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本发明涉及一种半导体结构以及半导体结构的形成方法。其中，半导体结构，包括：衬底；第一晶体管，包括位于衬底内的第一沟道区域；第二晶体管，包括位于衬底内的第二沟道区域，第二沟道区域的面积与第一沟道区域的面积不同，且第一晶体管和第二晶体管具有公共...
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