底发射量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种底发射量子点发光二极管及其制备方法。底发射量子点发光二极管包括依次层叠设置的第一聚合物薄膜、无机化合物薄膜、基底、第二聚合物薄膜、第一电极、量子点发光层和第二电极；第一电极的折射率＞第二聚合物薄膜的折射率＞基底的折射率＞无机化合物薄膜的折射率＞第一聚合物薄膜的折射率＞空气的折射率。本发明专利技术通过在基底与第一电极之间引入一层折射率介于基底与第一电极之间的第二聚合物薄膜过渡，可以减少器件发出的光进行漫反射和反射，提高器件的出光率。另外，通过在基底与空气接触的外侧引入一层无机化合物薄膜和第一聚合物薄膜，可以将折射率降低至与空气折射率接近，进一步提高器件的出光率，且避免了出现炫屏的现象。免了出现炫屏的现象。免了出现炫屏的现象。

【技术实现步骤摘要】
底发射量子点发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及量子点发光二极管领域，尤其涉及底发射量子点发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]折射率对于光学器件结构设计等光学应用非常重要，聚合物材料以其独特的折射率特性和良好的光学透明度广泛地应用于太阳能电池和隐形装置的反射涂层上。基于聚合物材料具有优异的机械强度，重量轻，成本低和易加工的特点，未来具备了代替传统无机光学折射材料的潜力。
[0003]QLED(量子点发光二极管)底发射器件出光效率除了受器件内部材料和材料自身能级结构影响外，还与器件的输出耦合效率有关。典型的QLED底发射器件包括金属电极、多层薄膜材料、透明ITO电极及玻璃基底四个部分。由于器件内部材料折射率与空气的折射率差异很大，当光从高折射率材料向低折射率材料传播时，从器件内部发出的部分光因经全反射，而不能发射到空气中，导致器件存在出光率低的问题。因此现有技术中通过增加光学微腔结构来提高器件出光率。
[0004]因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

[0005]鉴于上述现有技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种底发射量子点发光二极管，其特征在于，包括依次层叠设置的第一聚合物薄膜、无机化合物薄膜、基底、第二聚合物薄膜、第一电极、量子点发光层和第二电极；其中，第一电极的折射率＞第二聚合物薄膜的折射率＞基底的折射率＞无机化合物薄膜的折射率＞第一聚合物薄膜的折射率＞空气的折射率。2.根据权利要求1所述的底发射量子点发光二极管，其特征在于，第一电极的折射率为1.90
‑
2.00，第二聚合物薄膜的折射率为1.60
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1.80，基底的折射率为1.50
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1.60，无机化合物薄膜的折射率为1.35
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1.45，第一聚合物薄膜的折射率为1.15
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1.30。3.根据权利要求1或2所述的底发射量子点发光二极管，其特征在于，第一聚合物薄膜的厚度为30
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50nm。4.根据权利要求1或2所述的底发射量子点发光二极管，其特征在于，第一聚合物为含金属的聚合物，含金属的聚合物选自聚丙烯酸锆、聚丙烯酸钇、聚丙烯酸铌、聚丙烯酸钼、聚丙烯酸钌、聚锆羧乙基丙烯酸酯、聚钇羧乙基丙烯酸酯、聚铌羧乙基丙烯酸酯、聚钼羧乙基丙烯酸酯、聚钌羧乙基丙烯酸酯、聚锆羧丙基丙烯酸酯、聚钇羧丙基丙烯酸酯、聚铌羧丙基丙烯酸酯、聚钼羧丙基丙烯酸酯和聚钌羧丙基丙烯...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓承雨，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：