单晶体声波谐振器、滤波器及电子设备制造技术

本发明专利技术涉及体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；顶电极；和单晶压电层，设置在底电极与顶电极之间，其中：压电层的下表面与基底的上表面之间设置有支撑结构，压电层与基底大体平行布置；顶电极和底电极的非电极连接端均具有锐角结构，所述锐角结构包括与压电层的对应表面平行的平行面、以及从所述平行面远离压电层倾斜延伸且与所述平行面成锐角的斜面。本发明专利技术还涉及一种滤波器以及一种电子设备。发明专利技术还涉及一种滤波器以及一种电子设备。发明专利技术还涉及一种滤波器以及一种电子设备。

【技术实现步骤摘要】
单晶体声波谐振器、滤波器及电子设备


[0001]本专利技术的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种单晶体声波谐振器，一种具有该谐振器的滤波器，以及一种电子设备。

技术介绍

[0002]电子器件作为电子设备的基本元素，已经被广泛应用，其应用范围包括移动电话、汽车、家电设备等。此外，未来即将改变世界的人工智能、物联网、5G通讯等技术仍然需要依靠电子器件作为基础。
[0003]薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，简称FBAR，又称为体声波谐振器，也称BAW)作为压电器件的重要成员正在通信领域发挥着重要作用，特别是FBAR滤波器在射频滤波器领域市场占有份额越来越大，FBAR具有尺寸小、谐振频率高、品质因数高、功率容量大、滚降效应好等优良特性，其滤波器正在逐步取代传统的声表面波(SAW)滤波器和陶瓷滤波器，在无线通信射频领域发挥巨大作用，其高灵敏度的优势也能应用到生物、物理、医学等传感领域。
[0004]薄膜体声波谐振器的结构主体为由底电极
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压电薄膜或压电层/>‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；顶电极；和单晶压电层，设置在底电极与顶电极之间，其中：压电层的下表面与基底的上表面之间设置有支撑结构，压电层与基底大体平行布置；顶电极和底电极的非电极连接端均具有锐角结构，所述锐角结构包括与压电层的对应表面平行的平行面、以及从所述平行面远离压电层倾斜延伸且与所述平行面成锐角的斜面。2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：底电极的非电极连接端埋设在支撑层中，埋设在支撑层中的底电极在平行于谐振器的厚度方向的上下方向上分别与压电层与支撑层面接触。3.根据权利要求1所述的谐振器，其中：底电极的非电极连接端在水平方向上与所述支撑层间隔开。4.根据权利要求1所述的谐振器，其中：所述锐角小于85度。5.根据权利要求4所述的谐振器，其中：所述锐角小于30度。6.根据权利要求1所述的谐振器，其中：顶电极和底电极的非电极连接端均具有锐角结构的锐角的角度相同。7.根据权利要求1所述的谐振器，其中：所述压电层的材料为单晶氮化铝、单晶氮化镓、单晶铌酸锂、单晶铌酸钾、单晶石英薄膜、或者单晶钽酸锂；和/或所述支撑结构的材料选自氮化铝、氮化硅、碳化硅、多晶硅、单晶硅、二氧化硅、无定形硅、掺杂二氧化硅中的一种，或者所述支撑结构的材料的导热系数不小于0.2W/cm
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K。8.根据权利要求1所述的谐振器，其中：顶电极和/或底电极为平直电极；或顶电极和底电极中的一个为平直电极，顶电极和底电极中的另一个的非电极连接端设置有桥结构，所述桥结构的外侧部分设置有所述锐角结构，或者顶电极和底电极中的另一个的电极连接端设置有桥结构；顶电极和底电极中的一个为平直电极，顶电极和底电极中的另一个的非电极连接端设置有悬翼结构，所述悬翼结构的外侧部分设置有所述锐角结构；顶电极和底电极的非电极连接端设置有桥结构，所述桥结构的外侧部分设置有所述锐角结构；或顶电极和底电极的非电极连接端设置有悬翼结构，所述悬翼结构的外侧部分设置有所述锐角结构；或顶电极和底电极中的一个的非电极连接端设置有悬翼结构，所述悬翼结构的外侧部分
设置有所述锐角结构，且顶电极和底电极中的另一个的非电极连接端设置有桥结构，所述桥结构的外...

【专利技术属性】
技术研发人员：张孟伦，庞慰，杨清瑞，牛鹏飞，
申请(专利权)人：诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：