一种宽禁带半导体模块的封装结构以及封装方法技术

本发明专利技术公开了一种宽禁带半导体模块的封装结构以及封装方法，包括：半导体模块，半导体模块包括氮化物芯片、二极管、若干打线盘、焊盘和管脚；氮化物芯片和二极管通过打线和铺铜走线的方式连接在一起，固定于衬底板上；打线盘通过打线方式连接对应的焊盘，该焊盘通过管脚引出；管脚通过焊盘固定在所述衬底板上下端。本发明专利技术通过打线和铺铜走线的方式将氮化物芯片和二极管连接并固定衬底板上，避免因氮化物芯片与二极管导线较长而产生寄生效应，提高了半导体模块的稳定性；氮化物芯片和二极管底部利用铺铜走线，铜的导热系数高，便于热传导，直接将半导体模块的热量通过铜传递到下层的衬底板，更好的进行散热。同时这种设计还节省了空间，便于后续半导体器件的制备。便于后续半导体器件的制备。便于后续半导体器件的制备。

【技术实现步骤摘要】
一种宽禁带半导体模块的封装结构以及封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装领域，特别是涉及一种宽禁带半导体模块的封装结构以及封装方法。

技术介绍

[0002]传统氮化镓芯片与二极管是通过PCB板上的电路实现连接的，图1为简化的氮化镓芯片与二极管连接示意图，由图1可见，氮化镓芯片和二极管分别作为独立的个体直接连接在电路中，占用了较大的面积，较长的导线也很容易导致电路产生寄生参数引发寄生效应(会破坏电路，造成电路故障)，并且，由于氮化镓芯片和二极管都存在较大的功耗，因此工作时会发热从而上升到较高的温度，这种高温会对整个系统造成影响，限制了应用的功率范围。
[0003]综上所述可以看出，专利技术降低寄生效应并提高散热的结构是目前有待解决的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种宽禁带半导体模块的封装结构以及封装方法，解决了现有技术中的连接结构容易产生寄生效应，并且散热效果不好的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种宽禁带半导体模块的封装结构包括：半导体模块，所述半导体模块包括氮化物芯片、二极管和衬底板，所述氮化物芯片和所述二极管下表面采用铺铜走线组合到一起固定在所述衬底板上表面；
[0006]基底，所述基底上表面与所述衬底板下表面连接；
[0007]焊盘，所述焊盘设置于所述衬底板两端，用于固定并连接管脚；
[0008]打线盘，所述打线盘设置于所述氮化物芯片和所述二极管上表面，通过打线与所述焊盘连接；
[0009]外壳，所述外壳的下表面与所述半导体模块上表面连接。
[0010]优选地，所述氮化物芯片为氮化镓芯片。
[0011]优选地，所述二极管包括：硅二极管或碳化硅二极管。
[0012]优选地，所述衬底板和所述外壳均为双面覆铜板或PCB板。
[0013]优选地，所述衬底板还包括：两个铜金属块，用于支撑上层的结构
[0014]优选地，所述基底为散热板。
[0015]优选地，所述打线盘包括：漏极打线盘，门极打线盘，开尔文源打线盘，源极打线盘和阳极打线盘。
[0016]优选地，所述焊盘包括：漏极焊盘，门极焊盘，开门文源焊盘，源极焊盘，阳极焊盘和阴极焊盘。
[0017]优选地，所述管脚包括：漏极管脚，门极管脚，开门文源管脚，源极管脚，阳极管脚和阴极管脚。
[0018]优选地，一种宽禁带半导体模板的封装方法，包括步骤：提供一衬底板；
[0019]将氮化物芯片和二极管通过铺铜走线固定到所述衬底板上表面，组合为半导体模块；
[0020]将所述衬底板下表面封装在基底上表面；
[0021]将管脚利用焊盘固定于所述衬底板两端；
[0022]将所述氮化物芯片和所述二极管中的电极制作为打线盘，利用打线方式连接对应的焊盘；
[0023]将外壳封装于所述半导体模块上表面。
[0024]本专利技术所提供的一种宽禁带半导体模板的封装结构以及封装方法，将氮化物芯片和二极管通过打线和铺铜走线的方式连接在一起，制作为一个整体模块固定在衬底板上表面，将氮化物芯片和二极管连接在一个模块中，避免因氮化物芯片和二极管之间的导线较长而产生寄生效应，降低产品的故障率；氮化物芯片和二极管底部利用铺铜走线，铜的导热系数高，便于热传导，直接将氮化物芯片和二极管散发的热量通过铜传递到下层的衬底板，更好的进行散热，基底上表面连接衬底板下表面，增加散热效率；通过打线盘固定氮化物芯片和二极管的电极，通过打线与焊盘相连由管脚引出，实现与其他设备连接，避免了过多的导线产生寄生效应，方便快捷的实现与外界连接，最后外壳增加半导体模块的散热；将氮化物芯片和二极管制作为一个模块这样的设计还节省了空间，便于后续半导体器件的制备。
