一种扇出封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种扇出封装结构，所述封装结构包括：固定在待封装芯片背面的钼铜载体、用于包裹待封装芯片背面和侧面的EMC层以及设置在待封装芯片正面用于进行重新布线的P I层，其中，所述EMC层设有用于露出钼铜载体的缺口，所述P I层内设有多个重布线，所述多个重布线的两端分别连接芯片焊盘和植球。该扇出封装结构将封装芯片直接安装在钼铜载体上，芯片背面直接贴近钼铜散热载体，相比现有技术中的背面是EMC材料的封装结构，散热能力更强；封装芯片背部直接接地，有效提高了电磁屏蔽效果；钼铜载体与芯片的热膨胀系数更接近，有效减小了封装过程中圆片的翘曲度，提高了封装成功率，进而可以广泛应用于各类军用、民用微电子产品中。产品中。产品中。

【技术实现步骤摘要】
一种扇出封装结构


[0001]本技术属于晶圆级封装
，具体涉及一种扇出封装结构。

技术介绍

[0002]扇出型封装作为当下先进的封装技术，受到科研领域的广泛关注。目前采用最多的扇出型封装是利用环氧树脂(EMC)重构圆片的树脂型扇出封装。其封装步骤首先是重构晶圆，将芯片贴在有临时胶膜的载板上，然后利用圆片级塑封技术用环氧树脂材料将芯片“包裹”起来，之后拆掉载板，完成了圆片重构。接下来通过物理溅射、电镀和光刻等半导体制造技术完成再布线，然后通过植球和印刷技术制作与外部电性互连的锡球凸点，最后切割分离后形成单颗封装体。
[0003]上述封装结构最后形成的封装体背面是EMC材料，因为EMC热阻相对较大且是非导电材料，这便给芯片的散热和接地效果带来了很大不利影响，针对该问题目前已有的处理方式是1)在EMC无芯片一侧刻盲孔，制造导热铜柱进行散热；2)在EMC无芯片一侧的外侧放置散热片作为热沉。但这些方法散热效果一般且对电磁屏蔽的效果甚微。
[0004]因此，需提供一种散热效果和电磁屏蔽效果均较好的封装结构。
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技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扇出封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：固定在待封装芯片背面的钼铜载体、用于包裹待封装芯片背面和侧面的EMC层以及设置在待封装芯片正面用于进行重新布线的PI层，其中，所述EMC层设有用于露出钼铜载体的缺口，所述PI层内设有多个重布线，所述多个重布线的两端分别连接芯片焊盘和植球。2.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述钼铜载体的尺寸不小于待封装芯片。3.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述EMC层的尺寸不小于多个重布线的扇出范围。4.根据权利要求1所述的扇出封装结构，其特征在于，所述钼铜载体通过共晶焊的方式焊接在所述待封装芯片上。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾双，宋志东，徐可心，
申请(专利权)人：中国航空工业集团公司雷华电子技术研究所，
类型：新型
国别省市：