一种具有温控冗余磁流变阻尼器电流驱动器制造技术

本发明专利技术涉及电学技术领域，具体涉及一种具有温控冗余磁流变阻尼器电流驱动器，包括电源模块、SPI通信模块、DAC模块、切换电路模块、电流控制输出模块、负载、电流反馈模块和温度反馈模块，本发明专利技术可以实时监测核心主驱动电路的工作状态，在温度过高时，内部的动态切换电路可以及时地且换到备用通道，保证电流驱动器的正常输出，提升驱动器的可靠性。提升驱动器的可靠性。提升驱动器的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种具有温控冗余磁流变阻尼器电流驱动器


[0001]本专利技术涉及电学
，尤其涉及一种具有温控冗余磁流变阻尼器电流驱动器。

技术介绍

[0002]磁流变阻尼器是基于磁流变液的磁控力学特性(粘度、屈服应力等)开发的智能可控阻尼器，其阻尼力可以跟随电流(磁场强度)的增大而增大。磁流变阻尼器具有结构简单、响应迅速、能耗低、动态范围大、阻尼力可逆可控等优点，在智能减振领域具有巨大的应用前景。
[0003]现有技术公开了一种电流驱动器，可将控制策略给出的控制信号转化成电流信号实现减振器的驱动控制。而线性电流驱动方式精度较高并且可以大幅减少驱动器的电流响应时间，减少阻尼器控制周期，提升磁流变阻尼器减振效果。
[0004]但是采用上述方式，由于线性电流驱动方式由于功率管工作在非饱和导通区间，工作时电路发热较大。由于温度上升会造成驱动器工作效率下降，响应时间变长等问题，严重时会造成器件烧坏的后果。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种具有温控冗余磁流变阻尼器电流驱动器，能够提升电流驱动器的可靠性。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供了一种具有温控冗余磁流变阻尼器电流驱动器，包括电源模块、SPI通信模块、DAC模块、切换电路模块、电流控制输出模块、负载、电流反馈模块和温度反馈模块，所述电源模块分别与所述SPI通信模块、所述DAC模块、所述切换电路模块和所述电流控制输出模块连接，所述DAC模块与所述SPI通信模块连接，所述切换电路模块与所述DAC模块连接，所述电流控制输出模块与所述切换电路模块连接，所述负载与所述电流控制输出模块连接，所述电流反馈模块与所述负载连接，并与所述电流控制输出模块连接，所述温度反馈模块与所述电流控制输出模块连接，并与所述切换电路模块连接，所述电流控制输出模块包括电流输出1和电流输出2。
[0007]其中，所述电流控制输出模块具有功率输出电路，所述功率输出电路包括主驱动电路和冗余备用电路，分别对应所述电流输出1和所述电流输出2，所述主驱动电路和所述冗余备用电路结构相同，所述主驱动电路包括高压运放U6、电容C29、电阻R22、MOS功率管M2、电容C31、电阻R24和电阻R68，所述电容C29的一端与所述高压运放U6的引脚5连接，所述电容C29的另一端接地，所述电阻R22的一端与所述高压运放U6的引脚6连接，所述MOS功率管M2的栅极与所述电阻R22的另一端连接，所述电容C31的一端与所述电阻R22的所述一端连接，所述电容C31的另一端接地，所述电阻R24的一端与所述电阻R22的所述另一端连接，所述电阻R24的另一端接地，所述电阻R68的一端与所述MOS功率管M2的源极连接，所述电阻R68的另一端接地；
[0008]所述冗余备用电路包括高压运放U11、电容C43、电阻R69、MOS功率管M8、电容C44、电阻R70和电阻R71；所述电容C43的一端与所述高压运放U11的引脚5连接，所述电容C43的另一端接地，所述电阻R69的一端与所述高压运放U11的引脚6连接，所述MOS功率管M8的栅极与所述电阻R69的另一端连接，所述电容C44的一端与所述电阻R69的所述一端连接，所述电容C44的另一端接地，所述电阻R70的一端与所述电阻R69的所述另一端连接，所述电阻R70的另一端接地，所述电阻R71的一端与所述MOS功率管M8的源极连接，所述电阻R71的另一端接地。
