一种转移金属电极构筑范德华晶体管的方法技术

本发明专利技术涉及晶体管技术领域，具体涉及一种转移金属电极构筑范德华晶体管的方法。首先通过模板法制备金属电极，然后通过膜辅助法将制备好的金属电极转移到半导体表面构筑晶体管器件，通过该方法构筑的晶体管，半导体表面和晶格不会被破坏，金属电极和半导体依靠范德华力形成接触，不会产生费米能级钉扎。即通过改变金属电极，使用不同功函数的金属与半导体形成异质结，异质结肖特基势垒高度不同，载流子输运类型可以改变。输运类型可以改变。输运类型可以改变。

【技术实现步骤摘要】
一种转移金属电极构筑范德华晶体管的方法


[0001]本专利技术涉及晶体管
，具体涉及一种转移金属电极构筑范德华晶体管的方法。

技术介绍

[0002]晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管(二端子)、三极管、场效应管、晶闸管(后三者均为三端子)等。晶体管的构筑离不开电极的构筑。在传统的晶体管构筑过程中，电极的制备采用的大多是热蒸发、电子束蒸镀、磁控溅射、原子层沉积等方法。在这些电极制备方法都是高能过程，容易破坏半导体材料表面结构，例如金属原子进入半导体内部，金属原子与半导体形成化学键等，会在金属
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半导体界面产生严重的费米能级钉扎，使得金属
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半导体接触形成的费米能级被钉扎在半导体导带附近，金属
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半导体肖特基势垒高度难以调控。因此，寻找一种新的电极构筑方式，实现电极的无损集成具有重要意义。

技术实现思路

[0003]基于上述内容，本专利技术提供一种转移金属电极构筑范德华晶体管的方法。取代传统方法中直接在半导体表面通过热蒸发、电子束蒸镀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在衬底A上制备金属电极模板；(2)通过静电力摩擦将所述金属电极模板转移到洁净衬底B上；(3)在附着有金属电极模板的衬底B上沉积金属层，得到所述金属电极。2.根据权利要求1所述的金属电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，使用水热法、化学气相沉积法、静电纺丝法中的任意一种方法在衬底A上制备金属电极模板；所述金属电极模板为ZnO、SnO2和In2O3中的任意一种或多种；所述金属电极模板的尺寸为：宽度3～10μm，长度大于10μm；所述金属电极模板的形状为条带状或线状；所述步骤(2)具体包括：将生长有金属电极的衬底A倒扣在洁净衬底B上，衬底A和衬底B相对单向运动，使金属电极模板平铺在衬底B表面；所述步骤(3)中沉积金属层的方法选自热蒸发法、电子束蒸镀法和磁控溅射法中的任意一种，所述金属层厚度为1～1000μm。3.一种根据权利要求1
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2任一项所述的金属电极的制备方法制备得到的金属电极。4.一种转移金属电极构筑范德华晶体管的方法，其特征在于，使用膜辅助法将权利要求3所述的金属电极转移到半导体层上，得到所述范德华晶体管，其中所述金属电极的金属层和半导体层直接接触。5.根据权利要求4所述的转移金属电极构筑范德华晶体管的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤a：将聚二甲基硅氧烷薄膜与沉积有金属层的衬底B贴合后揭起，得到聚二甲基硅氧烷/金属层/金属电极模板复合结构；步骤b：将PPC图章和聚二甲基硅氧烷/金属层/金属电极模板复合结构上的金属电极模板接触，加热至40～80℃，保持1min后，冷却至35℃以下，抬起PPC图章，得到粘...

【专利技术属性】
技术研发人员：张跃，洪孟羽，张铮，杜君莉，杜文龙，高丽，柳柏杉，于慧慧，汤文辉，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：