附图说明
[0025]为了更清楚的说明本专利技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]图1为现有技术中传统芯片和二极管连接示意图；
[0027]图2为本专利技术所提供的宽禁带半导体的封装结构示意图；
[0028]图3为本专利技术所提供的半导体模块的封装结构示意图；
[0029]图4为本专利技术所提供的半导体模块中的各结构示意图；
[0030]图5为本专利技术所提供的宽禁带半导体的封装方法的第一种具体实施例的流程图。
具体实施方式
[0031]本专利技术的核心是提供一种宽禁带半导体模块的封装结构以及封装方法，将芯片和二极管制作为一个模块，降低寄生效应，利用铺铜走线提高导热效率，增加散热。
[0032]为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0033]请参考图2，本专利技术所提供的宽禁带半导体的封装结构包括：半导体模块，所述半导体模块包括氮化物芯片、二极管和衬底板，所述氮化物芯片和所述二极管下表面采用铺铜走线组合到一起固定在所述衬底板上表面；
[0034]基底，所述基底上表面与所述衬底板下表面连接；
[0035]焊盘，所述焊盘设置于所述衬底板两端，用于固定并连接管脚；
[0036]打线盘，所述打线盘设置于所述氮化物芯片和所述二极管上表面，通过打线与所述焊盘连接；
[0037]外壳，所述外壳的下表面与所述半导体模块上表面连接。
[0038]本专利技术的外壳采用散热效果好的PCB板或双面覆铜板，以及具有良好散热效果的其他材料；便于半导体模块中的氮化物芯片和二极管散热。
[0039]衬底板同样采用散热效果好的材料，通过铜线连接半导体模块，便于及时将半导体模块中的热量传递出去，使氮化物芯片和二极管的温度大大降低，起到很好的散热效果。
[0040]基底为散热板，将上层所传递的热量及时的散发出去，增加散热效果。
[0041]本实施例描述了一种宽禁带半导体的封装结构，利用散热板作为基底，本专利技术的半导体模块位于基底上层，进行塑封封装，外壳位于半导体模块上层，本专利技术的半导体模块具有良好的散热效果，基底采用散热板，进一步提高散热效果，最上层的外壳采用散热效果良好的材料，整体上提高散热效果，本专利技术将氮化物芯片和二极管制作在一起，避免因氮化镓芯片和二极管之间的导线较长而产生寄生效应，减少了因寄生效应产生的故障，提高半导体器件的稳定性，便于半导体器件进行更大功率的应用。
[0042]请参考图3和图4，图3为本专利技术所提供的半导体模块的封装结构示意图，图4为本专利技术半导体模块中结构详情示意图；氮化物芯片基岛1(用于固定氮化物芯片)，二极管基岛2(用于固定二极管)，打线盘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种宽禁带半导体模块的封装结构，其特征在于，包括：半导体模块，所述半导体模块包括氮化物芯片、二极管和衬底板，所述氮化物芯片和所述二极管下表面采用铺铜走线组合到一起固定在所述衬底板上表面；基底，所述基底上表面与所述衬底板下表面连接；焊盘，所述焊盘设置于所述衬底板两端，用于固定并连接管脚；打线盘，所述打线盘设置于所述氮化物芯片和所述二极管上表面，通过打线与所述焊盘连接；外壳，所述外壳的下表面与所述半导体模块上表面连接。2.如权利要求1所述的宽禁带半导体模块的封装结构，其特征在于，所述氮化物芯片为氮化镓芯片。3.如权利要求1所述的宽禁带半导体模块的封装结构，其特征在于，所述二极管包括：硅二极管或碳化硅二极管。4.如权利要求1所述的宽禁带半导体模块的封装结构，其特征在于，所述衬底板和所述外壳均为双面覆铜板或PCB板。5.如权利要求1所述的宽禁带半导体模块的封装结构，其特征在于，所述衬底板还包括：两个铜金属块，用于支撑上层的结构。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：许彪，傅玥，孔令涛，
申请(专利权)人：南京芯干线科技有限公司，
类型：发明
国别省市：