[0009]其中，所述电源模块具有系统供电电路，所述系统供电电路包括第一电路、第二电路和第三电路，所述第一电路包括电阻R1、电阻R2、外部电源开关升压控制器U1、电阻R3、电容C12、电容C13、电阻R4、滑动变阻器R5、电阻R6、电容C11、MOS功率管M1、二极管D1、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10；所述外部电源开关升压控制器U1的引脚1与所述电阻R1的一端连接，所述外部电源开关升压控制器U1的引脚6接地，所述电阻R2的一端与所述电阻R1的所述一端连接，所述电阻R2的另一端接地，所述电阻R3的一端与所述外部电源开关升压控制器U1的引脚2连接，所述电容C12的一端与所述电阻R3的另一端连接，所述电容C12的另一端接地，所述电容C13的一端与所述电阻R3的所述另一端连接，所述电容C13的另一端接地，所述滑动变阻器R5的一端与所述外部电源开关升压控制器U1的引脚3连接，所述电阻R6的一端与所述外部电源开关升压控制器U1的引脚3连接，所述电阻R6的另一端接地，所述电阻R4的一端与所述外部电源开关升压控制器U1的引脚4连接，所述电阻R4的另一端接地，所述电容C11的一端与所述外部电源开关升压控制器U1的引脚5连接，并与所述外部电源开关升压控制器U1的引脚8连接，所述电容C11的另一端接地，所述MOS功率管M1的栅极与所述外部电源开关升压控制器U1的引脚7连接，所述MOS功率管M1的漏极与所述外部电源开关升压控制器U1的引脚10连接，所述MOS功率管M1的源极接地，所述电感线圈L1的一端与所述外部电源开关升压控制器U1的引脚9连接，所述二极管D1的一端与所述电感线圈L1的另一端连接，并与所述MOS功率管M1的漏极连接，所述电容C5的一端与所述二极管D1的所述另一端连接，所述电容C5的另一端接地，所述C6、所述C7、所述C8、所述C9和所述C10均与所述C5并联；
[0010]所述第二电路包括电容C17、电感线圈L2、二极管D2、电容C16、电阻R7、降压芯片U2、电容C14、电阻R9、电容C15和电阻R8；述电容C17的一端接地，所述电感线圈L2的一端接地，所述二极管D2的一端与所述电感线圈L2的另一端连接，所述二极管D2的另一端与所述电容C17的另一端连接，所述降压芯片U2的的引脚6与所述二极管的一端连接，所述降压芯片U2的引脚2与所述电容C17的所述另一端连接，所述电容C16的一端与所述降压芯片U2的引脚5连接，所述电容C16的另一端与所述电容C17的所述另一端连接，所述电阻R7的一端与所述降压芯片U2的引脚4连接，所述电容C14的一端与所述降压芯片U2的引脚1连接，所述电容C14的另一端与所述二极管D2的所述一端连接，所述电阻R9的一端与所述降压芯片U2的引脚3连接，所述电阻R9的另一端接地，所述电容C15与所述电阻R9并联，所述电阻R8的一端与所述降压芯片U2的引脚3连接，所述电阻R8的另一端与所述电容C17的所述另一端连接；
[0011]所述第三电路包括电容C18、线性稳压器W1和电容C20；所述电容C18的一端接地，所述线性稳压器W1的引脚1与所述电容C18的另一端连接，所述线性稳压器W1的引脚2接地，所述电容C20的一端与所述线性稳压器W1的引脚3连接，所述电容C20的另一端接地。
[0012]其中，所述切换电路模块具有电流通道切换电路，所述电流通道切换电路包括电阻R44、热敏电阻RT1、电阻R67、电容C42、运放U10、电阻R64、滑动变阻器R65、电阻R63、电阻R62和模拟信号开关U9；所述热敏电阻RT1的一端连接所述电阻R44，所述热敏电阻R本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有温控冗余磁流变阻尼器电流驱动器，其特征在于，包括电源模块、SPI通信模块、DAC模块、切换电路模块、电流控制输出模块、负载、电流反馈模块和温度反馈模块，所述电源模块分别与所述SPI通信模块、所述DAC模块、所述切换电路模块和所述电流控制输出模块连接，所述DAC模块与所述SPI通信模块连接，所述切换电路模块与所述DAC模块连接，所述电流控制输出模块与所述切换电路模块连接，所述负载与所述电流控制输出模块连接，所述电流反馈模块与所述负载连接，并与所述电流控制输出模块连接，所述温度反馈模块与所述电流控制输出模块连接，并与所述切换电路模块连接，所述电流控制输出模块包括电流输出1和电流输出2。