具有直接接合的微电子组件中的部件间材料制造技术

本文公开了包括通过直接接合耦合在一起的微电子部件的微电子组件以及相关的结构和技术。在一些实施例中，微电子组件可以包括中介层；第一微电子部件，具有通过第一直接接合区域耦合到中介层的第一表面和相对的第二表面；第二微电子部件，具有通过第二直接接合区域耦合到中介层的第一表面和相对的第二表面；衬垫材料，在中介层的表面上且在第一微电子部件和第二微电子部件周围；无机填充材料，在衬垫材料上且在第一微电子部件与第二微电子部件之间；以及第三微电子部件，耦合到第一微电子部件和第二微电子部件的第二表面。在一些实施例中，衬垫材料、无机填充材料和第三微电子部件的材料可以包括导热材料。部件的材料可以包括导热材料。部件的材料可以包括导热材料。

【技术实现步骤摘要】
具有直接接合的微电子组件中的部件间材料

技术介绍

[0001]集成电路(IC)封装通常包括引线接合或焊接到中介层的管芯、管芯与中介层之间的底部填充材料、以及设置在管芯周围的模制材料。模制材料通常对温度敏感，这限制了在半导体组装期间可以使用的制造工艺的类型。在使用中，模制材料可通过限制热量从IC封装中的热点传递出去而不利地影响处理器性能。
附图说明
[0002]根据结合附图的以下具体描述，将容易理解实施例。为了便于该描述，类似的附图标记表示类似的结构元件。在附图的各图中，通过示例而非限制的方式示出了各实施例。
[0003]图1是根据各种实施例的包括直接接合和部件间材料的示例微电子组件的侧视截面图。
[0004]图2是根据各种实施例的图1的微电子组件的一部分的侧视截面分解图。
[0005]图3A
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3G是根据各种实施例的图1和2的微电子组件的一部分的制造中的示例阶段的侧视截面图。
[0006]图4A
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4D是根据各种实施例的示出了示例接合界面的图3G的虚线部分的侧视截面放大图。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微电子组件，包括：中介层，具有第一表面和相对的第二表面；第一微电子部件，通过第一直接接合区域耦合到所述中介层的所述第二表面；第二微电子部件，通过第二直接接合区域耦合到所述中介层的所述第二表面；衬垫材料，在所述中介层的所述第二表面上并在所述第一微电子部件和所述第二微电子部件周围；以及无机电介质材料，在所述衬垫材料上且在所述第一微电子部件与所述第二微电子部件之间。2.根据权利要求1所述的微电子组件，其中，所述无机电介质材料包括硅和氧、或硅和氮、或其组合。3.根据权利要求1或2所述的微电子组件，其中，所述无机电介质材料的厚度在10微米与250微米之间。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的微电子组件，其中，所述衬垫材料包括硅和碳和氮、硅和氮、硅和氧和氮、或硅和碳。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的微电子组件，其中，所述衬垫材料的厚度在10纳米与2000纳米之间。6.根据权利要求1
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5中任一项所述的微电子组件，其中，所述第一微电子部件和所述第二微电子部件的厚度小于或等于40微米。7.根据权利要求1
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6中任一项所述的微电子组件，其中，所述第一微电子部件和所述第二微电子部件包括耦合到所述中介层的第一表面和相对的第二表面，并且所述微电子组件进一步包括：耦合到所述第一微电子部件和所述第二微电子部件的所述第二表面的第三微电子部件。8.根据权利要求7所述的微电子组件，其中，所述无机电介质材料是第一无机电介质材料，并且所述微电子组件进一步包括：在所述第一无机电介质材料上以及在所述第一微电子部件和所述第二微电子部件的所述第二表面上的第二无机电介质材料，其中，所述第三微电子部件通过熔融接合区域耦合到所述第二无机电介质材料。9.根据权利要求7所述的微电子组件，其中，所述第一微电子部件和所述第二微电子部件是单面管芯，其中，所述第三微电子部件是无源管芯，并且其中，所述第三微电子部件通过熔融接合区域耦合到所述第一微电子部件和所述第二微电子部件的所述第二表面。10.根据权利要求9所述的微电子组件，其中，所述第三微电子部件进一步包括散热结构。11.一种微电子组件，包括：中介层，具有第一面和相对的第二面；第一微电子部件，具有第一表面和相对的第二表面，所述第一微电子部件在所述第一表面处通过第一直接接合区域耦合到所述中介层的所述第二面；第二微电子部件，具有第一表面和相对的第二表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：