采用双重并联谐振逆变回路的大功率中频电源制造技术

一种采用双重并联谐振逆变回路的大功率中频电源，其特征在于，包括有由整流可控硅ＳＣＲ↓［１］～ＳＣＲ↓［６］组成的两组三相半波整流器合并而成的可控硅全波整流桥及平波电抗器Ｌ↓［ｄ１］、Ｌ↓［ｄ２］构成的两个恒流源和一个双重并联谐振逆变回路，具体连接是，通过整流可控硅ＳＣＲ↓［１］、ＳＣＲ↓［３］、ＳＣＲ↓［５］输入的正半波脉动直流连接到平波电抗Ｌ↓［ｄ１］的一端，Ｌ↓［ｄ１］的另一端分别连接谐振电容Ｃ↓［１］的一端和逆变可控硅ＳＣＲ↓［７］的阳极，ＳＣＲ↓［７］的阴极与另一只逆变可控硅ＳＣＲ↓［８］的阳极相连接并成为该中频电源向外输出中频电的一个输出端点Ａ；通过整流可控硅ＳＣＲ↓［４］、ＳＣＲ↓［６］、ＳＣＲ↓［２］输入的负半波脉动直流连接到平波电抗Ｌ↓［ｄ２］的一端，Ｌ↓［ｄ２］的另一端分别连接谐振电容Ｃ↓［２］的一端和逆变可控硅ＳＣＲ↓［８］的阴极；电容Ｃ↓［１］的另一端和电容Ｃ↓［２］的另一端一同与输入电源变压器的零线相连接并成为该中频电源的另一个输出端点Ｂ；在该中频电源的两个输出端点Ａ和Ｂ之间接有由谐振电感Ｌ↓［１］与并联槽路ＬＣ相串接而构成的炉体负载Ｚ。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于大功率熔炼炉及透热负载的中频电源电路，特别是一种采用双重并联谐振逆变回路的大功率中频电源。
技术介绍
目前广泛应用于金属熔炼、锻件透热的可控硅中频感应加热炉大多采用并联补偿逆变电路，传统的并联补偿逆变电路如图1所示，是由三相可控硅全波整流桥，通过平波电抗器连接并联补偿逆变器构成；其导通的可控硅1和可控硅2不能自行关断，只有通过触发另一桥臂的可控硅3和可控硅4，利用电容C上的残余电压对可控硅1和可控硅2反向放电，才能将其强迫关断；同样可控硅3和可控硅4也要靠触发可控硅1和可控硅2来强迫其关断。由此可见，并联补偿型逆变器的四只可控硅在换流的过程中必然出现同时导通的情况。一旦并联补偿电容C上的电荷储量不足，或换流时间选择不当，都有可能导致逆变颠覆。这种问题会严重影响并联补偿型逆变器的起振成功率。而且，中频电源输出功率越大，问题越严重。还有采用串联补偿逆变电路。图2示出的是一种传统的串联补偿逆变电路，该电路的优点是逆变可控硅可以自然关断，不存在起振困难。整流桥输出的脉动直流电经过平波电抗Ld和平波电容Cd滤波后，形成恒压源，对串联谐振逆变桥供电。串联谐振电容C1和C本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗马，苏玉民，黄旭东，高成群，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：