低压差微功耗集成稳压器制造技术

一种低压差微功耗集成稳压器，输入

【技术实现步骤摘要】
低压差微功耗集成稳压器


[0001]本技术涉及稳压器领域，尤其是一种低压差微功耗集成稳压器。

技术介绍

[0002]集成稳压器又叫集成稳压电路，是将不稳定的直流电压转换成稳定的直流电压的集成电路，现有的的集成稳压器输出功率大，由静态电流引起的器件静态功耗大，使用时要求加散热装置；器件输入
‑
输出压差为15V，压差大、信号传输损耗大、效率低，器件在使用过程中稳定性差，使其应用范围受到限制。

技术实现思路

[0003]本技术是要解决现有技术存在的上述问题，提供一种低压差微功耗集成稳压器，输入
‑
输出压差低、静态工作电流小、稳压效果好、传输损耗小、效率高，防止输入电压突然降低时，损坏稳压器影响电路性能。
[0004]本技术提供的低压差微功耗集成稳压器，包括管壳和管芯，在管壳上设有外引线引脚，管芯的引线端和外引线管脚之间设有硅铝丝键合引线，其特殊之处是：所述管壳为金属圆壳封装，在所述管芯上设有恒流源偏置电路、电压基准电路、电压基准调整电路、误差放大器电路、同相输入迟滞比较器电路和输出保护电路；所述恒流源偏置电路由场效应管Q42、NPN晶体管Q40、Q41和横向PNP晶体管Q15A、Q15B组成，其中场效应管Q42的漏极电流是恒流源偏置电路的工作电流且为电路中所有三极管正常工作提供电流，所述电压基准调整电路由电阻R31、R32、R33、R35及二极管D1和D2组成，通过调整R31、R32、R33和R35的阻值，修正电路的基准电压，使电路的基准电压达到标称值。
[0005]进一步，所述电压基准电路由NPN晶体管Q1、Q2、Q7、Q9、Q11和横向PNP晶体管Q3、Q4、Q5、Q6、Q8、Q12、Q13及电阻R1～R11组成，其中NPN晶体管Q2的基极电压为电路的基准电压。所述误差放大器电路由PNP晶体管Q14、Q16、Q17、Q21、Q24、Q25和Q26，NPN晶体管Q18和Q19及电阻R12、R13、R14、R17、R18、R27和R28以及电容C2组成，通过电阻R17反馈作用使PNP晶体管Q24的集电极电压稳定，进一步实现稳定电路的输出电压的作用；通过调整电阻R27和R28的阻值可实现输出可编程功能。
[0006]所述输出保护电路由NPN晶体管Q22、Q23、Q28、Q29、Q30、Q31、电阻R15、R16、R19、R21、R22、R23和R24组成。当输出电压增大时，电路内部的电流增大，流经电阻R15、R16、R19的电流增大，三极管Q23由截止状态变成导通状态，减小了晶体管Q24的基极电流，迅速降低了晶体管Q24的集电极电流，使管芯温度迅速降低，起到了输出过热保护的作用。
[0007]所述同相输入迟滞比较器电路由横向PNP晶体管Q39，NPN晶体管Q34、Q35、Q36、Q37、Q38及电阻R25和R26组成，输出信号由晶体管Q35的集电极直接输出到误差放大器晶体管的Q16的基极，提高了低压差微功耗集成稳压器的抗干扰能力，防止由于输入电压的微小变化，引起输出电压的跃变。
[0008]所述场效应管Q42为外延N沟道结型场效应管。
[0009]本技术通过恒流源偏置电路实现了对整个低压差微功耗集成稳压器电路中各三极管电流的精确控制，从而降低输入
‑
输出压差，减小静态电流，提高输出效率，通过电压基准调整电路起到稳定基准电压的作用，通并且体积小、重量轻及密封性好。在电路的输入端和输出端口接有保护电路，防止输入电压突然降低时，损坏稳压器而影响电路性能。主要应用于无线电控制探测系统及电池供电系统。
附图说明
[0010]图1是本技术的电路原理图；
[0011]图2是本技术的内部结构示意图。
具体实施方式
