显示器件制造技术

本发明专利技术公开了一种显示器件，包括若干个像素点结构，每个像素点结构包括一个红绿色子像素点单元和一个蓝色子像素点单元；红绿色子像素点单元包括依次层叠设置的包括依次层叠设置的第一电极、第一量子点发光层、第二电极、第二量子点发光层和第三电极，第二电极连接有TFT薄膜晶体管，第一电极、第一量子点发光层和第二电极形成正置型发光器件和倒置型发光器件中的一者，第二电极、第二量子点发光层和第三电极形成正置型发光器件和倒置型发光器件中的同一者。本发明专利技术将红光子像素单元和绿光子像素单元整合至一个像素单元中，从而减少了单个像素点结构中子像素点单元的个数，减小了单个像素点结构的面积，进而提高了打印显示器件的分辨率。的分辨率。的分辨率。

【技术实现步骤摘要】
显示器件


[0001]本专利技术涉及发光器件领域，尤其涉及显示器件。

技术介绍

[0002]量子点(QD)，又称半导体纳米晶体，是一种新型的半导体纳米材料。由于其尺寸小于体材料的激子波尔半径，因此表现出强的量子限域效应，使它们具有独特的光致和电致发光性能。量子点具有量子产率高、稳定性好、高色纯度、发光颜色易调等优良的光学特性，而量子点电致发光显示技术，由于其波长可调、色彩饱和度高、材料稳定性高以及制备成本低廉等优点，成为了下一代显示技术的最佳候选者。
[0003]量子点发光二极管(QLED)就是使用量子点材料作为发光层的一种电致发光器件，其继承了量子点材料的优良光学特性，在显示以及照明领域具有重要的商业应用价值，已引起了广泛的关注。经过了将近二十几年的发展，量子点发光二极管的外量子效率已经由0.01％提升至超过20％，从器件效率方面，量子点发光二极管(QLED)已经相当接近有机发光二极管(OLED)。
[0004]目前QLED的器件结构与OLED相似，通过空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层等构成类似p
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示器件，其特征在于，包括若干个像素点结构，每个像素点结构包括一个红绿色子像素点单元和一个蓝色子像素点单元；所述红绿色子像素点单元包括依次层叠设置的第一电极、第一量子点发光层、第二电极、第二量子点发光层和第三电极，第一量子点发光层和第二量子点发光层能够单独发光或交替发光，第一量子点发光层和第二量子点发光层中的一者能够发出红光，另一者能够发出绿光，第二电极连接有TFT薄膜晶体管，第一电极、第一量子点发光层和第二电极形成正置型发光器件和倒置型发光器件中的一者，第二电极、第二量子点发光层和第三电极形成正置型发光器件和倒置型发光器件中的同一者。2.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，在红绿色子像素点单元的发光方向上，第一量子点发光层和第二量子点发光层中的位于发光方向上的下游侧的量子点发光层能够发出的光的波长比位于上游侧的量子点发光层能够发出的光的波长长。3.根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，第二电极连接负电压，第一电极和所述第三电极连接正电压并均与第二电极导通时，所述第一量子点发光层和第二量子点发光层中的一层发光；第二电极连接高电压，第一电极和第三电极连接低电压并均与第二电极导通时，所述第一量子点发光层和第二量子点发光层中的一层发光；第二电极连接交...

【专利技术属性】
技术研发人员：马兴远，徐威，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：