半控桥式全波整流调压器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种可控硅半控桥式全波整流调压器，其半控桥式整流电路的输入端与脉冲形成电路输入端并接，脉冲形成电路输出端与半控桥式整流电路中可控硅控制极同路相连，并受脉冲控制调节电路三极管Ｔ↓［２］控制。脉冲控制调节电路输入端连接至测量比较电路三极管Ｔ↓［３］的输出端，测量比较电路与半控桥式整流电路共用同一电源。本调压器具有电路简单、元件工作时间短、发电机出能低等诸多优点。（*该技术在2010年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于汽车、摩托车充电调节器领域，具体涉及一种可控硅半控桥式全波整流调压器。从现有各型汽车、摩托车配套的充电调压器原理来分析，其结构及组成上主要有以下三种型式①继电器、断电节流调压式；②晶体管开关限压、分流式；③可控硅并联分流调压式。继电器、断电器式的基本原理是通过继电器触点的开断，调节直流充电电压，使其恒定。继电器触点的开、关闭，使电磁干扰大、触点易烧蚀、工作稳定性及可靠性差、调节精度不足、稳压范围窄。晶体管及可控硅分流式两种型式的电路，采用的是半导体元件作开关，反应速度快、稳压精度较高，但这种方式的致命点是晶体管及可控硅在发电机电压升高时通过其导通分流实现稳压，即靠发电机内阻耗能稳压。不仅造成了能量的浪费，更使充电发电机绕组的电流增大，从而使发电机自身功耗增大，发热加剧，导致发电机材料的浪费及寿命的缩短。本技术的目的在于克服现有技术的不足，通过采用可控硅半控桥式整流技术及与之相配合的触发电路，提供一种使用寿命长、可靠性高的可控硅半控桥式全波整流调压器。本技术采用如下技术方案半控桥式全波整流调压器，包括以交流电源为输入量的半控桥式整流电路和控制极触发电路两部分，控制极触发电路由脉冲形成电路，脉冲控制调节电路和测量比较电路组成。半控桥式整流电路的输入端与脉冲形成电路输入端并接，脉冲形成电路的输入端经与交流电源各相分别串联的二极管D3、D4组成的共阴极整流电路后一路连接至三极管T1的c极，另一路经电阻R3分别连接至T1的b极以及脉冲控制调节电路中三极管T2的c极，T1的e极接二极管D5、D6组成的共阳极电路，D5、D6的负极连至半控桥式整流电路中可控硅控制极回路，电阻R1、R2分别并接在可控硅T4、T5控制极；所述测量比较电路T3的c极经脉冲控制调节电路中电阻R4连接至三极管T2的b极，T3的发射结接于测量电路中电阻R6的两端，R6、W1、R5三者串联后并接于半控桥式整流电路的输出端，C1并接于T3的发射结。输入三相交流电源时，脉冲形成电路的输入端经与交流电源各相分别串联的二极管D3、D4、D8组成的共阴极整流电路后一路连接至三极管T1的c极，另一路经电阻R3分别连接至T1的b极以及脉冲控制调节电路中三极管T2的c极，T1的e极接二极管D5、D6、D7组成的共阳极电路，D5、D6、D7的负极连至半控桥式整流电路中可控硅控制极回路，电阻R1、R2、R7分别并接在可控硅T4、T5、T6控制极。本调压器采用可控硅半控桥式整流技术，配合新型触发电路，构成了完整的半控桥式恒压充电调节器，其采用的交流电直接整流触发、三极管脉冲控制调压技术，使其输出电压在调节值点恒定。具有电路简单、元件少、元件工作时间短、发电机耗能低、稳压精度高、电压适应范围宽(10-150V)等诸多优点，并克服了晶体管分流式、可控硅分流式及继电器断电节流式调压电路的缺点。下面再结合附图和实施例对本技术做进一步说明。附图说明图1为本调节器的电路框图。图2为单相输入时本调压器的电路图。图3为三相输入时本调压器的电路图。如图1-2所示，本半控桥式全波整流调压器，包括以交流电源为输入量的半控桥式整流电路和控制极触发电路两部分。控制极触发电路由脉冲形成电路，脉冲控制调节电路和测量比较电路组成。半控桥式整流电路的输入端与脉冲形成电路输入端并接，脉冲形成电路输出端与半控桥式整流电路中可控硅控制极回路相连，并受脉冲控制调节电路三极管T2控制。脉冲控制调节电路输入端连接至测量比较电路三极管T3的输出端，其工作电源由交流电源经D3、D4整流后通过R3提供，偏置电源由D3、D4的输出经R3、D5(D6)、T4(T5)控制极回路及测量比较电路提供。测量比较电路的输入端与半控桥式整流电路的输出端相连接，共用同一电源。图2为单相输入时本调压器的电路图。脉冲形成电路由二极管D3、D4、D5、D6，电阻R1、R2、R3，三极管T1构成。