弹性波装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种即使在频率调整膜的膜厚发生了变化的情况下也不易产生SH波杂散的大小的变动的弹性波装置。弹性波装置(1)在LiNbO3基板(2)上设置有IDT电极(3)、电介质膜(6)以及频率调整膜(7)。LiNbO3基板(2)的欧拉角为(0

【技术实现步骤摘要】
弹性波装置
[0001]本申请是申请日为2016年08月08日、申请号为201680059542.3、专利技术名称为“弹性波装置”的专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及在LiNbO3基板上层叠有IDT电极、电介质膜以及频率调整膜的弹性波装置。

技术介绍

[0003]在下述的专利文献1中公开了利用瑞利波的弹性波装置。在该弹性波装置中，在LiNbO3基板上层叠有SiO2膜，使得覆盖IDT电极。进而，在SiO2膜上设置有频率调整用的SiN膜。通过调整SiN膜的厚度，从而可谋求弹性波装置的频率的调整。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2012
‑
186808号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的课题
[0008]在专利文献1记载的弹性波装置中，若SiN膜的膜厚变动，则成为杂散(Spurious)的SH波的响应会变化。因此，在为了进行频率调整而SiN膜的膜厚发生了变化的情况下，有时被抑制的SH波杂散会产生得较大。
[0009]本专利技术的目的在于，提供一种即使频率调整膜的膜厚变化也不易产生SH波杂散的大小的变动的弹性波装置。
[0010]用于解决课题的技术方案
[0011]本专利技术涉及的弹性波装置具备：LiNbO3基板；IDT电极，设置在所述LiNbO3基板；电介质膜，设置在所述LiNbO3基板上，使得覆盖所述IDT电极；以及频率调整膜，设置在所述电介质膜上，所述LiNbO3基板的欧拉角为(0
°±5°
的范围内，θ
±
1.5
°
的范围内，0
°±
10
°
的范围内)，所述IDT电极具有主电极，在将通过由所述IDT电极的电极指间距决定的波长λ进行标准化而成的所述主电极的膜厚设为T并将所述主电极的材料与Pt的密度比设为r时，所述主电极的膜厚T和所述欧拉角的θ满足下述的式(1)。
[0012]式(1)：θ＝
‑
0.05
°
/(T/r
‑
0.04)+31.35
°
[0013]在本专利技术涉及的弹性波装置的某个特定的方面中，所述θ处于25
°
以上且31
°
以下的范围内。在该情况下，即使是频率调整膜的膜厚薄的情况，也能够更加有效地抑制SH波杂散的变动。
[0014]在本专利技术涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，所述主电极为从包含Pt、Au、W、Ta、Mo以及Cu的组之中选择出的一种金属或将该金属作为主体的合金。
[0015]在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述频率调整膜的膜厚大于
0且为0.025λ以下。在该情况下，能够使用频率调整灵敏度高的区域。因此，能够降低频率调整工序的成本。
[0016]在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述频率调整膜的膜厚为0.005λ以下。
[0017]在本专利技术涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，所述电介质膜包含SiO2等氧化硅。在该情况下，能够减小频率温度系数TCF的绝对值。
[0018]在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述频率调整膜包含SiN等氮化硅。
[0019]在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述IDT电极具有所述主电极和包含所述主电极以外的金属的其他电极层。
[0020]在本专利技术涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，是具有所述IDT电极的带通型滤波器。
[0021]在本专利技术涉及的弹性波装置的又一个特定的方面中，所述IDT电极的合计膜厚为0.25λ以下。
[0022]在本专利技术涉及的弹性波装置的另一个特定的方面中，所述氧化硅的厚度比所述IDT电极厚。
[0023]专利技术效果
[0024]在本专利技术涉及的弹性波装置中，即使是频率调整膜的膜厚发生了变化的情况，也不易产生由SH波造成的杂散的大小的变动。
附图说明
[0025]图1(a)以及图1(b)是本专利技术的一个实施方式涉及的弹性波装置的俯视图以及将主要部分放大示出的局部放大正面剖视图。
[0026]图2是将本专利技术的一个实施方式的变形例涉及的弹性波装置中的IDT电极的电极指放大示出的剖视图。
[0027]图3是示出LiNbO3基板的欧拉角的θ为25
°
且IDT电极中的Pt膜的膜厚为0.0475λ的弹性波谐振器中的S参数的频率特性的图。
[0028]图4是示出LiNbO3基板的欧拉角的θ为25
°
且IDT电极中的Pt膜的膜厚为0.0475λ的弹性波谐振器中的阻抗特性的图。
[0029]图5是示出LiNbO3基板的欧拉角的θ为25
°
且IDT电极中的Pt膜的膜厚为0.0475λ的弹性波装置中的、作为频率调整膜的SiN膜的膜厚与SH波的相对频带的关系的图。
[0030]图6是示出LiNbO3基板的欧拉角的θ为28
°
且IDT电极中的Pt膜的膜厚为0.055λ的弹性波装置中的、作为频率调整膜的SiN膜的膜厚与SH波的相对频带的关系的图。
[0031]图7是将图6的纵轴的相对频带的比例尺放大示出的图。
[0032]图8是示出LiNbO3基板的欧拉角的θ为30
°
且IDT电极中的Pt膜的膜厚为0.0775λ的弹性波装置中的、作为频率调整膜的SiN膜的膜厚与SH波的相对频带的关系的图。
[0033]图9是将图8的纵轴的比例尺放大示出的图。
[0034]图10是示出LiNbO3基板的欧拉角的θ为38
°
且IDT电极中的Pt膜的膜厚为0.02λ的弹性波装置中的、作为频率调整膜的SiN膜的膜厚与SH波的相对频带的关系的图。
[0035]图11是示出SiN膜的膜厚与瑞利波的声速的关系的图。
[0036]图12是示出SH波的相对频带成为极小的θ与Pt膜的膜厚的关系的图。
[0037]附图标记说明
[0038]1：弹性波装置；
[0039]2：LiNbO3基板；
[0040]3：IDT电极；
[0041]3a：电极指；
[0042]4、5：反射器；
[0043]6：电介质膜；
[0044]7：频率调整膜；
[0045]11：NiCr膜；
[0046]12：Pt膜；
[0047]13：Ti膜；
[0048]14：AlCu合金膜。
具体实施方式
[0049]以下，边参照附图边对本专利技术的具体的实施方式进行说明，从而使本专利技术变得明确。
[0050]另外，需要预先指出的是，本说明书记载的各实施方式是例示性的，能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。
[0051]图1(a)以及图1(b)是本发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种弹性波装置，具备：LiNbO3基板；IDT电极，设置在所述LiNbO3基板；电介质膜，设置在所述LiNbO3基板上，使得覆盖所述IDT电极；以及频率调整膜，设置在所述电介质膜上，所述LiNbO3基板的欧拉角为(0
°±5°
的范围内，θ
±
1.5
°
的范围内，0
°±
10
°
的范围内)，所述IDT电极具有主电极，在将通过由所述IDT电极的电极指间距决定的波长λ进行标准化而成的所述主电极的膜厚设为T并将所述主电极的材料与Pt的密度比设为r时，所述主电极为Cu或将该Cu作为主体的合金，所述主电极的膜厚T和所述欧拉角的θ满足下述的式(1)，式(1)：θ＝
‑
0.05
°
/(T/r
‑
0.04)+31.35
°
...

【专利技术属性】
技术研发人员：三村昌和，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：