包含自对准导电触点的存储器装置制造方法及图纸

本申请案涉及包含自对准导电触点的存储器装置。一些实施例包含设备及形成设备的方法。设备中的一者包含：导电材料层阶，其与电介质材料层阶交错；存储器单元串，其包含延伸穿过导电材料层阶及电介质材料层阶的相应支柱；电介质结构，其形成于狭缝中，狭缝延伸穿过所述导电材料层阶及所述电介质材料层阶，所述电介质结构将所述导电材料层阶及所述电介质材料层阶分离成第一部分及第二部分；第一导电结构，其定位于第一存储器单元串的相应支柱之上且耦合到所述相应支柱；第二导电结构，其定位于第二存储器单元串的相应支柱之上且耦合到所述相应支柱；及导电线，其接触所述电介质结构、所述第一导电结构中的导电结构及所述第二导电结构中的导电结构。导电结构中的导电结构。导电结构中的导电结构。

【技术实现步骤摘要】
包含自对准导电触点的存储器装置


[0001]本文中描述的实施例涉及包含耦合于存储器装置的数据线与存储器单元串的支柱之间的导电结构的存储器装置。

技术介绍

[0002]存储器装置广泛用于计算机及许多其它电子物品中。存储器装置通常具有用于存储信息(例如数据)的众多存储器单元及将信息(呈电信号形式)来回载送于存储器单元的数据线。在存储器装置制造期间，存储器单元通常划分成物理块。在形成存储器装置的一些常规过程中，存储器装置中的块易受块弯曲误差影响，其中块的结构可弯曲。块弯曲误差可致使存储器装置的一些导电元件之间失准。中等块弯曲误差可导致此类导电元件之间的不良电连接。严重块弯曲误差可导致存储器装置中的一些电连接故障。

