有机场效应晶体管半导体层P型掺杂方法及制备的有机场效应晶体管技术

本发明专利技术公开了一种有机场效应晶体管半导体层P型掺杂方法及制备的有机场效应晶体管，将2,3,5,6

【技术实现步骤摘要】
有机场效应晶体管半导体层P型掺杂方法及制备的有机场效应晶体管


[0001]本专利技术涉及一种有机场效应晶体管半导体层P型掺杂方法，具体涉及一种在水氧氛围下通过溶液法对聚合物晶体管进行沟道掺杂的方法，属于有机晶体管制备领域。

技术介绍

[0002]有机场效应晶体管(OFET)专利技术于20世纪80年代，因为可以在大面积上在低处理温度下实现薄且柔性的电路而受到关注。现今，OFET被广泛用于驱动电子墨水显示器、印刷RFID标签和柔性电子装置。有机半导体材料根据分子结构单元的重复性来划分，分为有机小分子半导体材料和有机高分子半导体材料。有机小分子半导体材料一般由比较大的π
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π共轭体系构成。红荧烯、并五苯、并六苯都是目前实验所常用的有机小分子半导体材料。通常来说，有机小分子材料拥有固定的分子量，在化合物纯度上具有优势。而且有机小分子材料分子结构固定，分子之间的排列紧密有序，这有利于载流子的输运。有机高分子材料又称聚合物或高聚物材料，一般由两种或更多种分子或分子团以共价键结合的形式，形成具有多个重复单体单元的大分子。聚合物材料可以很容易本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机场效应晶体管半导体层P型掺杂方法，其特征在于，包括如下步骤：将2,3,5,6
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四氟
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7,7',8,8'
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四氰二甲基对苯醌F4‑
TCNQ作为溶质、采用有机半导体层的正交溶剂作为F4‑
TCNQ的溶剂，在水氧环境下旋涂后，在50至100℃的温度条件下退火5至10min，制备获得掺杂的有机半导体层薄膜。2.如权利要求1所述的有机场效应晶体管半导体层P型掺杂方法，其特征在于，所述有机半导体层材料为DPPT
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TT、所述正交溶剂为乙酸丁酯。3.如权利要求2所述的有机场效应晶体管半导体层P型掺杂方法，其特征在于，所述使用有机半导体DPPT
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TT的正交溶剂乙酸丁酯来溶解掺杂剂F4‑
TCNQ，具体操作为在水氧环境中80℃加热12小时溶解。4.如权利要求1所述的有机场效应晶体管半导体层P型掺杂方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐勇，张引全，孙华斌，陈子龙，于志浩，吴洁，张晗，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：