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本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。一种半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的电容，电容包括下电极和上电极，以及隔离下电极和上电极的电容介质层；覆盖上电极的上表面和侧壁的第二介质层；上电极的侧壁呈斜坡状。制备方法：半导体衬底包括存...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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