微型单相全波桥式整流器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种微型单相全波桥式整流器件，封装体、四个相互连接构成桥式整流电路的二极管芯片，以及与二极管芯片相连的引线框架。其中，引线框架具有“Ｚ”形的剖面形状，其从封装体底部的伸出部分是平直的。引出端子的底部并非与器件包封塑料的底部共面，而是比塑料的底部更低。以保证器件与ＰＣＢ板形成良好的焊接。本实用新型专利技术结构紧凑、散热效率高，而且厚度更薄，可以达到１．５ｍｍ，与现有的ＤＢ整流桥相比下降约５０％，输出电流为１～２安培。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种整流器，尤其是微型单相全波桥式整流器件，属于半导体分立器件

技术介绍
在微型设备的电路中完成整流作用的方法有两种 一是利用分立器件如整流二极管，在PCB板上组成整流电路，该方法占用空间大，不利于孩t型化。二是使用桥式整流器，这种器件是将四个整流芯片集成在一支器件内并按规定的方式互连使其具有全波整流功能，其微型化程度取决于整流芯片在空间上的排列密度和精确定位。随着整机设备微型化要求逐步提高，除了 PCB板上所分布的器件密度增大外，同时还要求器件的体积也减小，具体表现在器件的占位面积、占空高度两个方面，以此来满足微型化要求。将双列直插式的整流桥(DB)的引线沖切、弯曲成鷗翅型就形成了目前流行的电流在1A~2A范围的表面贴装桥式整流器(DBS)，其外形见图1,内部结构见图2。由于结构的限制，其厚度标称多为2. 6~3. 4mm。显然这种结构的整流桥安装高度太高，不能满足某些微型设备对表面贴装器件薄封装的要求。另外该产品引出端子在制造、使用过程中容易变形；同时由于引出端子过长，影响芯片到PCB板的散热路径，因而形成较大的热阻，影响器件在使用过程中的散热。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种结构紧凑、散热效率高、厚度更薄的孩吏型单相全波桥式整流器件。为达到上述目的，本技术提供了以下技术方案微型单相全波桥式整流器件，包括用绝缘材料制成的封装体、四个相互连接构成桥式整流电路的二极管芯片，以及与二极管芯片相连的由金属材料制成的引线框架。其中，引线框架分为第一引线框架和第二引线框架，其各具有两个引线端，分别是交流输入端和直流输出端。第一引线框架和第二引线框架具有"Z"形的剖面形状，其从封装体底部的伸出部分是平直的，不存在弯折部分。作为对上述技术方案的进一步改进，所述引线框架从封装体底部伸出的引线端子低于所述封装体的底端。整流二极管芯片是普通整流二极管芯片、快恢复二极管芯片、肖特基二极管芯片中的一种。四个构成桥式整流电路的二极管芯片位于同一个水平面上。本技术的有益效果是1. 不^f旦结构紧凑、散热效率高，而且厚度更薄，可以达到1.5mm,与现有的DB整流桥相比下降约50%，输出电流为1~2安培，使用范围更广阔。2. 由于引线到PCB板的路径减小，芯片到PCB板以引线为主的散热路径大大减小，在同样电流、环境条件下保证了器件在较低结温下工作，提高了器件的可靠性。3. 为提高器件在PCB板的可焊性，两个引线框架从封装体底部伸出的引线端子低于封装体的底部，更有利于器件与PCB板的焊接。附图说明图1是现有表面贴装DBS整流轿外形示意图；图2是现有表面贴装DBS整流桥内部装配结构示意图3是本技术的表面贴装DBF整流桥外形示意图4是本技术的表面贴装DBF整流桥内部装配结构示意图5 (a)是第一引线框架主视结构示意图5 (b)是第一引辑框架俯视结构示意图6 (a)是第二引线框架主视结构示意图6 (b)是第二引线框架俯视结构示意图。上述附图中1封装体2第一引线框架 3第二引线框架4整流二极管芯片具体实施方式以下结合附图对本技术的实施例作进一步详细的描述。图1和图2为现有技术。如图所示，上金属引线框架2和下金属引线框架3从封装体1中间部位被引出，弯曲成鷗翅型。这样的形状4吏得现有的整流器的厚度较高，标称多为2.6 3.4mm之间。图3所示的是本技术微型单相全波桥式整流器件的主、左、俯视图，图4所示的是内部结构截面图。