半导体封装方法及半导体封装结构技术

本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。本申请中，半导体封装结构包括引线框、裸片、导电件、第一包封层、再布线层与引脚层。引线框包括承载部与第一引脚；第一引脚上包括开孔；裸片位于承载部上，裸片正面设置有第一焊盘，裸片背面面向承载部；导电件的第一导电部与第二导电部连接，第一导电部位于开孔中，第二导电部位于第一引脚靠近裸片的一侧；第一包封层包覆裸片、引线框及导电件的至少部分表面；再布线层设置于裸片的正面，与裸片的第一焊盘、导电部电性连接；引脚层位于引线框背离裸片的一侧。本申请实施例中，可以规避在塑封层上钻孔精度不足导致孔偏的风险。塑封层上钻孔精度不足导致孔偏的风险。塑封层上钻孔精度不足导致孔偏的风险。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装方法及半导体封装结构


[0001]本申请涉及半导体
，特别涉及一种半导体封装方法及半导体封装结构。

技术介绍

[0002]相关技术中，在使用引线框进行板级封装的工艺中，引线框的作用通常是帮助芯片实现正反面导通互连。在对芯片封装过程中，需要对塑封层进行钻孔，然后通过电镀工艺填孔连通引线框以及制作再布线层，芯片正面的信号通过孔以及引线框导入背面，实现双面互连的功能。但是，在塑封层上钻孔精度较低，孔易偏位。
[0003]然而，如何规避在塑封层上钻孔精度不足导致孔偏的风险是有待解决的一个技术问题。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种半导体封装方法及半导体封装结构，可以规避在塑封层上钻孔精度不足导致孔偏的风险。
[0005]本申请实施例提供了一种半导体封装结构，包括：
[0006]引线框，包括承载部与第一引脚，所述第一引脚位于所述承载部的侧部；所述第一引脚上包括开孔；
[0007]裸片，所述裸片位于所述承载部上，所述裸片包括正面与背面，所述裸片的正面设置有第一焊盘，所述裸片的背面面向所述承载部；
[0008]导电件，包括第一导电部与第二导电部，所述第一导电部与所述第二导电部连接，所述第一导电部位于所述开孔中，所述第二导电部位于所述第一引脚靠近所述裸片的一侧；
[0009]第一包封层，包覆所述裸片、所述引线框及所述导电件的至少部分表面；
[0010]再布线层，设置于所述裸片的正面，与所述裸片的第一焊盘、所述导电部电性连接；
>[0011]引脚层，位于所述引线框背离所述裸片的一侧。
[0012]在一个实施例中，所述开孔为盲孔，所述开孔的开口位于所述第一引脚面向所述再布线层的一侧。
[0013]在一个实施例中，所述开孔为通孔，所述第一导电部的长度与所述开孔的孔深相同。
[0014]在一个实施例中，所述开孔的孔深为20微米～200微米。
[0015]在一个实施例中，所述开孔的横截面为圆形或N边形，N为大于2的整数；
[0016]所述第一导电部的横截面的形状与所述开孔的横截面的形状相同。
[0017]在一个实施例中，所述导电件的材料为铜、金或铝。
[0018]在一个实施例中，所述半导体封装结构还包括第二包封层，所述第二包封层位于所述再布线层远离所述裸片的一侧，且包覆所述再布线层。
[0019]在一个实施例中，所述半导体封装结构，还包括粘结层，所述粘结层位于所述裸片的背面与所述承载部之间。
[0020]在一个实施例中，所述裸片的背面设置有一个第二焊盘，所述粘结层为导体。
[0021]本申请部分实施例还提供了一种半导体封装方法，用于制备上述的半导体封装结构，所述半导体封装方法，包括：
[0022]提供引线框，所述引线框包括承载部与第一引脚，所述第一引脚位于所述承载部的侧部；所述第一引脚上包括开孔；
[0023]将所述裸片固定在所述承载部上，所述裸片包括正面与背面，所述裸片的正面设置有第一焊盘，所述裸片的背面面向所述承载部；
[0024]将导电件插入所述开孔中，其中，所述导电件包括第一导电部与第二导电部，所述第一导电部与所述第二导电部连接，所述第一导电部位于所述开孔中，所述第二导电部位于所述第一引脚靠近所述裸片的一侧；
[0025]形成第一包封层，所述第一包封层包覆所述裸片、所述引线框及所述导电件的至少部分表面；
[0026]形成再布线层，所述再布线层设置于所述裸片的正面，与所述裸片的第一焊盘、所述导电部电性连接；
[0027]形成引脚层，所述引脚层位于所述引线框背离所述裸片的一侧。
