具有直接接合的微电子组件中的部件间材料制造技术

本文公开的是包括通过直接接合耦合在一起的微电子部件的微电子组件以及相关结构和技术。在一些实施例中，微电子组件可以包括：插入体；第一微电子部件，具有第一表面和相对的第二表面，第一表面通过第一直接接合区域耦合到插入体；第二微电子部件，具有第一表面和相对的第二表面，第一表面通过第二直接接合区域耦合到插入体；在插入体的表面上并且在第一和第二微电子部件周围的衬垫材料；在衬垫材料上并且在第一与第二微电子部件之间的无机填充材料；以及耦合到第一和第二微电子部件的第二表面的第三微电子部件。在一些实施例中，衬垫材料、无机填充材料和第三微电子部件的材料可以包括导热材料。以包括导热材料。以包括导热材料。

【技术实现步骤摘要】
具有直接接合的微电子组件中的部件间材料

技术介绍

[0001]集成电路(IC)封装典型地包括引线接合或焊接到插入体的管芯、管芯与插入体之间的底部填充材料以及围绕管芯设置的模制材料。模制材料通常对温度敏感，这限制了半导体组装期间可以使用的制造工艺的类型。在使用中，模制材料会通过限制从IC封装中的热点传出的热量，而对处理器性能产生负面影响。
附图说明
[0002]通过以下结合附图的详细描述将容易理解实施例。为了便于描述，相似的参考数字表示相似的结构元件。在附图的图中通过示例而非限制的方式示出了实施例。
[0003]图1是根据各种实施例的包括直接接合(bonding)和部件间材料的示例微电子组件的侧截面图。
[0004]图2是根据各种实施例的图1的微电子组件的部分的侧截面分解图。
[0005]图3A
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3G是根据各种实施例的图1和2的微电子组件的部分的制造中的示例阶段的侧截面图。
[0006]图4A
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4D是根据各种实施例的示出示例接合界面的图3的虚线部分的侧截面放大图。<br/>[0007]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微电子组件，包括：具有第一表面和相对的第二表面的插入体；通过第一直接接合区域耦合到所述插入体的所述第二表面的第一微电子部件；通过第二直接接合区域耦合到所述插入体的所述第二表面的第二微电子部件；在所述插入体的所述第二表面上并且在所述第一微电子部件和所述第二微电子部件周围的衬垫材料；以及在所述衬垫材料上并且在所述第一微电子部件与所述第二微电子部件之间的导热填充材料。2.如权利要求1所述的微电子组件，其中，所述导热填充材料包括陶瓷、铜、铝、银、金刚石、石墨烯、硅和碳、硼和氮、或铝和氮、以及它们的组合。3.如权利要求1所述的微电子组件，其中，所述导热填充材料的厚度在10微米与250微米之间。4.如权利要求1所述的微电子组件，其中，所述衬垫材料包括钛、钽、钒、镍、钌、钴、铱、钛和氮、钽和氮、钒和镍、铱和氧、硅和碳和氮、硅和氮、硅和碳、或钛和氧、以及它们的组合。5.如权利要求1所述的微电子组件，其中，所述衬垫材料的厚度在10纳米与2000纳米之间。6.如权利要求1所述的微电子组件，其中，所述第一微电子部件和所述第二微电子部件的厚度小于或等于40微米。7.如权利要求1
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6中的任一项所述的微电子组件，其中，所述第一微电子部件和所述第二微电子部件包括耦合到所述插入体的第一表面和相对的第二表面，并且还包括：接合到所述第一微电子部件和所述第二微电子部件的所述第二表面的导热块状材料。8.如权利要求7所述的微电子组件，其中，所述导热块状材料的厚度在10微米与650微米之间。9.如权利要求7所述的微电子组件，其中，所述导热块状材料包括铜、铝、银、硅、硅和碳、或金刚石、以及它们的组合。10.如权利要求7所述的微电子组件，还包括：耦合到所述插入体的所述第一表面的封装衬底；以及在所述封装衬底与所述导热块状材料之间延伸的底部填充材料。11.一种微电子组件，包括：具有第一面和相对的第二面的插入体；第一微电子部件，所述第一微电子部件具有第一表面和相对的第二表面，所述第一微电子部件在所述第一表面处通过第一直接接合区域耦合到所述插入体的所述第二面；第二微电子部件，所述第二微电子部件具有第一表面和相对的第二表面，所述第二微电子部件在所述第一表面处通过第二直接接合区域耦合到...

【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：