扇出型封装结构和扇出型封装方法技术

本申请提供一种扇出型封装结构和扇出型封装方法，涉及半导体技术领域。该结构包括封装元件、塑封体、第一介质层和第二介质层，封装元件上设有第一焊盘和第二焊盘，第一焊盘的高度低于第二焊盘的高度，塑封体塑封封装元件，且第一焊盘的端面从塑封体表面露出，第一焊盘远离封装元件的一侧设有第一布线层，第一布线层上设有第一焊球；第一介质层设于第一布线层远离封装元件的一侧，第二焊盘的端面从第一介质层表面露出，第二焊盘远离封装元件的一侧设有第二布线层，第二布线层上设有第二焊球；第二布线层远离第一布线层的一侧设有第二介质层。该结构可以减少布线层数量，不需要额外增加导电柱。加导电柱。加导电柱。

【技术实现步骤摘要】
扇出型封装结构和扇出型封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种扇出型封装结构和扇出型封装方法。

技术介绍

[0002]现有的扇出工艺中，通常需要布置多层再布线层，以将芯片上的功能焊盘与接地焊盘线路连接至外部，然而将接地焊盘或者功能焊盘连接至外部需要通过导电孔、导电柱将多层再布线层相连实现芯片焊盘扇出扩展。制作的再布线层的层数越多时，需要的布线层工艺越复杂、导电孔数量会越多，从而导致成本的升高。此外，再布线层上的导电孔势必增加线路层之间的寄生效应以及电容效应，从而导致信号传输受到干扰，产品散热效果不佳。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的包括，例如，提供了一种扇出型封装结构和扇出型封装方法，无需额外设置导电柱，有利于简化工艺，减少寄生效应以及电容效应，避免信号传输受到干扰，提升产品散热效果。
[0004]本专利技术的实施例可以这样实现：第一方面，本专利技术提供一种扇出型封装结构，包括封装元件、塑封体、第一介质层和第二介质层，所述封装元件上设有第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘的高度低于所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种扇出型封装结构，其特征在于，包括封装元件、塑封体、第一介质层和第二介质层，所述封装元件上设有第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘的高度低于所述第二焊盘的高度，所述塑封体塑封所述封装元件，且所述第一焊盘的端面从所述塑封体表面露出，所述第一焊盘远离所述封装元件的一侧设有第一布线层，所述第一布线层与所述第一焊盘电连接，所述第一布线层上设有第一焊球；所述第一介质层设于所述第一布线层远离所述封装元件的一侧，所述第二焊盘的端面从所述第一介质层表面露出，所述第二焊盘远离所述封装元件的一侧设有第二布线层，所述第二焊盘与所述第二布线层电连接；所述第二布线层上设有第二焊球；所述第二布线层远离所述第一布线层的一侧设有第二介质层。2.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一介质层上开设第一电镀槽，所述第一电镀槽内设置第一凸块，所述第一凸块与所述第一布线层电连接，所述第一焊球设于所述第一凸块上。3.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第二介质层上开设第二电镀槽，所述第二电镀槽内设置第二凸块，所述第二凸块与所述第二布线层电连接，所述第二焊球设于所述第二凸块上。4.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一焊球的直径大于所述第二焊球的直径。5.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一焊球的高度等于所述第二焊球的高度与所述第二介质层的高度之和。6.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第二焊盘采用接地焊盘或屏蔽焊盘。7.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一焊球部分埋设在所述第二介质层内。8.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第二介质层开设第三电镀槽，所述第三电镀槽内设有第三凸块，所述第三凸块与所述第一布线层连接，所述第一焊球与所述第三凸块连接。9.根据权利要求8所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一焊球和所述第二焊球的尺寸相等。10.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一布线层和所述第二布线层通过所述第一焊球电性连接。11.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，还包括第一缓冲层，所述第一缓冲层设于相邻的所述第一焊盘和所述第二焊盘之间，或者设于相邻的两个所述第二焊盘之间，所述第一缓冲层的热膨胀系数小于所述塑封体的热膨胀系数。12.根据权利要求11所述的扇出型封装结构，其特征在于，若所述第一缓冲层设于相邻的所述第一焊盘和所述第二焊盘之间，则所述第一缓冲层采用绝缘材料；若所述第一缓冲层设于相邻的两个所述第二焊盘之间，则所述第一缓冲层采用绝缘材料或导电材料。13.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，还包括倒装芯片，所述倒装芯片设于所述第一布线层上，且与所述第一布线层电连接。14.根据权利要求13所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一布线层上设有第三
焊盘，所述倒装芯片设于所述第三焊盘上。15.根据权利要求13所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述封装元件包括间隔设置的第一芯片、第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片间隔设置，所述倒装芯片通过所述第一芯片和/或所述第二芯片以实现与所述第二布线层连接，采用所述第二布线层作为接地线路。16.根据权利要求15所述的扇出型封装结构，其特征在于，还包括第二缓冲层，所述第二缓冲层设于所述第一布线层远离所述倒装芯片的一侧，且所述第二缓冲层设于所述第一芯片和所述第二芯片之间，所述第二缓冲层的热膨胀系数小于所述塑封体的热膨胀系数。17.根据权利要求1所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一介质层上开设第四电镀槽，所述第四电镀槽设于所述第二焊盘的周围，所述第四电镀槽内设有金属块，所述金属块与所述第二焊盘直接连接，所述金属块用于引出所述第二布线层。18.根据权利要求17所述的扇出型封装结构，其特征在于，所述第一焊盘和所述第二焊盘之间的距离为W1，相邻两个所述第二焊盘之间的距离为W1，所述第四电镀槽的槽口宽度为W2，W2=W1/2；所述第四电镀槽的槽底宽度为W3，W3=W2/2。19.一种扇出型封装方法，其特征在于，包括：将封装元件放于载具上，在所述封装元件远离所述载具的一侧形成第一焊盘和第二焊盘，其中，所述第二焊盘的高度高于所述第一焊盘的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高源，胡彪，
申请(专利权)人：甬矽电子宁波股份有限公司，
类型：发明
国别省市：