三维存储器及其形成方法、三维存储器的量测方法技术

本发明专利技术涉及一种三维存储器及其形成方法、三维存储器的量测方法。所述三维存储器包括：器件结构，包括堆叠层，所述堆叠层中具有多个沟道孔，每一所述沟道孔包括具有第一预设相对偏移量的第一沟道孔和第二沟道孔；量测结构，位于所述器件结构外部，所述量测结构包括多个量测子阵列，相邻所述量测子阵列之间具有一间距，每个所述量测子阵列中包括呈阵列排布的多个量测孔，所述量测孔包括具有第二预设相对偏移量第一量测孔和第二量测孔，所述第一预设偏移量和所述第二预设偏移量之间具有一预设差值。本发明专利技术提高了所述沟道孔内套准量测结果的可靠性和准确性。可靠性和准确性。可靠性和准确性。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器及其形成方法、三维存储器的量测方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种三维存储器及其形成方法、三维存储器的量测方法。

技术介绍

[0002]随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。
[0003]其中，3D NAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度，高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。
[0004]随着内存需求的不断增加，大容量内存的需求日益突出。不断增加3DNAND存储器的堆叠层数，会增大刻蚀沟道孔等结构时的刻蚀难度，而双堆叠(dual
‑
deck)工艺可以很好的解决堆叠层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底；器件结构，位于所述衬底上，所述器件结构包括堆叠层，所述堆叠层中具有呈阵列排布的多个沟道孔，每一所述沟道孔包括第一沟道孔、以及位于所述第一沟道孔上方且与所述第一沟道孔连通的第二沟道孔，在沿平行于所述衬底的顶面的方向上，所述第一沟道孔和与其连通的所述第二沟道孔之间具有第一预设相对偏移量；量测结构，位于所述衬底上且分布于所述器件结构外部，所述量测结构包括多个量测子阵列，相邻所述量测子阵列之间具有一间距，每个所述量测子阵列中包括呈阵列排布的多个量测孔，每一所述量测孔包括第一量测孔、以及位于所述第一量测孔上方且与所述第一量测孔连通的第二量测孔，在沿平行于所述衬底的顶面的方向上，所述第一量测孔和与其连通的所述第二量测孔之间具有第二预设相对偏移量，所述第一预设相对偏移量和所述第二预设相对偏移量之间具有一预设差值。2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠层包括第一堆叠层、以及位于所述第一堆叠层上方的第二堆叠层，所述第一沟道孔沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述第一堆叠层，所述第二沟道孔沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述第二堆叠层；所述量测结构包括第一介质层、以及位于所述第一介质层上方的第二介质层，所述第一量测孔位于所述第一介质层中，所述第二量测孔位于所述第二介质层中。3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一量测孔的形状和/或尺寸与所述第一沟道孔的形状和/或尺寸相同；所述第二量测孔的形状和/或尺寸与所述第二沟道孔的形状和/或尺寸相同。4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述间距的宽度大于一个所述量测孔的内径。5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述器件结构还包括栅线隔槽；所述间距的宽度大于或者等于所述栅线隔槽的宽度。6.根据权利要求1所述的三维存储器，所述第一量测孔的孔径、所述第二量测孔的孔径、所述第一沟道孔的孔径和所述第二沟道孔的孔径均相等；所述预设差值小于或者等于第一量测孔的孔径的一半。7.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述衬底包括多条切割道，所述切割道将所述衬底分隔为多个芯片，所述器件结构位于所述芯片内，所述量测结构位于所述切割道中。8.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述衬底包括多条切割道，所述切割道将所述衬底分隔为多个芯片，所述器件结构和所述量测结构均位于所述芯片内。9.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述堆叠层中的多个所述沟道孔与所述量测结构中的多个所述量测孔一一对应。10.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述量测结构中的多个所述量测子阵列沿第一方...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨超，吴振国，赵利俊，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：