复合材料及其制备方法、发光器件及其制备方法技术

本申请公开了一种复合材料及其制备方法、发光器件及其制备方法，复合材料包括结合在所述无机半导体粒子表面的第一配体，所述第一配体具有如下所述的结构式：R<subgt;1</subgt;‑L‑R<subgt;2</subgt;；其中，R<subgt;1</subgt;为与所述无机半导体粒子连接的配位基团；L为取代或未被取代的碳原子数为1～10的烷基或环烷基；R<subgt;2</subgt;包括可交联基团。本申请公开的复合材料在无机半导体粒子表面连接第一配体，如此，在使用本复合材料制成膜层时，复合材料之间相互交联，从而大大提升了膜层的抗溶剂性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体封装领域，尤其涉及一种复合材料及其制备方法、发光器件及其制备方法。

技术介绍

1、无机半导体材料是指具有半导体性能的无机材料。目前常用的无机材料，例如，硫化镉纳米粒子、硒化镉纳米粒子、氧化锌纳米粒子、氧化钼纳米粒子、氧化钨纳米粒子、硫化钼纳米粒子等，具有合适的能级、优异的载流子注入或传输、化学稳定性好、使用寿命长、透明度高、安全无毒、价格低廉等性能而被广泛应用于半导体器件中。

2、溶液法制作层叠设置的半导体器件是常见的加工方法之一，然而，现有的无机半导体材料制成的薄膜的抗溶剂性能欠佳，薄膜容易受到相邻膜层溶液的影响，发生界面互溶的问题，不仅影响器件性能，也使得膜层材料和溶剂种类的选择受到了很大的限制。

技术实现思路

1、鉴于此，本申请提供一种复合材料及其制备方法、发光器件及其制备方法，旨在一定程度上提高无机半导体材料的抗溶剂性能。

2、本申请实施例是这样实现的：

3、第一方面，本申请提供一种复合材料，包括：

4、结合在所述无机半导体粒子表面的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种复合材料，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述可交联基团含有至少一个双键。

3.根据权利要求2所述的复合材料，其特征在于，所述可交联基团含有多个双键，且所述多个双键互相共轭形成共轭体系。

4.根据权利要求2所述的复合材料，其特征在于，所述R2选自具有如下式(1)至(3)所示结构的基团中的任意一种；

5.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述R1选自氨基、巯基、羧基、硼酸基中的一种或多种的组合；和/或，

6.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述第一配体选自烯丙基胺、丁烯酸...

【技术特征摘要】

1.一种复合材料，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述可交联基团含有至少一个双键。

3.根据权利要求2所述的复合材料，其特征在于，所述可交联基团含有多个双键，且所述多个双键互相共轭形成共轭体系。

4.根据权利要求2所述的复合材料，其特征在于，所述r2选自具有如下式(1)至(3)所示结构的基团中的任意一种；

5.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述r1选自氨基、巯基、羧基、硼酸基中的一种或多种的组合；和/或，

6.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述第一配体选自烯丙基胺、丁烯酸、3-甲基-2-丁烯-1-硫醇、4-硼酸基苯并环丁烯、苯并环丁烯-1-羧酸、1-二环[4.2.0]辛-1,3,5-三烯-7-基甲胺、反式,反式-1,3-丁二烯-1,4-二羧酸、山梨酸中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料还包括：

8.根据权利要求7所述的复合材料，其特征在于，所述复合材料中，所述第一配体的重量占所述无机半导体粒子的重量的百分比为0.3～2％，所述第二配体的重量占所述无机半导体粒子的重量的百分比为10～20％。

9.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述无机半导体粒子包括量子点，所述量子点包括单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种，所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种，所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete、snpbs...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯文军，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：