[0028]在本申请实施例中，由于引线框的第一引脚上包括开孔，通过将导电件的第一导电部插入开孔中，并使导电件的第二导电部位于第一引脚靠近裸片的一侧，又由于再布线层位于裸片的正面并与裸片的第一焊盘连接，再布线层还位于第二导电部上，引脚层位于引线框背离裸片的一侧，因此，裸片正面的焊盘经再布线层、导电件、引线框的第一引脚与位于裸片背面的引脚层电连接。由于开孔在第一引脚上，因此，可以直接在第一引脚上打孔得到开孔，容易定位打孔的位置，这样，可以规避在塑封层上钻孔精度不足导致孔偏的风险，还可以缩减在塑封层上钻孔的步骤，简化流程，降低成本。
附图说明
[0029]图1是根据本申请一实施例示出的半导体封装结构的结构示意图。
[0030]图2是根据本申请一实施例示出的引线框的俯视示意图。
[0031]图3是根据本申请一实施例示出的半导体封装方法的流程示意图。
[0032]图4是根据本申请一实施例示出的在制备半导体封装结构的过程中产生的一种中间结构的结构示意图。
[0033]图5是根据本申请一实施例示出的在制备半导体封装结构的过程中产生的另一种中间结构的结构示意图。
[0034]图6是根据本申请一实施例示出的在制备半导体封装结构的过程中产生的另一种中间结构的结构示意图。
[0035]图7是根据本申请一实施例示出的在制备半导体封装结构的过程中产生的另一种中间结构的结构示意图。
[0036]图8是根据本申请一实施例示出的在制备半导体封装结构的过程中产生的另一种中间结构的结构示意图。
[0037]图9是根据本申请一实施例示出的在制备半导体封装结构的过程中产生的另一种中间结构的结构示意图。
[0038]图10是根据本申请一实施例示出的在制备半导体封装结构的过程中产生的另一种中间结构的结构示意图。
[0039]图11是根据本申请一实施例示出的在制备半导体封装结构的过程中产生的另一种中间结构的结构示意图。
[0040]图12是根据本申请一实施例示出的在制备半导体封装结构的过程中产生的另一种中间结构的结构示意图。
[0041]图13是根据本申请一实施例示出的在制备半导体封装结构的过程中产生的另一种中间结构的结构示意图。
具体实施方式
[0042]这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
[0043]在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
[0044]应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：引线框，包括承载部与第一引脚，所述第一引脚位于所述承载部的侧部；所述第一引脚上包括开孔；裸片，所述裸片位于所述承载部上，所述裸片包括正面与背面，所述裸片的正面设置有第一焊盘，所述裸片的背面面向所述承载部；导电件，包括第一导电部与第二导电部，所述第一导电部与所述第二导电部连接，所述第一导电部位于所述开孔中，所述第二导电部位于所述第一引脚靠近所述裸片的一侧；第一包封层，包覆所述裸片、所述引线框及所述导电件的至少部分表面；再布线层，设置于所述裸片的正面，与所述裸片的第一焊盘、所述导电部电性连接；引脚层，位于所述引线框背离所述裸片的一侧。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述开孔为盲孔，所述开孔的开口位于所述第一引脚面向所述再布线层的一侧。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述开孔为通孔，所述第一导电部的长度与所述开孔的孔深相同。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述开孔的孔深为20微米～200微米。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述开孔的横截面为圆形或N边形，N为大于2的整数；所述第一导电部的横截面的形状与所述开孔的横截面的形状相同。6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述导电件的材料为铜、...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍炎，涂旭峰，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：