发光器件及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种发光器件及其制备方法、显示装置。发光器件包括依次层叠的第一电极、第一发光单元、至少一层电荷产生层、第二发光单元、电子传输层和第二电极。电荷产生层的材料包括n型金属氧化物。本申请在两个发光单元之间设置了含有n型金属氧化物的电荷产生层并且没有设置空穴传输层，由于n型金属氧化物有利于空穴和电子的传输以及在两个发光单元中的复合，因此，本申请的发光器件在保证了发光亮度的条件下又简化了光电器件的结构，降低了其整体厚度。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示，尤其涉及一种发光器件及其制备方法、显示装置。

技术介绍

1、由于量子点具有发光波长随尺寸和成分连续可调、发光光谱窄、荧光效率高、稳定性好等独特的光学性质，因此，其在量子点发光二极管(quantum-dot light emittingdiode，qled)中得到了广泛的应用。qled器件结构主要包括阳极、空穴功能层、发光层、电子功能层及阴极。在电场的作用下，qled器件的阳极产生的空穴向发光层迁移，阴极产生的电子也向发光层迁移。当空穴和电子在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发量子点最终产生可见光。

2、为了进一步提高量子点发光二极管的屏幕亮度和产品寿命，可以通过在阳极和阴极之间增加发光层的层数来生产叠层器件。但是目前的叠层器件在叠加发光层时，需要将发光层以及与其相邻的空穴功能层和电子功能层一起叠加，这造成了叠层器件的最终结构复杂并且厚度较厚，难以满足器件厚度减薄化、器件结构简单化的需求。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请提供一种发光器件及其制备方法、显示装置，旨在一定程度上解决本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电荷产生层的材料由所述n型金属氧化物组成；和/或

3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，所述n型金属氧化物的导带底能级小于或等于-3.5eV；和/或

4.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，所述电荷产生层的材料选自Zn0.95Mg0.05O、Zn0.9Mg0.1O、Zn0.85Mg0.15O、Zn0.95Al0.05O、Zn0.9Al0.1O、Zn0.85Al0.15O、Zn0.95Sn0.05O、Zn0.9Sn0.1O、Zn0.85Sn0.1...

【技术特征摘要】

1.一种发光器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电荷产生层的材料由所述n型金属氧化物组成；和/或

3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，所述n型金属氧化物的导带底能级小于或等于-3.5ev；和/或

4.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，所述电荷产生层的材料选自zn0.95mg0.05o、zn0.9mg0.1o、zn0.85mg0.15o、zn0.95al0.05o、zn0.9al0.1o、zn0.85al0.15o、zn0.95sn0.05o、zn0.9sn0.1o、zn0.85sn0.15o和zn0.9mg0.5li0.5o中的一种或几种。

5.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，所述第一发光单元、所述第二发光单元分别独立地包括层叠设置的至少一层发光层。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第二发光单元包括第二发光层，所述第二发光层的材料包括第二量子点；和/或

7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述第二量子点的发光波长为615～625nm；和/或

8.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，所述第一发光单元包括第一发光层，所述第一发光层的材料包括有机发光材料、第一量子点或钙钛矿型半导体纳米颗粒；和/或

9.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述有机发光材料包括二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的tbpe荧光材料、发绿色光的ttpa荧光材料、发橙色光的tbrb荧光材料及发红色光的dbp荧光材料中的至少一种；和/或

10.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯文军，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：