使用低侧桥式ＦＥＴ的ＲＤＳＯＮ的波形电流监测器制造技术

用于监测包括至少高侧和低侧开关晶体管的电机驱动电路的电流的装置包括用于驱动低侧开关晶体管的栅极的驱动电路。第一电路系统测量该低侧开关晶体管两端的漏源电压，并响应于该测量产生电压输出。第二电路具有第一工作状态和第二工作状态，第一工作状态在低侧开关晶体管导通时对第一电路系统的电压输出取样，第二工作状态在低侧开关晶体管截止时对第一电路系统的电压输出取样。第二电路系统响应于所取样的电压输出进一步产生监测输出电流。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请涉及波形电流监测器，更具体地涉及使用低侧FET的RDSon电压的波形电 流监测器。
技术介绍
当操作H型桥式或三相桥式电机驱动电路时，需要能重构电机电流的电流波形和 相位，以获得具有直流(DC)偏置的交流(AC)信号。H型桥式电机驱动电路和三相桥式电 机驱动电路是用于驱动电机的电路结构，这些电路结构将两个高侧开关和两个低侧开关的 组合用于全桥式结构，且将三个高侧开关和三个低侧开关的组合用于三相桥式结构。当操 作H型桥式或三相桥式电机电路时，需要能重构电机电流的电流波形和相位。用于监测这 些类型的电路中的电流的现有方法涉及从开关功率FET的“导通(on)”周期的前沿和后沿 样本创建瞬时平均电流。需要这些设计的改进方法，在改进方法中，可既在开关功率FET的 “导通”周期期间又在开关循环的“截止(off)”周期期间确定瞬时平均电流。因此，将需要 能在开关循环的“导通”和“截止”周期期间实现电流监测的电路系统。
技术实现思路
如本文中所公开和描述的本专利技术在一个方面中包括一种用于监测包括至少高侧 和低侧开关晶体管的电机驱动电路的电流的装置。该装置包括用于驱动低侧开关晶体管的 栅极的驱动本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于监测包括至少高侧和低侧开关晶体管的电机驱动电路的电流的装置，包括：驱动电路，所述驱动电路用于驱动低侧开关晶体管的栅极；第一电路系统，所述第一电路系统用于测量所述低侧开关晶体管两端的漏源电压，并产生电压输出；第二电路系统，所述第二电路系统具有第一工作状态和第二工作状态，所述第一工作状态用于在所述低侧开关晶体管导通时对所述第一电路系统的电压输出取样，所述第二工作状态用于在所述低侧开关晶体管截止时对所述第一电路系统的电压输出取样，其中所述第二电路系统响应于所取样的电压输出进一步产生监测输出电流。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：RR加西亚，
申请(专利权)人：英特赛尔美国股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]