技术实现思路

[0003]一方面，本申请案提供一种设备，其包括：导电材料层阶，其与电介质材料层阶交错；存储器单元串，其包含延伸穿过所述导电材料层阶及所述电介质材料层阶的相应支柱；电介质结构，其形成于狭缝中，所述狭缝延伸穿过所述导电材料层阶及所述电介质材料层阶，所述电介质结构将所述导电材料层阶及所述电介质材料层阶分离成第一部分及第二部分，所述第一部分包含所述存储器单元串中的第一存储器单元串，所述第二部分包含所述存储器单元串中的第二存储器单元串；第一导电结构，其定位于所述第一存储器单元串的相应支柱之上且电耦合到所述相应支柱；第二导电结构，其定位于所述第二存储器单元串的相应支柱之上且电耦合到所述相应支柱；及导电线，其接触所述电介质结构、所述第一导电结构中的导电结构及所述第二导电结构中的导电结构。
>[0004]在另一方面中，本申请案提供一种设备，其包括：导电材料层阶，其与电介质材料层阶交错；存储器单元串，其包含延伸穿过所述导电材料层阶及所述电介质材料层阶的相应支柱；第一导电触点，其分别电耦合到所述支柱；额外电介质材料层阶，其定位于所述第一导电触点之上；第二导电触点，其分别形成于所述额外电介质材料中的相应位置中且耦合到所述第一导电触点；电介质结构，其形成于狭缝中，所述狭缝延伸穿过所述导电材料层阶及所述电介质材料层阶，所述电介质结构将所述导电材料层阶及所述电介质材料层阶分离成第一部分及第二部分，所述第一部分包含所述存储器单元串中的第一存储器单元串，所述第二部分包含所述存储器单元串中的第二存储器单元串，所述电介质结构将所述额外电介质材料层阶分离成第一电介质部分及第二电介质部分，所述第一电介质部分包含所述第二导电触点的第一部分，所述第二电介质部分包含所述第二导电触点的第二部分；及导电区域，其接触所述电介质结构、所述第一电介质部分中的所述第二导电触点中的导电触点及所述第二电介质部分中的所述第二导电触点中的导电触点。
[0005]在又一方面中，本申请案提供一种方法，其包括：形成与第二材料层阶交错的第一材料层阶；形成存储器单元串，其包含形成穿过所述第一材料层阶及所述第二材料层阶的
所述存储器单元串的相应支柱；分别在所述支柱之上形成导电结构；在形成导电结构之后形成狭缝，所述狭缝将所述导电结构划分成所述导电结构的第一部分及所述导电结构的第二部分，所述狭缝经形成穿过所述第一材料层阶及所述第二材料层阶且将所述第一材料层阶及所述第二材料层阶划分成第一部分及第二部分，所述第一部分及所述第二部分中的每一者包含所述存储器单元串的相应部分；在所述狭缝中形成电介质结构；及在所述电介质结构、所述导电结构的所述第一部分的导电结构及所述导电结构的所述第二部分的导电结构之上形成导电线且使所述导电线接触所述电介质结构、所述导电结构的所述第一部分的所述导电结构及所述导电结构的所述第二部分的所述导电结构。
[0006]在又一方面中，本申请案提供一种方法，其包括：形成与第二电介质材料层阶交错的第一电介质材料层阶；形成存储器单元串，其包含形成穿过所述第一电介质材料层阶及所述第二电介质材料层阶的所述存储器单元串的相应支柱；在形成所述支柱之后形成与第二额外电介质材料层阶交错的第一额外电介质材料层阶；分别在所述支柱之上形成穿过所述第一额外电介质材料层阶及所述第二额外电介质材料层阶的导电结构；在形成所述导电结构之后形成狭缝，所述狭缝经形成穿过所述第一额外电介质材料层阶、所述第二额外电介质材料层阶、所述第一电介质材料层阶及所述第二电介质材料层阶，所述狭缝将所述第一电介质材料层阶及所述第二电介质材料层阶划分成第一部分及第二部分，所述第一部分及所述第二部分中的每一者包含所述存储器单元串的相应部分，所述狭缝将所述第一额外电介质材料层阶及所述第二额外电介质材料层阶划分成第一额外部分及第二额外部分，所述第一额外部分包含所述导电结构的第一部分，所述第二额外部分包含所述导电结构的第二部分；用相应导电材料层阶替换所述第一部分及所述第二部分中的所述第一电介质材料层阶及所述第一额外部分及所述第二额外部分中的所述第一额外电介质材料层阶；在所述狭缝中形成电介质结构，所述电介质结构电分离所述第一部分中的所述导电材料层阶与所述第二部分中的所述导电材料层阶，所述电介质结构电分离所述第一额外部分中的所述导电材料层阶与所述第二额外部分中的所述导电材料层阶；及在所述电介质结构、所述导电结构的所述第一部分的导电结构及所述导电结构的所述第二部分的导电结构之上形成导电线且使所述导电线接触所述电介质结构、所述导电结构的所述第一部分的所述导电结构及所述导电结构的所述第二部分的所述导电结构。
