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一种半导体结构及其形成方法，所述结构包括：基底；栅极结构，位于基底上；源漏掺杂层，位于栅极结构两侧的基底中；层间介质层，覆盖栅极结构的侧壁和源漏掺杂层；第一介电层，位于栅极结构和层间介质层上；源漏接触插塞，贯穿第一介电层和层间介质层，与源漏...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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