高压半导体装置以及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种高压半导体装置以及其制作方法，其中该高压半导体装置包括半导体基底、隔离结构、栅极氧化物层与栅极结构。半导体基底包括通道区，隔离结构的至少一部分设置于半导体基底中且围绕通道区。栅极氧化物层设置于半导体基底上，且栅极氧化物层包括第一部分与第二部分。第二部分设置于第一部分在水平方向上的两相对侧，第一部分的厚度大于第二部分的厚度。栅极结构设置于栅极氧化物层以及隔离结构上。结构上。结构上。

【技术实现步骤摘要】
高压半导体装置以及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体装置以及其制作方法，尤其是涉及一种高压半导体装置以及其制作方法。

技术介绍

[0002]在具有高压处理能力的功率元件中，双扩散金属氧化物半导体(double
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diffused MOS，DMOS)晶体管元件持续受到重视。常见的DMOS晶体管元件有垂直双扩散金属氧化物半导体(vertical double
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diffused MOS，VDMOS)与横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管元件。LDMOS晶体管元件因具有较高的操作频宽与操作效率，以及易与其他集成电路整合的平面结构，现已广泛地应用于高电压操作环境中，例如中央处理器电源供应(CPU power supply)、电源管理系统(power management system)、直流/交流转换器(AC/DC converter)以及高功率或高频段的功率放大器等等。LDMOS晶体管元件主要的特征为利用设置具有低掺杂浓度、大面积的横向扩散漂移区域来缓和源极端与漏极端之间的高电压，因此可使L本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压半导体装置，其特征在于，包括：半导体基底，该半导体基底包括通道区；隔离结构，其中该隔离结构的至少一部分设置于该半导体基底中且围绕该通道区；栅极氧化物层，设置于该半导体基底上，其中该栅极氧化物层包括：第一部分；以及第二部分，设置于该第一部分在水平方向上的两相对侧，其中该第一部分的厚度大于该第二部分的厚度；以及栅极结构，设置于该栅极氧化物层以及该隔离结构上。2.如权利要求1所述的高压半导体装置，其中该第一部分的底表面于与该水平方向正交的垂直方向上低于该第二部分的底表面。3.如权利要求1所述的高压半导体装置，其中该第一部分的上表面于与该水平方向正交的垂直方向上高于该第二部分的上表面。4.如权利要求1所述的高压半导体装置，其中该隔离结构的至少一部分设置于该栅极氧化物层在该水平方向上的两相对侧。5.如权利要求4所述的高压半导体装置，其中该栅极氧化物层的该第二部分与该隔离结构直接相连。6.如权利要求5所述的高压半导体装置，其中该栅极结构于与该水平方向正交的垂直方向上与该隔离结构和该栅极氧化物层的该第二部分之间的交界面重叠。7.如权利要求1所述的高压半导体装置，还包括：两个漂移区，设置于该半导体基底中且分别位于该通道区于该水平方向上的两相对侧，其中该隔离结构的至少一部分设置于该两个漂移区中。8.如权利要求7所述的高压半导体装置，其中该栅极氧化物层的该第二部分设置于该两个漂移区上。9.如权利要求7所述的高压半导体装置，其中该栅极氧化物层的该第一部分是部分设置于该通道区上且部分设置于该两个漂移区上。10.一种高压半导体装置的制作方法，包括：提供半导体基底；形成隔离结构，其中该隔离结构的至少一部分形成于该半导体基底中且围绕该半导体基底中的通道区；在该半导体基底上形成栅极氧化物层，其中该栅极氧化物层包括：第一部分；以及第二部分，设置于该第一部分在水平方向上的两相对侧，其中该第一部分的厚度大于该第二部分的厚度；以及在该栅极氧化物层以及该隔离结构上形成栅极结构。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨宗祐，李信宏，李年中，熊昌铂，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：