一种简易电磁过滤的镀膜装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种简易电磁过滤的镀膜装置，属于离子镀膜技术领域，其包括具有矩形状空腔的离子镀壳体，离子镀壳体中间设有柱状旋转阴极弧源，矩形状空腔一端封闭且另一端为开口，设有开口的一端为离子出口；柱状旋转阴极弧源放电位朝向离子镀壳体封闭一端，离子镀壳体上固定有电磁线圈组；本实用新型专利技术将柱状旋转阴极弧源的放电位朝向离子镀壳体的封闭一端，使其产生的未离化的分子、原子及颗粒会沉积在离子镀壳体的封闭一端，而待沉积离子在电磁线圈的作用下偏转通过离子出口进入沉积壳体，矩形状空腔的离子镀壳体的体积大，路程短，并且直接与真空腔体相连，沉积速率将大幅度提升，且结构十分简单。且结构十分简单。且结构十分简单。

【技术实现步骤摘要】
一种简易电磁过滤的镀膜装置


[0001]本技术属于离子镀膜
，具体涉及一种简易电磁过滤的镀膜装置。

技术介绍

[0002]类金刚石制备的方法很多:如离子束辅助沉积、磁控溅射、真空阴极电弧沉积、等离子体增强化学气相沉积、离子注入法等。其中离子束沉积（ion beam deposition, IBD）是最早用来制备DLC薄膜的技术，其基本原理是以石墨或烃类气体为碳源，利用电弧或热丝电子产生碳或碳氢离子，通过离子枪加速以获得能量并引向基体，能量离子诱导生成SP3杂化键在基片表面形成DLC薄膜。
[0003]其中，真空阴极电弧沉积CVAD拥有较高的离化率60%
‑
80%，可输出高价位等离子体，离子能量高达100eV，具有膜基结合力强，沉积温度低、沉积速率高、易于过渡到工业化生产等优点。
[0004]在CVAD的基础上，Aksenov等发展了磁过滤阴极弧技术；其主要技术改进体现为通过在阴极电弧前方设置磁过滤管，利用磁场对离子的作用，改变离子到达基体的运动轨迹；这种磁过滤对细小原子团的筛选作用很严格，只有当颗粒的电荷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种简易电磁过滤的镀膜装置，其特征在于，包括具有矩形状空腔的离子镀壳体（1），所述离子镀壳体（1）中间设有柱状旋转阴极弧源（3），所述矩形状空腔一端封闭且另一端为开口，设有开口的一端为离子出口；所述柱状旋转阴极弧源（3）放电位（31）朝向离子镀壳体（1）封闭一端，所述离子镀壳体（1）上固定有电磁线圈组（2），所述电磁线圈组（2）用于偏转导引柱状旋转阴极弧源（3）产生的离子；所述电磁线圈组（2）分别为两个矩形线圈组成，且两个矩形线圈分别位于离子镀壳体（1）封闭一端与柱状旋转阴极弧源（3）之间和柱状旋转阴极弧源（3）与离子出口（4）之间，产生的磁场形成两头强中间弱的磁镜分布。2.根据权利要求1所述的一种简易电磁过滤的镀膜装置，其特征在于，还包括具有真空腔室的沉积壳体（5）、抽真空系统、偏压电源系统、辅助阳极电源系统；所述离子镀壳体（1）设有离子出口（4）的一端与沉积壳体（5）相连接，所述矩形状空腔与真空腔室通过离子出口（4）相连通；所述沉积壳体（5）上设有用于与抽真空系统相连对真空腔室抽气形成真空环境的抽真空口（51）；所述沉积壳体（5）内设有用于放置镀膜过程中所镀工件的工件转架（52）；所述工件转架...

【专利技术属性】
技术研发人员：张祖航，郎文昌，章柯，张振华，林琪澳，
申请(专利权)人：温州大学，
类型：新型
国别省市：