一种集成电路结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供了一种集成电路结构及其形成方法，集成电路结构包括衬底；层间介质层，形成于所述衬底上，所述层间介质层中形成有开口；扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖所述开口的侧壁和底壁；导电结构，填充于所述开口中，且所述导电结构的顶面高度低于所述扩散阻挡层的侧壁的顶面高度；刻蚀停止层，覆盖所述层间介质层的顶面、所述导电结构的顶面、所述扩散阻挡层的顶面和所述扩散阻挡层的部分侧壁。通过利用化学机械研磨的工艺在研磨到扩散阻挡层时，增加过研磨工艺中研磨导电材料层的时间，去除所述开口内预定高度的导电材料层，增加后续的蚀刻停止层与所述扩散阻挡层侧壁附着的表面积，使蚀刻停止层更牢靠，降低测试中刻蚀停止层剥离的风险。层剥离的风险。层剥离的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种集成电路结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路制造技术的飞速发展，传统集成电路的工艺节点逐渐减小，集成电路器件的尺寸不断缩小，集成在同一晶圆上的元器件数量不断增加，为此集成电路制备工艺不断革新以提高集成电路器件的性能。为了满足半导体元件数量增多或更高的产品性能的要求，集成电路制作工艺利用批量处理技术在衬底上形成各种类型的器件，并通过集成电路结构将其互相连接以具有完整的电子功能。金属铜凭借其优异的导电性以及良好的抗电迁移能力，可以提高半导体器件之间信号的传输速度；同时，低k(介电常数)材料被作为金属层间的介质层，也减少了金属层之间的寄生电容，由此铜互连工艺成为超大规模集成电路(ULSI)领域中互连集成技术的解决方案之一。
[0003]铜互连工艺通常包括如下步骤：首先，在层间介质层中形成开口，然后形成扩散阻挡层，接着电镀金属铜，在铜的电镀沉积完成后会以化学机械研磨(CMP)工艺将多余的铜研磨移除到扩散阻挡层(diffusion barrier本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，其特征在于，包括：衬底；层间介质层，形成于所述衬底上，所述层间介质层中形成有开口；扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖所述开口的侧壁和底壁；导电结构，填充于所述开口中，且所述导电结构的顶面高度低于所述扩散阻挡层的侧壁的顶面高度；以及，刻蚀停止层，覆盖所述层间介质层的顶面、所述导电结构的顶面、所述扩散阻挡层的顶面和所述扩散阻挡层的部分侧壁。2.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述扩散阻挡层的侧壁与所述导电结构的高度差大于30埃。3.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述刻蚀停止层为氧化铝、氮化铝、氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅、或其组合的一种或多种材料。4.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述导电结构的材质为铜，所述扩散阻挡层的材质为氮化钽或钽。5.一种集成电路结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有层间介质层，所述层间介质层中形成有开口；形成有扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖所述开口的侧壁和底壁；形成导电材料层，所述导电材料层填满所述开口并...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕正良，黄震麟，郑志成，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：