空穴传输组合物、电致发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种空穴传输组合物、电致发光二极管及其制备方法。本发明专利技术空穴传输组合物包括空穴传输材料和与所述空穴传输材料混合的IIIA族二维烯材料。本发明专利技术电致发光二极管包括空穴传输层，所述空穴传输层中掺杂有IIIA族二维烯材料。本发明专利技术空穴传输组合物通过将IIIA族二维烯材料与空穴传输材料进行混合，使得IIIA族二维烯材料分散在空穴传输材料中，这样有效提高了空穴传输材料对的空穴迁移率和增加了空穴传输材料的空穴位点，从而赋予所述空穴传输组合物高的空穴传输性能。由于本发明专利技术电致发光二极管所含空穴传输层的材料含有本发明专利技术空穴传输组合物，因此，本发明专利技术电致发光二极管高的发光效率和EQE及亮度。管高的发光效率和EQE及亮度。管高的发光效率和EQE及亮度。

【技术实现步骤摘要】
空穴传输组合物、电致发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术属于光电
，尤其涉及一种空穴传输组合物、电致发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]电致发光二极管如量子点电致发光二极管(QLED)由于其拥有高发光效率、高色纯度、窄发光光谱、发射波长可调等优点而成为新一代优秀显示技术，而目前限制电致发光二极管如QLED大规模商业应用的主要问题之一在于其器件寿命较低以及稳定性较差，其中最主要的问题在于器件结构中的空穴注入层、空穴传输层效率太低，无法与电子传输效率平衡，从而导致电致发光二极管的发光效率低。其中，如具备合适禁带宽度的P型金属氧化物可以用于制备QLED的空穴传输层，金属氧化物空穴传输层具有稳定性好、能级可调等优点，但同时存在着空穴迁移率较低、空穴密度低等缺点，从而导致电致发光二极管如QLED发光效率较低。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一个目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种空穴传输组合物，以解决现有空穴传输材料对空穴传输效率低的技术问题。
[0004]本专利技术的另一个目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种电致发光二极管及其制备方法，以解决现有空穴传输材料对空穴传输效率低而导致电致发光二极管发光效率较低的技术问题。
[0005]为了实现上述专利技术目的，本专利技术的一方面，提供了一种空穴传输组合物。所述空穴传输组合物包括颗粒空穴传输材料和与所述颗粒空穴传输材料混合的IIIA族二维烯材料。
[0006]本专利技术的另一方面，提供了一种电致发光二极管。所述电致发光二极管包括包括颗粒空穴传输材料和掺杂于所述颗粒空穴传输材料中的IIIA族二维烯材料。
[0007]本专利技术的再一方面，提供了一种电致发光二极管的制备方法。所述电致发光二极管的制备方法包括如下步骤：
[0008]将IIIA族二维烯材料与颗粒空穴传输材料配制成混合物溶液；
[0009]将所述混合物溶液按照空穴传输层的形成方法在相应膜层表面上形成空穴传输层。
[0010]与现有技术相比，本专利技术具有以下的技术效果：
[0011]本专利技术空穴传输组合物通过将IIIA族二维烯材料与颗粒空穴传输材料进行混合，使得IIIA族二维烯材料分散在颗粒空穴传输材料中，这样有效提高了颗粒空穴传输材料对的空穴迁移率和增加了颗粒空穴传输材料的空穴位点，从而赋予所述空穴传输组合物高的空穴传输性能。
[0012]本专利技术电致发光二极管所含的空穴传输层由于掺杂有IIIA族二维烯材料，因此，IIIA族二维烯材料分布在空穴传输层中，其与空穴传输层所含的颗粒空穴传输材料之间起
到增效作用，从而有效提高了颗粒空穴传输材料对的空穴迁移率和增加了颗粒空穴传输材料的空穴位点，这样空穴传输层能够提高空穴传输效率和密度，从而使得发光层中空穴和电子传输效率保持平衡，从而赋予所述电致发光二极管高的发光效率和EQE及亮度。
[0013]本专利技术电致发光二极管的制备方法直接将IIIA族二维烯材料与颗粒空穴传输材料直接配制成混合物溶液形成空穴传输层，从而制备含有IIIA族二维烯材料掺杂的空穴传输层的电致发光二极管。因此，制备获得的电致发光二极管不仅发光效率和EQE及亮度高，而且本专利技术电致发光二极管的制备方法没有额外增加工序，其制备方法条件易控，制得的电致发光二极管性能稳定，同时效率高，成本低。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1是本专利技术实施例提供的一种正型构型的电致发光二极管结构示意图；