其输入端经与交流电源各相分别串联的二极管D3、D4组成的共阴极整流电路后一路连接至三极管T1的c极，另一路经电阻R3分别连接至T1的b极以及脉冲控制调节电路中三极管T2的c极，T1的e极接二极管D5、D6组成的共阳极电路，D5、D6的负极连至半控桥式整流电路中可控硅控制极回路，电阻R1、R2分别并接在可控硅T4、T5控制极。测量比较电路由三极管T3、电阻R1、R2、电容C1和稳压器W1构成。测量比较电路T3的c极经脉冲控制调节电路中电阻R4连接至三极管T2的b极，T3的发射结接于测量电路中电阻R6的两端，R6、W1、R5三者串联后并接于半控桥式整流电路的输出端，C1并接于T3的发射结。本技术的电路工作原理如下(以单相为例)1.当电源正半周，即1+、2-，且UC2＜UW1时，D4截止，D3导通，电源经D3整流，使T1发射结正偏置，T1导通，触发半控桥式整流器电路中的可控硅T4，触发电流的流向为1+→D3→T1ce→D5(D6)→T4(T5)控制极→R6→W1→R5→D2→2-，此时因可控硅T4阳极电位为正，T5阳极电位为负，所以T4被触发导通，交流电源U12由1+经T4、D2整流C2滤波后输出。2.当电源负半周即1-、2+，且UC2＜UW1时，D3截止，D4导通，触发电流的产生过程与1的过程相同，但因T4阳极电位为负，T5阳极电位为正，所以T5导通，交流电源U12经D1、T5整流后输出，经C2滤波，完成了全波整流的任务(半控桥式)。3.当UC2＜UW1时W1击穿稳压，使UR6＞0，T3发射结正偏，T3导通，T2导通，T1的基极短路到UC2负极，使T1发射结反偏而截止，T4、T5的控制极电压被短路，U12也经D3、D4、R3、T2的CE、D1、D2被旁路，T4、T5截止。当UC2＜UW1后，电路又重复上述1、2的过程，达到了自动调节电压的目的。本调压器电路中的触发电路同样适用于三相半控桥式及单相半控桥式恒压充电调节器。三相半控桥式的电路图参见图3，当输入三相交流电源时，脉冲形成电路的输入端经与交流电源各相分别串联的二极管D3、D4、D8组成的共阴极整流电路后一路连接至三极管T1的c极，另一路经电阻R3分别连接至T1的b极以及脉冲控制调节电路中三极管T2的c极，T1的e极接二极管D5、D6、D7组成的共阳极电路，D5、D6、D7的阴极分别接电阻R1、R2、R7，并分别在R1、R2、R7上取得可控硅T4、T5、T7的控制极触发电压。其工作原理同于单相半控桥。权利要求1.半控桥式全波整流调压器，包括以交流电源为输入量的半控桥式整流电路和控制极触发电路两部分，控制极触发电路由脉冲形成电路，脉冲控制调节电路和测量比较电路组成，其特征在于所述半控桥式整流电路的输入端与脉冲形成电路输入端并接，所述脉冲形成电路的输入端经与交流电源各相分别串联的二极管D3、D4组成的共阴极整流电路后一路连接至三极管T1的c极，另一路经电阻R3分别连接至T1的b极以及脉冲控制调节电路中三极管T2的c极，T1的e极接二极管D5、D6组成的共阳极电路，D5、D6的阴极连至半控桥式整流电路中可控硅控制极回路，电阻R1、R2分别并接在可控硅T4、T5控制极；所述测量比较电路T3的c极经脉冲控制调节电路中电阻R4连接至三极管T2的b极，T3的发射结本文档来自技高网...

【技术保护点】
半控桥式全波整流调压器，包括以交流电源为输入量的半控桥式整流电路和控制极触发电路两部分，控制极触发电路由脉冲形成电路，脉冲控制调节电路和测量比较电路组成，其特征在于所述半控桥式整流电路的输入端与脉冲形成电路输入端并接，所述脉冲形成电路的输入端经与交流电源各相分别串联的二极管Ｄ↓［３］、Ｄ↓［４］组成的共阴极整流电路后一路连接至三极管Ｔ↓［１］的ｃ极，另一路经电阻Ｒ↓［３］分别连接至Ｔ↓［１］的ｂ极以及脉冲控制调节电路中三极管Ｔ↓［２］的ｃ极，Ｔ↓［１］的ｅ极接二极管Ｄ↓［５］、Ｄ↓［６］组成的共阳极电路，Ｄ↓［５］、Ｄ↓［６］的阴极连至半控桥式整流电路中可控硅控制极回路，电阻Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］分别并接在可控硅Ｔ↓［４］、Ｔ↓［５］控制极；所述测量比较电路Ｔ↓［３］的ｃ极经脉冲控制调节电路中电阻Ｒ↓［４］连接至三极管Ｔ↓［２］的ｂ极，Ｔ↓［３］的发射结接于测量电路中电阻Ｒ↓［６］的两端，Ｒ↓［６］、Ｗ↓［１］、Ｒ↓［５］三者串联后并接于半控桥式整流电路的输出端，Ｃ↓［１］并接于Ｔ↓［３］的发射结。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：詹华雄，童伟伦，张寿珍，
申请(专利权)人：重庆三木电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：85[中国|重庆]