一种场效应晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种场效应晶体管及其制备方法。场效应晶体管的制备方法，包括：S10：将包括聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯的原料混合，制成高分子溶液；S20：使用探针接触高分子溶液，拉出高分子丝状物，将高分子丝状物固定在基板上；S30：在基板上蒸镀金属，形成电极；S40：洗去基板上的高分子丝状物，得到场效应晶体管；其中，聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯的质量比为(1

【技术实现步骤摘要】
一种场效应晶体管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及晶体管
，具体而言，涉及一种场效应晶体管及其制备方法。

技术介绍

[0002]场效应晶体管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。随着科技的发展，场效应晶体管的使用场景不断拓展，市场对微纳尺寸沟道的场效应晶体管提出了需求。
[0003]在实际制造微纳尺寸沟道的场效应晶体管时，常用的制备方法是使用光刻技术，但是光刻技术需要特定的掩膜版，制备过程繁琐，更麻烦的是光刻时使用到的光刻胶有腐蚀材料，影响晶体管的使用；而精度较高的电子束光刻技术，使用价格昂贵，且制备效率低。因此，急需一种成本较低、操作简单的制备方法来制备微纳尺寸沟道的场效应晶体管。

技术实现思路

[0004]本专利技术利用高分子丝状物制备具有微纳尺寸沟道的场效应晶体管，操作简单，稳定性好，成本较低，且制备的微纳尺寸沟道的场效应晶体管具有良好的性能，为制备金属电极提供了可靠稳定的方法。
[0005]为解决上述问题，本专利技术提供一种场效应晶体管的制备方法，包括：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：S10：将包括聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯的原料混合，制成高分子溶液；S20：使用探针接触所述高分子溶液，拉出高分子丝状物，将所述高分子丝状物固定在基板上；S30：在所述基板上蒸镀金属，形成电极；S40：洗去所述基板上的所述高分子丝状物，得到所述场效应晶体管；其中，所述聚甲基丙烯酸甲酯和所述聚苯乙烯的质量比为(1
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3):1。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S10包括：S11：取所述聚甲基丙烯酸甲酯与苯乙醚混合，得到质量体积分数为10％的聚甲基丙烯酸甲酯溶液；S12：取所述聚苯乙烯与甲苯混合，得到质量体积分数为10％的聚苯乙烯溶液；S13：将所述聚甲基丙烯酸甲酯溶液与所述聚苯乙烯溶液混合，得到所述高分子溶液。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述S20包括：S21：取第一探针接触所述高分子溶液，拉出所述高分子丝状物，将所述高分子丝状物置于所述基板以及所述基板上的二维材料的上侧；S22：取第二探针压住所述高分子丝状物，使所述高分子丝状物固定在所述基板上。4.根据权利要求3所述的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫勇，李洁，李莎莎，邓群睿，罗高丽，耿振铎，
申请(专利权)人：河南师范大学，
类型：发明
国别省市：