温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种三维存储器及其形成方法、三维存储器的量测方法。所述三维存储器包括：器件结构，包括堆叠层，所述堆叠层中具有多个沟道孔，每一所述沟道孔包括具有第一预设相对偏移量的第一沟道孔和第二沟道孔；量测结构，位于所述器件结构外部，所述量测结构...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。