温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种高压半导体装置以及其制作方法，其中该高压半导体装置包括半导体基底、隔离结构、栅极氧化物层与栅极结构。半导体基底包括通道区，隔离结构的至少一部分设置于半导体基底中且围绕通道区。栅极氧化物层设置于半导体基底上，且栅极氧化物层包括第...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。