半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构及其形成方法，所述结构包括：基底；栅极结构，位于基底上；源漏掺杂层，位于栅极结构两侧的基底中；层间介质层，覆盖栅极结构的侧壁和源漏掺杂层；第一介电层，位于栅极结构和层间介质层上；源漏接触插塞，贯穿第一介电层和层间介质层，与源漏掺杂层连接；抗刻蚀层，位于第一介电层和源漏接触插塞上；第二介电层，位于抗刻蚀层上；源漏盖帽层的形成步骤包括：刻蚀第二介电层，形成露出抗刻蚀层的凹槽，在凹槽中形成源漏盖帽层。因为第二介电层的被刻蚀难度小于抗刻蚀层的被刻蚀难度，抗刻蚀层底部的源漏接触插塞不易被误刻蚀，源漏接触插塞的导通电阻不易过大，更不易断路，能够提高半导体结构的电学性能和电学性能的均一性。能的均一性。能的均一性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小，为了适应更小的特征尺寸，金属
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氧化物
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半导体场效应晶体管(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor，MOSFET)的沟道长度也相应不断缩短。
[0003]为了更好的适应特征尺寸的减小，半导体工艺逐渐开始从平面MOSFET向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应晶体管(FinFET)。FinFET中，栅极结构至少可以从两侧对超薄体(鳍部)进行控制，与平面MOSFET相比，栅极结构对沟道的控制能力更强，能够很好的抑制短沟道效应；栅极结构也从原来的多晶硅栅极结构向金属栅极结构转变，在金属栅极结构中的功函数层能够调整半导体结构的阈值电压。
[0004]半导体结构包括基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；栅极结构，位于所述基底上；源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的所述基底中；层间介质层，覆盖所述栅极结构的侧壁和源漏掺杂层；第一介电层，位于所述栅极结构和所述层间介质层上；源漏接触插塞，贯穿第一介电层和层间介质层，与所述源漏掺杂层连接；抗刻蚀层，位于所述第一介电层和所述源漏接触插塞上；第二介电层，位于所述抗刻蚀层上，所述抗刻蚀层的被刻蚀难度大于所述第二介电层的被刻蚀难度；源漏盖帽层，贯穿所述第二介电层，与所述抗刻蚀层接触。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第三介电层，位于所述源漏盖帽层和所述第二介电层上；栅极插塞，贯穿所述第三介电层、第二介电层、抗刻蚀层以及第一介电层，与所述栅极结构连接；源漏互连结构，贯穿所述第三介电层、源漏盖帽层以及抗刻蚀层，与所述源漏接触插塞连接。3.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述抗刻蚀层的材料包括：氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅、氮化硼、氮化硼硅和氮化硼碳硅中的一种或多种。4.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述抗刻蚀层的厚度为50纳米至500纳米。5.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有栅极结构、位于所述栅极结构两侧所述基底中的源漏掺杂层、覆盖所述栅极结构侧壁和源漏掺杂层的层间介质层以及位于所述栅极结构和所述层间介质层上的第一介电层；形成贯穿所述第一介电层和层间介质层且与所述源漏掺杂层连接的源漏接触插塞；在所述第一介电层和所述源漏接触插塞上形成抗刻蚀层；在所述抗刻蚀层上形成第二介电层，所述抗刻蚀层的被刻蚀难度大于所述第二介电层的被刻蚀难度；刻蚀所述第二介电层，形成露出所述抗刻蚀层的凹槽；在所述凹槽中形成源漏盖帽层。6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：形成所述源漏盖帽层后，形成覆盖所述源漏盖帽层和所述第二介电层的第三介电层；形成贯穿所述第三介电层、第二介电层、抗刻蚀层以及第一介电层，且与所述栅极结构连接的栅极插塞；形成贯穿所述第三介电层、源漏盖帽层以及抗刻蚀层，且与所述源漏接触插塞连接的源漏互连结构。7.如权利要求5或6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抗刻蚀层的材料
包括：氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氮碳化硅、氮化硼、氮化硼硅和氮化硼碳硅中的一种或多种。8.如权利要求5或6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一介电层和所述源漏接触插塞上形成抗刻蚀层的步骤中，所述抗刻蚀层的厚度为50纳米至500纳米。9.如权利要求5或6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩静利，张浩，郑春生，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：