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本发明公开一种底发射量子点发光二极管及其制备方法。底发射量子点发光二极管包括依次层叠设置的第一聚合物薄膜、无机化合物薄膜、基底、第二聚合物薄膜、第一电极、量子点发光层和第二电极;第一电极的折射率>第二聚合物薄膜的折射率>基底的折射率>无机化...该专利属于TCL科技集团股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过TCL科技集团股份有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种底发射量子点发光二极管及其制备方法。底发射量子点发光二极管包括依次层叠设置的第一聚合物薄膜、无机化合物薄膜、基底、第二聚合物薄膜、第一电极、量子点发光层和第二电极;第一电极的折射率>第二聚合物薄膜的折射率>基底的折射率>无机化...