如图所示，本技术微型单相全波桥式整流器件，包括用绝缘材料制成的封装体1、四个相互连接构成桥式整流电路的二极管芯片4,以及与二极管芯片相连的由金属材料制成的引线框架。其中，引线框架分为上引线框架(第一引线框架)2和下引线框架(第二引线框架)3。引线框架具有"Z"形的剖面形状，其从封装体底部的伸出部分是平直的，不存在弯折部分。此时整流器件就具有纟敞型、薄的外形，厚度可以达到1. 5mm,输出电流为1 ~ 2安培满足了微型设备对表面贴装器件薄封装的要求。并使得引出端子在制造和使用 程中部不容易变形，增加使用寿命。引出端子对应于上、下引线框架。其中上引线框架2对应于交流电流输入端(交流端)；下引线框架3对应于直流电流输出端(分正极、负极输出)。通常负极输出端接地，此时其电位为0电位。而正极输出端的输出电流为正弦半波直流脉动电流。如果在正极、负极输出端之间if争接滤波电路，则正极输出端将输出紋波系数依赖于滤波电路的稳恒直流电流。在引出端子方面，考虑到与PCB板焊接的可操作性，两个引线框架从封装体底部伸出的引线端子并非与器件包封塑料封装体的底部共面，而是比封装体的底部更低，以保证器件与PCB板形成良好的焊接。四个构成桥式整流电路的二极管芯片位于同一个水平面上。整流二极管芯片可以是普通整流二极管芯片、快恢复二极管芯片、肖特基二极管芯片中的一种。本技术采用的焊盘尺寸符合现有的DBS整流桥的安装要求。高度仅为1.5mm的薄型封装，与现有的DB整流桥相比下降约50%。符合高密度排列应用时对安装高度严格限制的要求。由于引线到PCB板的路径减小，芯片到PCB板以引线为主的散热路径大大减小，在同样电流、环境条件下保证了器件在较低结温下工作，提高了器件的可靠性。权利要求1.微型单相全波桥式整流器件，包括用绝缘材料制成的封装体、四个相互连接构成桥式整流电路的二极管芯片，以及与二极管芯片相连的由金属材料制成的引线框架；所述引线框架分为第一引线框架和第二引线框架，其各具有两个引线端，分别是交流输入端和直流输出端，其特征在于所述第一引线框架和第二引线框架具有“Z”形的剖面形状，其从封装体底部的伸出引线端子是平直的，不存在弯折部分。2. 根据权利要求1所述微型单相全波桥式整流器件，其特征在于所述的引线框架从封装体底部伸出的引线端子底端低于所述封装体的底端。3. 根据权利要求1所述微型单相全波桥式整流器件，其特征在于所述整流二极管芯片是普通整流二极管芯片、快恢复二极管芯片、肖特基二极管芯片中的一种。4. 根据权利要求1至3中任一项所述微型单相全波桥式整流器件，其特征在于所述四个构成桥式整流电路的二极管芯片位于同一个水平面上。专利摘要本技术公开了一种微型单相全波桥式整流器件，封装体、四个相互连接构成桥式整流电路的二极管芯片，以及与二极管芯片相连的引线框架。其中，引线框架具有“Z”形的剖面形状，其从封装体底部的伸出部分是平直的。引出端子的底部并非与器件包封塑料的底部共面，而是比塑料的底部更低。以保证器件与PCB板形成良好的焊接。本技术结构紧凑、散热效率高，而且厚度更薄，可以达到1.5mm，与现有的DB整流桥相比下降约50％，输出电流为1～2安培。文档编号H02M7/08GK201414083SQ200920120399公开日2010年2月24日 申请日期2009年5月21日 优先权日2009年5月21日专利技术者管国栋 申请人:绍兴旭昌科技企业有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
微型单相全波桥式整流器件，包括用绝缘材料制成的封装体、四个相互连接构成桥式整流电路的二极管芯片，以及与二极管芯片相连的由金属材料制成的引线框架；所述引线框架分为第一引线框架和第二引线框架，其各具有两个引线端，分别是交流输入端和直流输出端，其特征在于所述第一引线框架和第二引线框架具有“Ｚ”形的剖面形状，其从封装体底部的伸出引线端子是平直的，不存在弯折部分。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：管国栋，
申请(专利权)人：绍兴旭昌科技企业有限公司，
类型：实用新型
国别省市：33[]