【技术实现步骤摘要】
阵列结构的裸片缝合和收获
[0001]本文所述的实施方案涉及集成电路(IC)制造以及多个裸片的互连。
技术介绍
[0002]IC的微电子制造通常使用逐层序列中的电路元件的沉积和图案化序列来执行，其中使用步进器(或扫描仪)使光穿过标线，从而在下面的层上形成标线图案的图像。步进器不是暴露整个晶圆，而是逐步跨晶圆从一个裸片区域位置移动到另一个裸片区域位置。这样，在有限的区域上工作能够实现更高的分辨率和关键尺寸。然后可从晶圆划出裸片并进一步封装。
[0003]多芯片模块(MCM)通常是多个裸片集成在基板上的电子组件。MCM的各种实施方式包括2D、2.5D和3D封装。一般来讲，2D封装模块包括并排布置在封装基板上的多个裸片。在2.5D封装技术中，利用微凸块将多个裸片键合到中介层。中介层继而被键合到封装基板。中介层可包括用于使相邻裸片互连的布线。因此，2.5D封装中的裸片可直接连接到中介层，并且通过中介层内的布线彼此连接。一般来讲，3D封装模块包括竖直堆叠在彼此顶部上的多个裸片。因此，3D封装中的裸片可彼此直接连接，其中底部裸片...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片结构，所述芯片结构包括：半导体基板；图案化到所述半导体基板中的第一裸片的第一前道工序(FEOL)裸片区域，所述第一FEOL裸片区域包括第一器件区域和第一输入/输出区域；跨越所述第一器件区域和所述第一输入/输出区域的后道工序(BEOL)堆积结构；以及与所述第一输入/输出区域相邻的芯片边缘；其中所述BEOL堆积结构包括裸片到裸片布线，所述裸片到裸片布线在所述芯片边缘处连接在所述第一输入/输出区域与裸片到裸片布线的端子端之间。2.根据权利要求1所述的芯片结构，其中连接到所述裸片到裸片布线的所述第一输入/输出区域在关断状态下被隔离。3.根据权利要求1所述的芯片结构，其中：所述BEOL堆积结构还包括与所述第一输入/输出区域相邻的第一部分金属密封件；以及所述裸片到裸片布线延伸穿过所述第一部分金属密封件中的第一开口。4.根据权利要求1所述的芯片结构：还包括被图案化到所述半导体基板中的第二裸片的第二FEOL裸片区域，所述第二FEOL裸片区域包括第二器件区域和第二输入/输出区域；其中所述第一FEOL裸片区域包括第三输入/输出区域；以及其中所述BEOL堆积结构跨越所述第二器件区域、所述第二输入/输出区域和所述第三输入/输出区域，并且所述BEOL堆积结构包括连接在所述第二输入/输出区域和所述第三输入/输出区域之间的第二裸片到裸片布线。5.根据权利要求4所述的芯片结构，其中：所述BEOL堆积结构还包括与所述第二输入/输出区域相邻的第二部分金属密封件和与所述第三输入/输出区域相邻的第三部分金属密封件；以及所述第二裸片到裸片布线延伸穿过所述第二部分金属密封件中的第二开口并且穿过所述第三部分金属密封件中的第三开口。6.根据权利要求1所述的芯片结构，其中所述半导体基板、所述第一FEOL裸片区域和BEOL堆积结构形成第一裸片级，所述芯片结构还包括混合键合到所述第一裸片级的第二裸片级，所述第二裸片级包括图案化到第二半导体基板中的第二裸片的第二FEOL裸片区域。7.根据权利要求1所述的芯片结构，还包括：与所述BEOL堆积结构混合键合的第二芯片；以及横向围绕所述BEOL堆积结构上的所述第二芯片的封装材料。8.一种多裸片结构，所述多裸片结构包括：图案化到半导体基板中的第一裸片的第一前道工序(FEOL)裸片区域和图案化到所述半导体基板中的第二裸片的第二FEOL裸片区域，所述第二FEOL裸片区域与所述第一FEOL裸片区域分开；其中所述第一FEOL裸片区域包括第一输入/输出区域，并且所述第二FEOL裸片区域包括第二输入/输出区域；跨越所述第一FEOL裸片区域和所述第二FEOL裸片区域的后道工序(BEOL)堆积结构，所
述BEOL堆积结构包括：第一部分金属密封件，所述第一部分金属密封件与所述第一输入/输出区域相邻；第二部分金属密封件，所述第二部分金属密封件与所述第二输入/输出区域相邻；以及裸片到裸片布线，所述裸片到裸片布线连接所述第一输入/输出区域和所述第二输入/输出区域并且延伸穿过所述第一部分金属密封件中的第一开口和所述第二部分金属密封件中的第二开口。9.根据权利要求8所述的多裸片结构，其中所述BEOL堆积结构还包括围绕所述第一FEOL裸片区域、所述第二FEOL裸片区域和所述裸片到裸片布线的金属密封环。10.根据权利要求9所述的多裸片结构，其中所述第一裸片和所述第二裸片各自选自由图形处理单元(GPU)、中央...
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