存储器检测方法、检测装置、计算机存储介质及电子设备制造方法及图纸

本申请公开了一种存储器检测方法、检测装置、计算机存储介质及电子设备，方法包括：对与第一目标字线连接的存储单元写入第一数据；对所述第一目标字线间的与第二目标字线连接的存储单元写入第二数据；对与所述第一目标字线连接的存储单元进行第一次调压，用于增大所述第一目标字线和所述第二目标字线之间的压差；完成第一次调压后，对所述第二目标字线进行第一预设次数的开启和关断；对与所述第一目标字线连接的存储单元进行第二次调压，用于增大所述第一目标字线和所述第二目标字线之间的压差；完成第二次调压后，对所述第二目标字线进行第二预设次数的开启和关断；对所述第一目标字线连接的存储单元执行读取操作。字线连接的存储单元执行读取操作。字线连接的存储单元执行读取操作。

【技术实现步骤摘要】
存储器检测方法、检测装置、计算机存储介质及电子设备


[0001]本申请涉及半导体器件测试的
，特别涉及一种存储器检测方法、检测装置、计算机存储介质及电子设备。

技术介绍

[0002]DRAM(Dynamic Random Access Memory动态随机存取存储器)，其中，DRAM Array为动态随机存取存储器阵列结构。
[0003]目前，在DRAM Array的检测过程中，由于动态随机存取存储器阵列中存储单元本身的数据保持时间易失性，即DRAM Array中的储单元电荷会不断损失而变少的问题，影响DRAM Array后段测试的覆盖率。
[0004]因此，如何解决上述问题成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本申请的目的是提供一种存储器检测方法、检测装置、计算机存储介质及电子设备，能够解决上述的问题。
[0006]本申请实施例的第一方面提供一种存储器检测方法，包括：
[0007]对与第一目标字线连接的存储单元写入第一数据；
[0008]对所述第一目标字线间的与第二目标字线连接的存储单元写入第二数据；
[0009]对与所述第一目标字线连接的存储单元进行第一次调压，用于增大所述第一目标字线和所述第二目标字线之间的压差；
[0010]完成第一次调压后，对所述第二目标字线进行第一预设次数的开启和关断；
[0011]对与所述第一目标字线连接的存储单元进行第二次调压，用于增大所述第一目标字线和所述第二目标字线之间的压差；
[0012]完成第二次调压后，对所述第二目标字线进行第二预设次数的开启和关断；
[0013]对所述第一目标字线连接的存储单元执行读取操作。
[0014]一些实施例中，所述对与所述第一目标字线连接的存储单元进行第一次调压之后，还包括：
[0015]对与所述第一目标字线和所述第二目标字线连接的存储单元进行刷新。
[0016]一些实施例中，对所述第一目标字线写入的所述第一数据的值配置为0，所述第二目标字线写入的所述第二数据的值配置为1；其中，在所述对第一目标字线连接的存储单元写入第一数据之前，还包括：
[0017]将与所述第一目标字线连接的存储单元的电容量从默认值调高至第一目标电容值，所述目标电容值与所述默认值的压差为0～350mv。
[0018]一些实施例中，所述完成第二次调压后，对所述第二目标字线进行第二预设次数的开启和关断之后，还包括：
[0019]将与所述第一目标字线连接的存储单元的电容量恢复至所述默认值；
[0020]对与所述第一目标字线和所述第二目标字线连接的存储单元进行刷新。
[0021]一些实施例中，还包括；
[0022]在对与所述第一目标字线连接的存储单元进行第一次调压时，对与所述第二目标字线连接的存储单元对应的位线参考电压进行调压，用于增大所述位线参考电压和所述第二目标字线连接的存储单元的位线输出电压之间的压差。
[0023]一些实施例中，对所述第一目标字线写入的所述第一数据的值配置为0，所述第二目标字线写入的所述第二数据的值配置为1；
[0024]其中，所述第一次调压配置为对存储单元电容器的下极板电压的降压处理，所述第二次调压配置为对存储单元电容器的下极板电压的降压处理。
[0025]一些实施例中，所述对与所述第二目标字线连接的存储单元对应的位线参考电压进行调压，包括：
[0026]对与所述第二目标字线连接的存储单元对应的位线参考电压进行降压处理。
[0027]一些实施例中，所述第一次调压的降压值和第二次调压的降压值之和小于等于500mv；
[0028]其中，所述第一次调压的降压值小于等于150mv，所述第二次调压的降压值小于等于350mv。
[0029]一些实施例中，所述对所述第二目标字线进行第一预设次数的开启和关断之前，还包括：
[0030]将与所述第一目标字线连接的存储单元的电容量调高至第二目标电容值。
[0031]一些实施例中，所述第二目标电容值与所述存储单元的电容量的默认值的压差为500～750mv。
[0032]一些实施例中，对所述第一目标字线写入的所述第一数据的值配置为1，所述第二目标字线写入的所述第二数据的值配置为0；
[0033]其中，所述第一次调压配置为对存储单元电容器的下极板电压的增压处理，所述第二次调压配置为对存储单元电容器的下极板电压的增压处理。
[0034]一些实施例中，所述对与所述第二目标字线连接的存储单元对应的位线参考电压进行调压，包括：
[0035]对与所述第二目标字线连接的存储单元对应的位线参考电压进行增压处理。
[0036]一些实施例中，所述第一次调压的增压值和第二次调压的增压值之和小于等于500mv；
[0037]其中，所述第一次调压的增压值小于等于150mv，所述第二次调压的增压值小于等于350mv。
[0038]本申请实施例的第二方面提供一种存储器检测装置，包括：
[0039]第一写入模块，用于对与第一目标字线连接的存储单元写入第一数据；