[0012]如图所示，该低压差微功耗集成稳压器，包括金属圆壳封装管壳1和通过导电胶2粘接在管壳1表面的管芯3，在管壳1上设有外引线引脚5，管芯3的引线端和外引线管脚之间设有硅铝丝键合引线4，所述管芯3上设有恒流源偏置电路、电压基准电路、电压基准调整电路、误差放大器电路、同相输入迟滞比较器电路和输出保护电路；所述恒流源偏置电路由外延N沟道结型场效应管Q42、NPN晶体管Q40、Q41和横向PNP晶体管Q15A、Q15B组成，其中场效应管Q42的漏极电流是恒流源偏置电路的工作电流且为电路中所有三极管正常工作提供电流，所述电压基准调整电路由电阻R31、R32、R33、R35及二极管D1和D2组成，通过调整R31、R32、R33和R35的阻值，修正电路的基准电压，使电路的基准电压达到标称值。
[0013]所述电压基准电路由NPN晶体管Q1、Q2、Q7、Q9、Q11和横向PNP晶体管Q3、Q4、Q5、Q6、Q8、Q12、Q13及电阻R1～R11组成，其中NPN晶体管Q2的基极电压为电路的基准电压。
[0014]所述误差放大器电路由PNP晶体管Q14、Q16、Q17、Q21、Q24、Q25和Q26，NPN晶体管Q18和Q19及电阻R12、R13、R14、R17、R18、R27和R28以及电容C2组成，通过电阻R17反馈作用使PNP晶体管Q24的集电极电压稳定，进一步实现稳定电路的输出电压的作用；通过调整电阻R27和R28的阻值可实现输出可编程功能。
[0015]所述输出保护电路由NPN晶体管Q22、Q23、Q28、Q29、Q30、Q31、电阻R15、R16、R19、R21、R22、R23和R24组成。当输出电压增大时，电路内部的电流增大，流经电阻R15、R16、R19的电流增大，三极管Q23由截止状态变成导通状态，减小了晶体管Q24的基极电流，迅速降低了晶体管Q24的集电极电流，使管芯温度迅速降低，起到了输出过热保护的作用。
[0016]所述同相输入迟滞比较器电路由横向PNP晶体管Q39，NPN晶体管Q34、Q35、Q36、Q37、Q38及电阻R25和R26组成，输出信号由晶体管Q35的集电极直接输出到误差放大器晶体管的Q16的基极，提高了低压差微功耗集成稳压器的抗干扰能力，防止由于输入电压的微小变化，引起输出电压的跃变。
[0017]各引脚功能如下：
[0018]引出端号12345678符号VOUTSenseSDGNDERRORVTAPFBVIN引出端功能输出端检测端关断端地误差端抽头端反馈端输入端
[0019]工作原理：本技术为低压差微功耗集成稳压器，电路8脚为电路的输入端，外加直流电压工作，给误差放大器电路提供直流电压输入信号，使输出直流电压等于输入直
流电压
‑
1V。恒流源偏置电路为误差放大电路、电压基准电路、同相输入迟滞比较器电路和输出保护电路中三极管的正常工作提供偏置电流。电压基准电路给同相输入迟滞比较器电路提供1.235V的基准电压，电压基准调整电路使电压基准电路稳定输出基准电压，由三极管Q2的基级输出到误差放大器的Q16的基极，与误差放大器Q17的基级电压进行比较放大，由误差放大器Q24的集电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.低压差微功耗集成稳压器，包括管壳和管芯，在管壳上设有外引线引脚，管芯的引线端和外引线管脚之间设有硅铝丝键合引线，其特征是：所述管壳为金属圆壳封装，在所述管芯上设有恒流源偏置电路、电压基准电路、电压基准调整电路、误差放大器电路、同相输入迟滞比较器电路和输出保护电路；所述恒流源偏置电路由场效应管Q42、NPN晶体管Q40、Q41和横向PNP晶体管Q15A、Q15B组成，其中场效应管Q42的漏极电流是恒流源偏置电路的工作电流且为电路中所有三极管正常工作提供电流，所述电压基准调整电路由电阻R31、R32、R33、R35及二极管D1和D2组成，通过调整R31、R32、R33和R35的阻值，使电路的基准电压达到标称值。2.根据权利要求1所述的低压差微功耗集成稳压器，其特征是：所述电压基准电路由NPN晶体管Q1、Q2、Q7、Q9、Q11和横向PNP晶体管Q3、Q4、Q5、Q6、Q8、Q12、Q13及电阻R1～...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晏玮，李春悦，邢雅丹，罗志勇，邱晓华，
申请(专利权)人：锦州七七七微电子有限责任公司，
类型：新型
国别省市：