[0007]在又一方面中，本申请案提供一种方法，其包括：形成与第二电介质材料层阶交错的第一电介质材料层阶；形成存储器单元串，其包含形成穿过所述第一电介质材料层阶及所述第二电介质材料层阶的所述存储器单元串的相应支柱；分别在所述支柱之上形成导电结构，其包含形成所述导电结构的相应第一导电触点；在所述第一导电触点之上形成第一开口，使得所述第一开口中的每一者与所述第一导电触点中的相应导电触点竖直对准；在所述第一开口中形成电介质材料；在所述第一开口中形成所述电介质材料之后形成狭缝，所述狭缝经形成穿过所述第一电介质材料层阶及所述第二电介质材料层阶，所述狭缝将所述第一电介质材料层阶及所述第二电介质材料层阶划分成第一部分及第二部分，所述第一部分及所述第二部分中的每一者包含所述存储器单元串的相应部分，所述狭缝将所述第一导电触点划分成所述第一导电触点的第一部分及所述第一导电触点的第二部分；用相应导电材料层阶替换所述第一部分及所述第二部分中的所述第一电介质材料层阶；在所述狭缝中形成电介质结构，所述电介质结构电分离所述第一部分中的所述导电材料层阶与所述第
二部分中的所述导电材料层阶；在所述第一开口中的所述电介质材料的相应位置处形成第二开口以分别在所述第二开口处暴露所述第一导电触点；分别在所述第二开口中形成所述导电结构的第二导电触点，所述第二导电触点接触所述第一导电触点的所述第一及第二部分中的相应导电触点；及在所述电介质结构、所述第二导电触点中接触所述第一导电触点的所述第一部分的导电触点的导电触点及所述第二导电触点中接触所述第一导电触点的所述第二部分的导电触点的导电触点之上形成导电线且使所述导电线接触所述电介质结构、所述第二导电触点中接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：导电材料层阶，其与电介质材料层阶交错；存储器单元串，其包含延伸穿过所述导电材料层阶及所述电介质材料层阶的相应支柱；电介质结构，其形成于狭缝中，所述狭缝延伸穿过所述导电材料层阶及所述电介质材料层阶，所述电介质结构将所述导电材料层阶及所述电介质材料层阶分离成第一部分及第二部分，所述第一部分包含所述存储器单元串中的第一存储器单元串，所述第二部分包含所述存储器单元串中的第二存储器单元串；第一导电结构，其定位于所述第一存储器单元串的相应支柱之上且电耦合到所述相应支柱；第二导电结构，其定位于所述第二存储器单元串的相应支柱之上且电耦合到所述相应支柱；及导电线，其接触所述电介质结构、所述第一导电结构中的导电结构及所述第二导电结构中的导电结构。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述导电线在所述导电线与所述电介质结构之间的接口处接触所述电介质结构，其中所述接口在所述第一导电结构中的所述导电结构及所述第二导电结构中的所述导电结构上方。3.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：第一电介质材料层阶；及第二电介质材料层阶，其定位于所述第一电介质材料层阶上，其中所述第一导电结构中的所述导电结构包含形成于所述第一电介质材料层阶中的第一导电触点及形成于所述第二电介质材料层阶中且接触所述第一导电触点的第二导电触点。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第一电介质材料层阶及所述第二电介质材料层阶包含相同电介质材料。5.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：第一额外导电材料层阶，其与第二额外电介质材料层阶交错，所述第一额外导电材料层阶及所述第二额外电介质材料层阶定位于所述导电材料层阶及所述电介质材料层阶之上，其中，所述第一导电结构中的每一者包含延伸穿过所述第一额外导电材料层阶及所述第二额外电介质材料层阶且通过电介质材料与所述第一额外导电材料层阶及所述第二额外电介质材料层阶分离的沟道区域。6.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：阶梯结构，其由所述第一部分中的所述导电材料层阶的一部分形成；导电触点，其在所述阶梯结构处的所述第一部分中分别耦合到所述导电材料层阶，所述导电触点具有在从所述导电材料层阶中的第一层阶到所述导电材料层阶中的第二层阶的方向上延伸的长度；及额外导电线，其分别接触所述导电触点。7.一种设备，其包括：导电材料层阶，其与电介质材料层阶交错；
