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本申请公开了存储单元和存储器件。该存储单元包括：衬底；有源层，其与所述衬底的表面间隔开并沿平行于所述衬底的表面的方向延伸；位线，其被耦接到所述有源层的一侧并沿垂直于所述衬底的表面的方向延伸；电容器，其被耦接到所述有源层的另一侧并与所述衬底的...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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