发光二极管及其制备方法技术

本申请涉及显示技术领域，提供了一种发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，以及层叠设置在阳极和阴极之间的空穴注入层、空穴传输层和发光层，其中，在空穴注入层和空穴传输层之间设置有第一铁电材料。本发明专利技术通过在空穴传输层与空穴注入层之间设置第一铁电材料，可以改善界面、大幅减小发光二极管的漏电流情况，从而提高发光二极管的工作寿命和稳定性。从而提高发光二极管的工作寿命和稳定性。从而提高发光二极管的工作寿命和稳定性。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术属于显示
，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管(Quantum Dots Light
‑
Emitting Diode，QLED)，是一种新兴的显示器件，其结构与有机发光显示器(Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED)相似，是以空穴传输层、发光层以及电子传输层组成的三明治结构。这是一项介于液晶和OLED之间的新型技术，其核心技术为“Quantum Dot(量子点)”。早在1983年，美国贝尔实验室的科学家就对其进行深入研究，数年后美国耶鲁大学的物理学家马克
·
里德正式将其命名为“量子点”。量子点是一种粒子直径不足10nm的颗粒，由锌、镉、硫、硒原子组成。这种物质有一个极其特别的性质：当量子点受到光电刺激时，就会发出有色的光线，颜色是由组成量子点的材料和它的大小、形状决定。因为它有这种特性，所以能够改变光源发出的光线的颜色。量子点的发光波长范围非常窄，颜色又比较的纯粹，还可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极，以及层叠设置在所述阳极和所述阴极之间的空穴注入层、空穴传输层和发光层，其特征在于，在所述空穴注入层和所述空穴传输层之间设置有第一铁电材料。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括设置在所述发光层背离所述空穴传输层的表面的电子传输层，以及设置在所述电子传输层背离所述发光层的表面的电子注入层，在所述电子传输层和所述电子注入层之间设置有第二铁电材料。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一铁电材料的介电常数小于等于3.3；和/或所述第二铁电材料的介电常数小于等于3.3；和/或所述第一铁电材料为Bi4‑
x
R
x
Ti3O
12
，其中，R为Pr、Nd、Ga或Dy，且1＜x＜4；和/或所述第二铁电材料为Bi4‑
x
R
x
Ti3O
12
，其中，R为Pr、Nd、Ga或Dy，且1＜x＜4。4.根据权利要求2或3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一铁电材料组成第一介质层，所述第一介质层设置在所述空穴注入层和所述空穴传输层之间；和/或所述第二铁电材料组成第二介质层，所述第二介质层设置在所述电子传输层和所述电子注入层之间。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一介质层的厚度为15nm
‑
30nm，所述第二介质层的厚度为15nm
‑
30nm。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光层的材料为量子点；和/或所述发光层的材料选自具备发光能力的直接带隙半导体化合物、掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体化合物、有机
‑
无机杂化钙钛矿型半导体化合物中的至少一种；和/或所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：敖资通，严怡然，张建新，杨帆，赖学森，洪佳婷，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：