空穴传输组合物、电致发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种空穴传输组合物、电致发光二极管及其制备方法。本发明专利技术空穴传输组合物包括空穴传输材料和与所述空穴传输材料混合的IIIA族二维烯材料。本发明专利技术电致发光二极管包括空穴传输层，所述空穴传输层中掺杂有IIIA族二维烯材料。本发明专利技术空穴传输组合物通过将IIIA族二维烯材料与空穴传输材料进行混合，使得IIIA族二维烯材料分散在空穴传输材料中，这样有效提高了空穴传输材料对的空穴迁移率和增加了空穴传输材料的空穴位点，从而赋予所述空穴传输组合物高的空穴传输性能。由于本发明专利技术电致发光二极管所含空穴传输层的材料含有本发明专利技术空穴传输组合物，因此，本发明专利技术电致发光二极管高的发光效率和EQE及亮度。管高的发光效率和EQE及亮度。管高的发光效率和EQE及亮度。

【技术实现步骤摘要】
空穴传输组合物、电致发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术属于光电
，尤其涉及一种空穴传输组合物、电致发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]电致发光二极管如量子点电致发光二极管(QLED)由于其拥有高发光效率、高色纯度、窄发光光谱、发射波长可调等优点而成为新一代优秀显示技术，而目前限制电致发光二极管如QLED大规模商业应用的主要问题之一在于其器件寿命较低以及稳定性较差，其中最主要的问题在于器件结构中的空穴注入层、空穴传输层效率太低，无法与电子传输效率平衡，从而导致电致发光二极管的发光效率低。其中，如具备合适禁带宽度的P型金属氧化物可以用于制备QLED的空穴传输层，金属氧化物空穴传输层具有稳定性好、能级可调等优点，但同时存在着空穴迁移率较低、空穴密度低等缺点，从而导致电致发光二极管如QLED发光效率较低。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一个目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种空穴传输组合物，以解决现有空穴传输材料对空穴传输效率低的技术问题。
[0004]本专利技术的另一个目的在于克服现有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电致发光二极管，包括空穴传输层，其特征在于：所述空穴传输层包括颗粒空穴传输材料和掺杂于所述颗粒空穴传输材料中的IIIA族二维烯材料。2.如权利要求1所述的电致发光二极管，其特征在于：在所述空穴传输层中，所述IIIA族二维烯材料与所述颗粒空穴传输材料的质量比为1：19～1：9。3.如权利要求1或2所述的电致发光二极管，其特征在于：所述IIIA族二维烯材料为氢气改性的IIIA族二维烯材料；和/或所述IIIA族二维烯材料为片径是0.5～5nm的层状或片状纳米晶体；和/或所述颗粒空穴传输材料为金属氧化物。4.如权利要求3所述的电致发光二极管，其特征在于：所述IIIA族二维烯材料包括硼烯、镓烯中的至少一种；所述金属氧化物包括直接带隙半导体金属氧化物；所述金属氧化物的粒径为3～10nm。5.一种电致发光二极管的制备方法，包括如下步骤：将IIIA族二维烯材料与颗粒空穴传输材料配制成混合物溶液；...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴劲衡，吴龙佳，何斯纳，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：