半导体结构以及半导体结构的形成方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体结构以及半导体结构的形成方法。其中，半导体结构，包括：衬底；第一晶体管，包括位于衬底内的第一沟道区域；第二晶体管，包括位于衬底内的第二沟道区域，第二沟道区域的面积与第一沟道区域的面积不同，且第一晶体管和第二晶体管具有公共源极或公共漏极；存储单元，与公共源极或公共漏极相连。本申请的半导体结构中第二晶体管的第二沟道区域的面积与第一晶体管的第一沟道区域的面积不同，可以适应读取与写入的不同要求，提高了数据读写的成功率。了数据读写的成功率。了数据读写的成功率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构以及半导体结构的形成方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种半导体结构以及半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]存储器是计算机体系结构中的重要组成部分，对计算机的速度、集成度和功耗等都有决定性的影响。传统的存储器的基本单元通常通过串联连接的一个存储单元(如磁存储单元)和一个驱动晶体管实现读写功能。但是，基于磁存储单元的存储器的读写成功率对晶体管的电性要求不同，造成磁存储单元的读写成功率较低。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对现有技术中的存储单元读写成功率较低的问题提供一种半导体结构以及半导体结构的形成方法。
[0004]为了实现上述目的，一方面，本专利技术提供了一种半导体结构，其特征在于，包括：
[0005]衬底；
[0006]第一晶体管，包括位于所述衬底内的第一沟道区域；
[0007]第二晶体管，包括位于所述衬底内的第二沟道区域，所述第二沟道区域的面积与所述第一沟道区域的面积不同，且所述第一晶体管和所述第二晶体管具有公共源极或公共漏极；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；第一晶体管，包括位于所述衬底内的第一沟道区域；第二晶体管，包括位于所述衬底内的第二沟道区域，所述第二沟道区域的面积与所述第一沟道区域的面积不同，且所述第一晶体管和所述第二晶体管具有公共源极或公共漏极；存储单元，与所述公共源极或所述公共漏极相连。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，包括：所述存储单元包括电容存储单元、电阻存储单元、磁存储单元、相变存储单元和铁电存储单元中的任一种。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，包括：所述第一沟道区域具有第一宽度；所述第二沟道区域具有第二宽度，其中，所述第二宽度大于所述第一宽度；所述存储单元为磁存储单元，所述第一晶体管用于从所述磁存储单元读取数据，所述第二晶体管用于向所述磁存储单元写入数据。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底内还包括至少一个有源区，所述有源区中具有所述第一晶体管和所述第二晶体管；所述第一晶体管和所述第二晶体管分布于所述有源区延伸方向的相对两侧。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，还包括：多条沿第一方向延伸的字线；多个所述有源区呈错位排布，所述有源区沿第二方向延伸，且所述第二方向相对于所述第一方向倾斜一预设角度。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述第一方向上，位于相邻的所述有源区中的所述第一晶体管与所述第二晶体管与同一条所述字线对应。7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，多个所述有源区中，每两个所述有源区构成有源区对，所述有源区对呈阵列排布；各所述有源区对中的两个所述有源区的所述第一晶体管相邻且相对设置。8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括多条沿第一方向延伸的字线；所述字线包括沿第二方向交替排列的第一字线和第二字线；所述第一字线贯穿位于同一列的所述有源区对中所述有源区的所述第一晶体管，所述第二字线贯穿位于同一列的所述有源区对中所述有源区的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴保磊，王晓光，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：