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本申请案涉及包含自对准导电触点的存储器装置。一些实施例包含设备及形成设备的方法。设备中的一者包含：导电材料层阶，其与电介质材料层阶交错；存储器单元串，其包含延伸穿过导电材料层阶及电介质材料层阶的相应支柱；电介质结构，其形成于狭缝中，狭缝延伸...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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