显示装置制造方法及图纸

提供了显示装置。根据实施方式的显示装置包括布置在衬底上的遮光层、布置在遮光层上并且接触遮光层的供氧层、布置在供氧层上的半导体层以及与半导体层电连接的发光二极管。半导体层包括氧化物半导体，并且供氧层包括包含有铟、锌、镓和锡中的至少一种的金属氧化物。镓和锡中的至少一种的金属氧化物。镓和锡中的至少一种的金属氧化物。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]本申请要求于2020年12月1日提交到韩国知识产权局(KIPO)的第10
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2020
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0165906号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。


[0002]本公开涉及显示装置和制造显示装置的方法，并且其更特别地涉及包括供氧层的显示装置和制造该显示装置的方法。

技术介绍

[0003]包括薄膜晶体管的显示装置已可商购。薄膜晶体管包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极。依据电极排列结构，薄膜晶体管可具有半导体层布置在栅电极上的结构或栅电极布置在半导体层上的结构。
[0004]如果栅电极布置在半导体层上，则半导体层直接暴露于从衬底的下部入射的光。因此，在半导体层中可能出现漏光电流，并且可能出现诸如串扰的技术问题。为了防止这个，在半导体层的下部中可设置有阻光层。
[0005]最近，氧化物半导体已被使用。在氧化物半导体内部存在有氧缺陷，并且这些氧缺陷充当了载流子，以使得氧化物半导体能与导体类似地而不是与半导体类似地工作。/>[0006]在本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：遮光层，所述遮光层布置在衬底上；供氧层，所述供氧层布置在所述遮光层上并且接触所述遮光层；半导体层，所述半导体层布置在所述供氧层上；以及发光二极管，所述发光二极管与所述半导体层电连接，其中，所述半导体层包括氧化物半导体，并且所述供氧层包括包含有铟、锌、镓和锡中的至少一种的金属氧化物。2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述供氧层的厚度在所述半导体层的厚度的30％至50％的范围内。3.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述供氧层和所述半导体层包括相同的材料。4.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述供氧层和所述遮光层具有相同的平面形状。5.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述供氧层的平面形状不同于所述遮光层的平面形状。6.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述遮光层的至少一部分在与所述衬底的表面垂直的方向上不与所述供氧层重叠。7.如权利要求1所述的显示装置，还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：金亨俊，具素英，金亿洙，南润龙，林俊亨，全景辰，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：