[0016]图2是本专利技术实施例提供的一种反型构型的电致发光二极管结构示意图。
具体实施方式
[0017]为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术，基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0018]本申请中，术语“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况。其中A，B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0019]本申请中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，“a,b,或c中的至少一项(个)”，或，“a,b,和c中的至少一项(个)”，均可以表示：a,b,c,a
‑
b(即a和b),a
‑
c,b
‑
c,或a
‑
b
‑
c，其中a,b,c分别可以是单个，也可以是多个。
[0020]应理解，在本申请的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，部分或全部步骤可以并行执行或先后执行，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本申请实施例的实施过程构成任何限定。
[0021]在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
[0022]本申请实施例说明书中所提到的相关成分的重量不仅仅可以指代各组分的具体含量，也可以表示各组分间重量的比例关系，因此，只要是按照本申请实施例说明书相关组分的含量按比例放大或缩小均在本申请实施例说明书公开的范围之内。具体地，本申请实施例说明书中的质量可以是μg、mg、g、kg等化工领域公知的质量单位。
[0023]一方面，本专利技术实施例提供了一种空穴传输组合物。本专利技术实施例空穴传输组合物包括颗粒空穴传输材料(下文统一将“颗粒空穴传输材料”简称为空穴传输材料)和与空穴传输材料混合的IIIA族二维烯材料。其中，IIIA族二维烯材料是指化学元素周期表中IIIA族元素的二维烯材料，专利技术人研究发现，空穴传输材料由于颗粒间隔而导致载流子只能通过跳跃迁移，因此颗粒材料表面接触制约载流子迁移率。因此，该IIIA族二维烯材料除了具备二维烯材料固有的高电荷传输性能以外，还因为其表面的三电子结构(IIIA族元素外层3电子，缺电子的结构)而形成的多空穴空位结构，比起普通的其他二维烯材料(如石墨烯等)具有更高的空穴迁移性能，而且还具有二维网格结构，电荷可以在该平面结构上快速迁移。这样，在空穴传输组合物中，IIIA族二维烯材料与空穴传输材料进行混合，使得IIIA族二维烯材料分散在空穴传输材料中，从而使得III本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电致发光二极管，包括空穴传输层，其特征在于：所述空穴传输层包括颗粒空穴传输材料和掺杂于所述颗粒空穴传输材料中的IIIA族二维烯材料。2.如权利要求1所述的电致发光二极管，其特征在于：在所述空穴传输层中，所述IIIA族二维烯材料与所述颗粒空穴传输材料的质量比为1：19～1：9。3.如权利要求1或2所述的电致发光二极管，其特征在于：所述IIIA族二维烯材料为氢气改性的IIIA族二维烯材料；和/或所述IIIA族二维烯材料为片径是0.5～5nm的层状或片状纳米晶体；和/或所述颗粒空穴传输材料为金属氧化物。4.如权利要求3所述的电致发光二极管，其特征在于：所述IIIA族二维烯材料包括硼烯、镓烯中的至少一种；所述金属氧化物包括直接带隙半导体金属氧化物；所述金属氧化物的粒径为3～10nm。5.一种电致发光二极管的制备方法，包括如下步骤：将IIIA族二维烯材料与颗粒空穴传输材料配制成混合物溶液；...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴劲衡，吴龙佳，何斯纳，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：