2.如权利要求1所述的一种具有温控冗余磁流变阻尼器电流驱动器，其特征在于，所述电流控制输出模块具有功率输出电路，所述功率输出电路包括主驱动电路和冗余备用电路，所述主驱动电路包括高压运放U6、电容C29、电阻R22、MOS功率管M2、电容C31、电阻R24和电阻R68，所述电容C29的一端与所述高压运放U6的引脚5连接，所述电容C29的另一端接地，所述电阻R22的一端与所述高压运放U6的引脚6连接，所述MOS功率管M2的栅极与所述电阻R22的另一端连接，所述电容C31的一端与所述电阻R22的所述一端连接，所述电容C31的另一端接地，所述电阻R24的一端与所述电阻R22的所述另一端连接，所述电阻R24的另一端接地，所述电阻R68的一端与所述MOS功率管M2的源极连接，所述电阻R68的另一端接地；所述冗余备用电路包括高压运放U11、电容C43、电阻R69、MOS功率管M8、电容C44、电阻R70和电阻R71；所述电容C43的一端与所述高压运放U11的引脚5连接，所述电容C43的另一端接地，所述电阻R69的一端与所述高压运放U11的引脚6连接，所述MOS功率管M8的栅极与所述电阻R69的另一端连接，所述电容C44的一端与所述电阻R69的所述一端连接，所述电容C44的另一端接地，所述电阻R70的一端与所述电阻R69的所述另一端连接，所述电阻R70的另一端接地，所述电阻R71的一端与所述MOS功率管M8的源极连接，所述电阻R71的另一端接地。3.如权利要求1所述的一种具有温控冗余磁流变阻尼器电流驱动器，其特征在于，所述电源模块具有系统供电电路，所述系统供电电路包括第一电路、第二电路和第三电路，所述第一电路包括电阻R1、电阻R2、外部电源开关升压控制器U1、电阻R3、电容C12、电容C13、电阻R4、滑动变阻器R5、电阻R6、电容C11、MOS功率管M1、二极管D1、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10；所述外部电源开关升压控制器U1的引脚1与所述电阻R1的一端连接，所述外部电源开关升压控制器U1的引脚6接地，所述电阻R2的一端与所述电阻R1的所述一端连接，所述电阻R2的另一端接地，所述电阻R3的一端与所述外部电源开关升压控制器U1的引脚2连接，所述电容C12的一端与所述电阻R3的另一端连接，所述电容C12的另一端接地，所述电容C13的一端与所述电阻R3的所述另一端连接，所述电容C13的另一端接地，所述滑动变阻器R5的一端与所述外部电源开关升压控制器U1的引脚3连接，所述电阻R6的一端与所述外部电源开关升压控制器U1的引脚3连接，所述电阻R6的另一端接地，所述电阻R4的一端与所述外部电源开关升压控制器U1的引脚4连接，所述电阻R4的另一端接地，所述电容C11的一端与所述外部电源开关升压控制器U1的引脚5连接，并与所述外部电源开关升压控制器U1的引脚8连接，所述电容C11的另一端接地，所述MOS功率管M1的栅极与所述外部电源开关升压控制器U1的引脚7连接，所述MOS功率管M1的漏极与所述外部电源开关升
压控制器U1的引脚10连接，所述MOS功率管M1的源极接地，所述电感线圈L1的一端与所述外部电源开关升压控制器U1的引脚9连接，所述二极管D1的一端与所述电感线圈L1的另一端连接，并与所述MOS功率管M1的漏极连接，所述电容C5的一端与所述二极管D1的所述另一端连接，所述电容C5的另一端接地，所述C6、所述C7、所述C8、所述C9和所述C10...

【专利技术属性】
技术研发人员：田应飞，浮洁，卢胜，李伟，周靖，李剑，王佳俊，
申请(专利权)人：重庆嘉陵全域机动车辆有限公司，
类型：发明
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