一种垂直有机晶体管的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种垂直有机晶体管的制备方法，所述的方法利用表面带有石墨烯的二氧化硅/重掺硅衬底制备垂直有机晶体管，具体步骤如下：使用掩模版与表面带有石墨烯的二氧化硅/重掺硅衬底精确对准，使用蒸镀仪通过掩模版淀积源极金属，旋涂双极性有机物D

【技术实现步骤摘要】
一种垂直有机晶体管的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造和半导体器件物理的
，特别是对于短沟道晶体管，通过垂直的结构不需要借助高精度光刻机来实现短沟道器件的制备。

技术介绍

[0002]晶体管的性能可由电流密度和开关速度这两个参数来评价，基于共轭聚合物的场效应晶体管已经达到了与多晶硅相媲美的迁移率，但是开关速度还有待提高，提高有机晶体管的开关速度关键之一的是要进一步减小沟道长度。
[0003]减小通道长度是高频操作和高密度集成的一个重要工程问题，基于共轭聚合物的场效应晶体管已经达到了与多晶硅相媲美的迁移率，但是在实际应用中，必须提高聚合物晶体管的工作速度，这不仅需要高的迁移率，而且需要较短的沟道长度。但是有机晶体管与多晶硅晶体管不同的是当沟道长度逐渐减小时，有机晶体管会更早的比多晶硅晶体管出现短沟道效应，短沟道效应会降低源漏端的肖特基势垒，空穴注入的肖特基势垒来自于接触电极的功函数与所应用的聚合物半导体(DPPT
‑
TT)的最高占据分子轨道(HOMO)能级之间的能量差。短沟道效应降低了关态下对载流子扩散本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直有机晶体管的制备方法，其特征在于，所述的方法利用表面带有石墨烯的二氧化硅/重掺硅衬底制备垂直有机晶体管，具体步骤如下：使用掩模版与表面带有石墨烯的二氧化硅/重掺硅衬底精确对准，使用蒸镀仪通过掩模版来淀积源极金属，旋涂双极性有机物D
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A型有机物聚[(并二噻吩)
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交替
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(2，5
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二(2
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辛基十二烷基)
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3，6
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二(噻吩基)
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吡咯并吡咯二酮)](DPPT
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TT)，设置DPPT
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TT溶液的浓度为10mg/ml，设置旋涂仪的参数先以500rpm的转速匀胶5s，再以1500rpm转速匀胶30s，DPPT
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TT薄膜的厚度为50nm，继续使用掩模版与表面带有石墨烯的二氧化硅/重掺硅衬底精确对准，使用蒸镀仪通过掩模版来淀积漏极金属。2.根据权利要求1所述的垂直有机晶体管的制备方法，其特征在于，所述的表面带有石墨烯的二氧化硅/重掺硅衬底，是以铜基石墨烯为原料，通过石墨烯的转移，将石墨烯从铜基底转移到二氧化硅/重掺硅衬底上制备得到；具体步骤如下：首先在铜基石墨烯表面旋涂聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，然后烘烤铜基石墨烯，再将其放入氯化铁溶液中，通过置换反应将铜基底溶解，去除铜基石墨烯的铜，留下带有石墨烯的PMMA，将带有石墨烯的PMMA层的样品清洗后，用二氧化硅/重掺硅衬底捞取带有石墨烯的PMMA，晾干，烘烤，冷却，浸泡丙酮除去PMMA，表面留下一层石墨烯。3.根据权利要求2所述的垂直有机晶体管的制备方法，其特征在于，所述的铜基石墨烯表面旋涂PMMA的具体过程如下：将铜基底石墨烯放在匀胶机上，用胶头滴管将PMMA溶液滴在铜基石墨烯表面，设置匀胶机的转速先以500rpm的转速匀胶5s，再以4000rpm转速匀胶30s，PMMA薄膜的厚度为450nm。4.根据权利要求2所述的垂直有机晶体管的制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙华斌，居富健，于晓辰，杨涛，徐勇，陈子龙，于志浩，吴洁，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：