一种灯丝辅阳离化多弧离子镀结构装置制造方法及图纸

技术编号:33761780 阅读:33 留言:0更新日期:2022-06-12 14:11
一种灯丝辅阳离化多弧离子镀结构装置。本实用新型专利技术针对已有多弧离子镀对于反应性气体离化率低的问题。本实用新型专利技术包括灯丝、辅阳法兰、辅阳进水管、辅阳出水管等,辅阳法兰通过辅阳绝缘片可拆卸密封安装在真空室中心顶壁上,辅阳电源的阴极和阳极分别连接真空室壁和辅阳法兰。灯丝作为辅助阳极接收电子,同时灯丝被加热至高温发生大量热电子,增强反应性气体离化率。离化率。离化率。

【技术实现步骤摘要】
一种灯丝辅阳离化多弧离子镀结构装置


[0001]本技术涉及一种灯丝辅阳离化多弧离子镀结构装置,属于涂层制备领域。

技术介绍

[0002]多弧离子镀是一种具有高离化率的物理气相沉积方法,被广泛地应用于航空航天、武器装备、电子产品等领域。多弧离子镀是在真空环境下利用高速运动电弧斑点高温蒸发靶材金属为等离子体,并沉积至工件表面。
[0003]虽然多弧离子镀的离化率可以达到90%,但是仅仅是对于靶材的离化率,对于反应性气体的离化率较低。多弧离子镀沉积O2、N2、C2H2等反应性气体元素涂层时,反应性气体离化率低影响沉积涂层的成分、组织结构,增加了沉积工艺调控复杂性。

技术实现思路

[0004]针对已有多弧离子镀对于反应性气体离化率低的问题,本技术专利提供一种灯丝辅阳离化多弧离子镀结构装置。本技术专利在多弧离子镀中利用灯丝作为辅助阳极,灯丝接收电子并且其被加热至高温发射电子,运动至灯丝的电子和灯丝的热发射电子同时增强多弧离子镀的沉积空间反应性气体离化。
[0005]本技术为解决上述问题采取的技术方案是:r/>[0006]本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种灯丝辅阳离化多弧离子镀结构装置,其特征在于:所述一种灯丝辅阳离化多弧离子镀结构装置包括灯丝(1)、辅阳法兰(2)、辅阳进水管(3)、辅阳出水管(4)、辅阳绝缘片(5)、辅阳电源(6)、多弧离子镀电源(7)、偏压电源(8)、真空室(9)、真空泵(10)、工件(11)、试样架(12)、试样架转轴(13)、多弧靶(14)、靶进水管(15)、靶出水管(16)、左灯丝柱(17)、右灯丝柱(18)、靶水冷腔(19)、进气管(20);所述灯丝(1)开拆卸固定安装灯丝柱17和右灯丝柱(18)上,左灯丝柱(17)和右灯丝柱(18)固定焊接在辅阳法兰(2)上,辅阳法兰(2)为水冷结构,辅阳进水管(3)和辅阳出水管(4)密封焊接在辅阳法兰(2)上,辅阳法兰(2)通过辅阳绝缘片(5)可拆卸密封安装在真空室(9)中心顶壁上,靶水冷腔(19)为水冷结构,靶进水管(15)和靶出水管(16)密封...

【专利技术属性】
技术研发人员:许建平陈晶李青川王威
申请(专利权)人:黑龙江工程学院
类型:新型
国别省市:

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