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本发明提供了一种集成电路结构及其形成方法，集成电路结构包括衬底；层间介质层，形成于所述衬底上，所述层间介质层中形成有开口；扩散阻挡层，所述扩散阻挡层覆盖所述开口的侧壁和底壁；导电结构，填充于所述开口中，且所述导电结构的顶面高度低于所述扩散阻...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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