用于自对准接触的混合膜方案制造技术

本申请公开了用于自对准接触的混合膜方案。一种形成半导体器件的方法包括：形成突出得高于衬底的鳍；在鳍之上形成金属栅极，金属栅极被电介质层包围；蚀刻金属栅极以降低金属栅极的高度，其中，在进行蚀刻之后，在金属栅极之上且在金属栅极的栅极间隔件之间形成了凹部；用半导体材料对凹部的侧壁和底部加衬里；通过在半导体材料之上形成电介质材料来填充凹部；在金属栅极之上形成掩模层，其中，掩模层的第一开口位于电介质层的与金属栅极相邻的一部分的正上方；去除电介质层的所述一部分以在电介质层中形成第二开口，第二开口暴露了下层源极/漏极区域；以及用导电材料填充第二开口。口。口。

【技术实现步骤摘要】
用于自对准接触的混合膜方案


[0001]本申请总体涉及半导体
，更具体地涉及用于自对准接触的混合膜方。

技术介绍

[0002]由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体行业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的提高来自于最小特征尺寸的反复减小，这允许更多的组件被集成到给定面积中。
[0003]鳍式场效应晶体管(FinFET)器件正成为集成电路中常用的器件。FinFET器件具有三维结构，该三维结构包括从衬底突出的半导体鳍。被配置为控制FinFET器件的导电沟道内的电荷载流子的流动的栅极结构环绕半导体鳍。例如，在三栅极FinFET器件中，栅极结构环绕半导体鳍的三个侧，从而在半导体鳍的三个侧上形成导电沟道。

技术实现思路

[0004]根据本申请的一方面，提供一种形成半导体器件的方法，该方法包括：在半导体鳍之上形成金属栅极结构，其中，金属栅极结构被层间电介质ILD层包围；使金属栅极结构凹陷得低于栅极间隔件的上表面，栅极间隔件沿着金属栅极结构的相反侧壁延伸，其中，在进行凹陷之后，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体鳍之上形成金属栅极结构，其中，所述金属栅极结构被层间电介质ILD层包围；使所述金属栅极结构凹陷得低于栅极间隔件的上表面，所述栅极间隔件沿着所述金属栅极结构的相反侧壁延伸，其中，在进行所述凹陷之后，在所述栅极间隔件之间形成了凹部；用半导体材料对所述凹部的侧壁和底部加衬里；在进行所述加衬里之后，用电介质材料填充所述凹部；在所述电介质材料、所述半导体材料和所述ILD层之上形成图案化蚀刻停止层堆叠，其中，所述图案化蚀刻停止层堆叠中的第一开口位于所述电介质材料、所述半导体材料以及所述ILD层的与所述栅极间隔件相邻的第一部分的正上方；通过穿过所述第一开口进行刻蚀以去除所述ILD层的所述第一部分而在所述ILD层中形成第二开口，其中，所述第二开口暴露了与所述金属栅极结构相邻的源极/漏极区域；以及用导电材料填充所述第二开口。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体材料为非晶硅。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述电介质材料为氮化硅。4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在使所述金属栅极结构凹陷之前，在所述ILD层的远离所述半导体鳍的上表面之上选择性地形成蚀刻停止层，其中，所述半导体材料的第一部分接触所述蚀刻停止层并沿着所述蚀刻停止层延伸。5.根据权利要求4所述的方法，还包括：在填充所述凹部之后并且在形成所述图案化蚀刻停止层堆叠之前，执行平坦化工艺，其中，所述平坦化工艺去除了所述半导体材料的所述第一部分和所述蚀刻停止层。6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在进行所述凹陷之后并且在进行所述加衬里之前，在所述金属栅极结构之上形成帽盖层，其中，所述帽盖层实体地接触所述金属栅极结构和所述半导体材料。7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二开口包括：执行蚀刻工艺以去除所述ILD层的所述第一部分，其中，所述蚀刻工艺使所述栅极间隔件凹陷得比所述电介质材料和所述半导体材料更多。8.根据权利要求1所述的方法，还包括：在填充所述第二开口之...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕建宏，何彩蓉，谢博全，施伯铮，李资良，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：