[0040]第二写入模块，用于对所述第一目标字线间的与第二目标字线连接的存储单元写入第二数据；
[0041]第一调节模块，用于对与所述第一目标字线连接的存储单元进行第一次调压，用于增大所述第一目标字线和所述第二目标字线之间的压差；
[0042]第一控制模块，用于所述第一调节模块完成第一次调压后，所述第一控制模块对
所述第二目标字线进行第一预设次数的开启和关断；
[0043]第二调节模块，用于对与所述第一目标字线连接的存储单元进行第二次调压，用于增大所述第一目标字线和所述第二目标字线之间的压差；
[0044]第二控制模块，用于所述第二调节模块完成第二次调压后，所述第二控制模块对所述第二目标字线进行第二预设次数的开启和关断；
[0045]读取模块，用于对所述第一目标字线连接的存储单元执行读取操作。
[0046]一些实施例中，还包括：
[0047]第一刷新模块，用于对与所述第一目标字线和所述第二目标字线连接的存储单元进行刷新。
[0048]一些实施例中，所述第一写入模块对所述第一目标字线写入的所述第一数据的值配置为0，所述第二写入模块所述第二目标字线写入的所述第二数据的值配置为1；其中,所述存储器检测装置还包括：
[0049]恢复模块，用于将与所述第一目标字线连接的存储单元的电容量恢复至默认值；
[0050]第二刷新模块，用于对与所述第一目标字线和所述第二目标字线连接的存储单元进行刷新。
[0051]一些实施例中，还包括；
[0052]第三调节模块，用于所述第一调节模块对与所述第一目标字线连接的存储单元进行第一次调压时，所述第三调节模块对与所述第二目标字线连接的存储单元对应的位线参考电压进行调压,用于增大所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器检测方法，包括：对与第一目标字线连接的存储单元写入第一数据；对所述第一目标字线间的与第二目标字线连接的存储单元写入第二数据；对与所述第一目标字线连接的存储单元进行第一次调压，用于增大所述第一目标字线和所述第二目标字线之间的压差；完成第一次调压后，对所述第二目标字线进行第一预设次数的开启和关断；对与所述第一目标字线连接的存储单元进行第二次调压，用于增大所述第一目标字线和所述第二目标字线之间的压差；完成第二次调压后，对所述第二目标字线进行第二预设次数的开启和关断；对所述第一目标字线连接的存储单元执行读取操作。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对与所述第一目标字线连接的存储单元进行第一次调压之后，还包括：对与所述第一目标字线和所述第二目标字线连接的存储单元进行刷新。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对与所述第一目标字线连接的存储单元写入的所述第一数据的值配置为0，所述第二目标字线连接的存储单元写入的所述第二数据的值配置为1；其中，在所述对第一目标字线连接的存储单元写入第一数据之前，还包括：将与所述第一目标字线连接的存储单元的电容量从默认值调高至第一目标电容值，所述第一目标电容值与所述默认值的压差为0～350mv。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述完成第二次调压后，对所述第二目标字线进行第二预设次数的开启和关断之后，还包括：将与所述第一目标字线连接的存储单元的电容量恢复至所述默认值；对与所述第一目标字线和所述第二目标字线连接的存储单元进行刷新。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括；在对与所述第一目标字线连接的存储单元进行第一次调压时，对与所述第二目标字线连接的存储单元对应的位线参考电压进行调压，用于增大所述位线参考电压和所述第二目标字线连接的存储单元的位线输出电压之间的压差。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，对与所述第一目标字线连接的存储单元写入的所述第一数据的值配置为0，所述第二目标字线连接的存储单元写入的所述第二数据的值配置为1；其中，所述第一次调压配置为对存储单元电容器的下极板电压的降压处理，所述第二次调压配置为对存储单元电容器的下极板电压的降压处理。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对与所述第二目标字线连接的存储单元对应的位线参考电压进行调压，包括：对与所述第二目标字线连接的存储单元对应的位线参考电压进行降压处理。8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一次调压的降压值和第二次调压的降压值之和小于等于500mv；其中，所述第一次调压的降压值小于等于150mv，所述第二次调压的降压值小于等于350mv。9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对所述第二目标字线进行第一预设次
数的开启和关断之前，还包括：将与所述第一目标字线连接的存储单元的电容量调高至第二目标电容值。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二目标电容值与所述第一目标字线连接的存储单元的电容量默认值的压差为500～750mv。11.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，对与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：第五天昊，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：