【技术实现步骤摘要】
一种高性能底栅底接触聚合物场效应晶体管的制备方法
[0001]本专利技术属于电子材料及器件
，特别涉及一种高性能底栅底接触聚合物场效应晶体管的制备方法。
技术介绍
[0002]随着科技的发展以及半导体工艺制程越来越精细，半导体芯片的面积越来越小，市场对半导体器件的性能要求越来越高，如何提高器件的性能，减小器件的工艺成本成为了目前电子工艺界急需要解决的重要问题。有机薄膜晶体管由于其性能优秀、制备成本低、可大面积生产等特点，迎合了市场以及制造业的需求，已广泛适用于低投资成本大面积应用的消费类电子以及有源矩阵显示阵列。然而，其基本制造工艺业界仍没有统一的标准，如何在最简单的工艺下制作出性能最优的有机薄膜晶体管，这个问题有待解决。
[0003]目前有机薄膜晶体管常用的结构有四种，分别是顶栅顶接触、顶栅底接触、底栅顶接触以及底栅底接触。在结合了栅电极位置以及接触结构之后，又可将其分成两种结构：共面与交错。对于共面OFET而言，一方面所形成的沟道较短，不利于电荷输运，另一方面，接触电极与沟道接触处的接触面积较小，从而形成较...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高性能底栅底接触聚合物场效应晶体管的制备方法，所述的晶体管器件包括：栅电极、绝缘层、半导体层和源漏电极，其特征在于，所述的制备方法首先以蒸镀的方式在绝缘层上方蒸镀形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方形成半导体层；当选用IDT
‑
BT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为20
‑
30nm，当选用DPPT
‑
TT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为40
‑
50nm。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下步骤：1）选择衬底并清洗，所述的衬底是氧化硅片，它由两部分组成，一部分是最下方的硅，作为栅电极，硅表面生长一层300nm厚的二氧化硅，作为绝缘层；2）源漏电极的制备：采用真空热蒸发法利用不锈钢掩膜版在衬底上蒸镀金作为源漏电极；当选用IDT
‑
BT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为20
‑
30nm，当选用DPPT
‑
TT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为40
‑
50nm；3）半导体薄膜的制备：将半导体溶液在衬底上表面铺满；4）器件的隔离：将制备的器件进行隔离；并用金刚笔在器件上方除器件之外的区域将划开，使得其下方的Si裸露出来；在该位置涂敷导电银胶并粘附铜箔，加热10min使导电银胶固化，得到所述有机薄膜晶体管，至此，底栅...
【专利技术属性】
技术研发人员：权利要求书一页说明书五页附图三页，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。