°
～70
°
。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为DRAM器件；所述半导体衬底上包括存储区和外围区，所述外围区上包括第一介质层；所述侧壁位于所述第一介质层上。7.一种半导体结构制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔锺武，金成基，刘金彪，杨涛，丁明正，李俊峰，王垚，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：