存储器单元串，其包含延伸穿过所述导电材料层阶及所述电介质材料层阶的相应支柱；第一导电触点，其分别电耦合到所述支柱；额外电介质材料层阶，其定位于所述第一导电触点之上；第二导电触点，其分别形成于所述额外电介质材料中的相应位置中且耦合到所述第一导电触点；电介质结构，其形成于狭缝中，所述狭缝延伸穿过所述导电材料层阶及所述电介质材料层阶，所述电介质结构将所述导电材料层阶及所述电介质材料层阶分离成第一部分及第二部分，所述第一部分包含所述存储器单元串中的第一存储器单元串，所述第二部分包含所述存储器单元串中的第二存储器单元串，所述电介质结构将所述额外电介质材料层阶分离成第一电介质部分及第二电介质部分，所述第一电介质部分包含所述第二导电触点的第一部分，所述第二电介质部分包含所述第二导电触点的第二部分；及导电区域，其接触所述电介质结构、所述第一电介质部分中的所述第二导电触点中的导电触点及所述第二电介质部分中的所述第二导电触点中的导电触点。8.根据权利要求7所述的设备，其中所述额外电介质材料层阶及所述电介质材料层阶具有不同电介质材料。9.根据权利要求8所述的设备，其中：所述额外电介质材料层阶包含氮化硅；且所述电介质材料层阶包含二氧化硅。10.根据权利要求7所述的设备，其中所述第二导电触点中的每一者具有小于所述第一导电触点中的每一者的宽度的宽度。11.根据权利要求7所述的设备，其进一步包括：阶梯结构，其由所述第一部分中的所述导电材料层阶的一部分形成；额外导电触点，其在所述阶梯结构处的所述第一部分中分别耦合到所述导电材料层阶，所述额外导电触点具有在从所述导电材料层阶中的第一层阶到所述导电材料层阶中的第二层阶的方向上延伸的长度；及导电线，其分别接触所述额外导电触点。12.根据权利要求11所述的设备，其进一步包括：第一额外导电材料层阶，其与第二额外电介质材料层阶交错，所述第一额外导电材料层阶及所述第二额外电介质材料层阶定位于所述导电材料层阶及所述电介质材料层阶之上，其中，所述额外导电触点延伸穿过所述第一额外导电材料层阶及所述第二额外电介质材料层阶且与所述第一额外导电材料层阶及所述第二额外电介质材料层阶电分离。13.一种方法，其包括：形成与第二材料层阶交错的第一材料层阶；形成存储器单元串，其包含形成穿过所述第一材料层阶及所述第二材料层阶的所述存储器单元串的相应支柱；分别在所述支柱之上形成导电结构；
在形成导电结构之后形成狭缝，所述狭缝将所述导电结构划分成所述导电结构的第一部分及所述导电结构的第二部分，所述狭缝经形成穿过所述第一材料层阶及所述第二材料层阶且将所述第一材料层阶及所述第二材料层阶划分成第一部分及第二部分，所述第一部分及所述第二部分中的每一者包含所述存储器单元串的相应部分；在所述狭缝中形成电介质结构；及在所述电介质结构、所述导电结构的所述第一部分的导电结构及所述导电结构的所述第二部分的导电结构之上形成导电线且使所述导电线接触所述电介质结构、所述导电结构的所述第一部分的所述导电结构及所述导电结构的所述第二部分的所述导电结构。14.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述导电结构包含：形成第一导电触点；及在形成所述第一导电触点之后形成第二导电触点，所述第二导电触点定位于所述第一导电触点与所述导电线之间。15.根据权利要求13所述的方法，其中形成所述电介质结构包含：在所述狭缝的第一侧壁上且在所述狭缝的第二侧壁上形成电介质材料，所述第一及第二侧壁彼此对置；及在所述狭缝的所述第一侧壁上的所述电介质材料与所述狭缝的所述第二侧壁上的所述电介质材料之间形成额外材料。16.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一材料层阶包含相应第一电介质材料层阶，所述第二材料层阶包含相应第二电介质材料层阶，且所述方法进一步包括：在所述狭缝中形成所述电介质结构之前用相应导电材料层阶替换所述第一部分及所述第二部分中的所述第一电介质材料层阶，其中，所述电介质材料在用相应导电材料层阶替换所述第一电介质材料层阶之后形成，且所述电介质结构电分离所述第一部分中的所述导电材料层阶与所述第二部分中的所述导电材料层阶。17.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：K，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：